充放电装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104488163B

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201380039134.8

    申请日:2013-07-23

    CPC classification number: H02J7/0024 H01M10/0525 H01M10/441

    Abstract: 本发明提供一种充放电装置,其不使用具有非常高的电流供给能力的电源,即可使多个二次电池同时并联充放电。本发明所涉及的充放电装置使多个充放电体同时并联进行充电动作和放电动作,其具有:充电用电力线,其将电源机构提供的电力供给各充放电体;放电用电力线,各充放电体通过该放电用电力线将放电电力供给电源机构;连接切换机构,其设有多个,配置在充电用电力线及放电用电力线与多个充放电体之间,用于切换充电用电力线及放电用电力线与多个充放电体之间的连接;切换控制机构,其对多个连接切换机构进行切换控制;电源机构施加各不相同的多个电压值。切换控制机构进行切换控制,以使各充放电体按照规定顺序与多个充电用电力线和多个放电用电力线循环连接。

    充放电装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104488163A

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201380039134.8

    申请日:2013-07-23

    CPC classification number: H02J7/0024 H01M10/0525 H01M10/441

    Abstract: 本发明提供一种充放电装置,其不使用具有非常高的电流供给能力的电源,即可使多个二次电池同时并联充放电。本发明所涉及的充放电装置使多个充放电体同时并联进行充电动作和放电动作,其具有:充电用电力线,其将电源机构提供的电力供给各充放电体;放电用电力线,各充放电体通过该放电用电力线将放电电力供给电源机构;连接切换机构,其设有多个,配置在充电用电力线及放电用电力线与多个充放电体之间,用于切换充电用电力线及放电用电力线与多个充放电体之间的连接;切换控制机构,其对多个连接切换机构进行切换控制;电源机构施加各不相同的多个电压值。切换控制机构进行切换控制,以使各充放电体按照规定顺序与多个充电用电力线和多个放电用电力线循环连接。

    搭载二次电池的电路芯片及其制造方法

    公开(公告)号:CN105264656B

    公开(公告)日:2019-04-19

    申请号:CN201480011105.5

    申请日:2014-03-05

    Abstract: 提供一种搭载二次电池的电路芯片及其制造方法,其中二次电池被直接地装配在电路和二次电池的集成结构的所形成电路的相反的表面。搭载二次电池的电路芯片被配置为这样:二次电池被直接地装配在对应于电路和二次电池的集成结构的电路的区域中。芯片是搭载二次电池的电路芯片,其中二次电池形成与在晶片上所装配的电路区域相对的表面上。通过将具有多层布线的电路的最上部形成到被钝化的电路表面的上部上的二次电池结构中,形成通过制作要被共同使用的表面结构中的电路的多层布线部的最上的布线层所直接堆叠的二次电池,或者将二次电池形成在使其上形成电路的基板的后表面上,从而二次电池和电路形成到集成结构中。

    二次电池
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113424349A

    公开(公告)日:2021-09-21

    申请号:CN202080010602.9

    申请日:2020-01-30

    Abstract: 一种具有改善的性能的二次电池。根据本实施例,二次电池(100)包括第一电极(21)、第二电极(22)、设置在第一电极(21)上并包括第一n型氧化物半导体的第一层(11)、设置在第一层(11)上并包括第二n型氧化物半导体材料和第一绝缘材料的第二层(12)、设置在第二层(12)上并且是固体电解质层的第三层(13)以及设置在第三层(13)上并包括六方Ni(OH)2微晶的第四层(14)。

    蓄电设备
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110392955A

    公开(公告)日:2019-10-29

    申请号:CN201880017572.7

    申请日:2018-03-01

    Abstract: 蓄电设备(30)具备:第1氧化物半导体层(14),其具有第1导电型的第1氧化物半导体;第1充电层(16),其配置于第1氧化物半导体层(14)上、且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成;和,第3氧化物半导体层(24),其配置于第1充电层(16)上。第3氧化物半导体层(24)具有氢、和第2导电型的第3氧化物半导体,氢相对于构成第3氧化物半导体的金属的比率为40%以上。提供能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的蓄电设备。

    二次电池
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110431707A

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201880018529.2

    申请日:2018-03-01

    Abstract: 二次电池(30)具备:第1导电型的第1氧化物半导体层(14);第1充电层(16T),其配置于第1氧化物半导体层(14)上、且由第1金属氧化物形成;第1分离层(18SNS),其配置于第1充电层(16T)上;和,第2导电型的第2氧化物半导体层(24),其配置于第1分离层(18SNS)上。第1充电层(16T)不是由包含硅的材料构成的。在第1充电层(16T)上可以具备配置于第1分离层(18SNS)与第1充电层(16T)之间的第2分离层(18TS)。提供:能降低内阻、能增大每单位体积(重量)的蓄电容量的二次电池。

    二次电池
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109643829B

    公开(公告)日:2021-12-14

    申请号:CN201780052280.2

    申请日:2017-07-24

    Abstract: 二次电池(30)具备:第1导电型的第1氧化物半导体层(14);第1充电层(16),其配置于第1氧化物半导体层(14)上,且由第1绝缘物和第1导电型的第2氧化物半导体形成;第2充电层(18),其配置于第1充电层(16)上;第2导电型的第3氧化物半导体层(24),其配置于第2充电层(18)上;和,氢氧化物层(22),其配置于第1充电层(16)与第3氧化物半导体层(24)之间,且具有构成第3氧化物半导体层(24)的金属的氢氧化物。提供能量密度提高、能增大电池特性(蓄电容量)、且可靠性高的二次电池。

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