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公开(公告)号:CN108352333A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201680062779.7
申请日:2016-10-26
申请人: 日立化成株式会社
IPC分类号: H01L21/60 , C09J11/06 , C09J201/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18
CPC分类号: C09J11/06 , C09J201/00 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/81
摘要: 公开了一种制造半导体装置的方法,半导体装置具备:半导体芯片;基板及/或另外的半导体芯片;以及介于它们之间的粘接剂层。该方法包括下述工序:通过将具有半导体芯片、基板、另外的半导体芯片或半导体晶片、以及粘接剂层的层叠体用暂时压接用按压构件夹持来进行加热以及加压,由此将基板、另外的半导体芯片或半导体晶片暂时压接在半导体芯片上;通过将层叠体用不同于暂时压接用按压构件的另外准备的正式压接用按压构件夹持来进行加热以及加压,由此将半导体芯片的连接部与基板或另外的半导体芯片的连接部进行连接。