公开(公告)号：CN105702649B

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201510562230.1

申请日：2015-09-07

申请人： 钰桥半导体股份有限公司

发明人： 林文强 ,  王家忠

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49822 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/562 ,  H01L25/065 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H05K1/181 ,  H05K1/183 ,  H05K3/4682 ,  H05K3/4694 ,  Y02P70/611

摘要： 本发明提供了一种具有整合双布线结构的线路板。该线路板分别于加强层的贯穿开口内及贯穿开口外设有第一及第二布线结构。加强层所具备的机械强度可用以避免线路板弯曲。位于加强层贯穿开口内的第一布线结构可提供初级扇出路由，而位于加强层贯穿开口外的第二布线结构不仅可对第一布线结构提供进一步的扇出路由，其还可以使第一布线结构与加强层机械接合。

公开(公告)号：CN108475670A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780004485.3

申请日：2017-02-13

申请人： 琳得科株式会社

发明人： 根津裕介 ,  杉野贵志

IPC分类号： H01L25/065 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  C09J201/00 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC分类号： C09J7/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/08 ,  C09J201/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

摘要： 本发明提供一种三维集成层叠电路制造用片1，其介于具有贯通电极的多个半导体芯片之间，其用于将所述多个半导体芯片相互粘合并制成三维集成层叠电路，所述三维集成层叠电路制造用片1至少具备固化性的粘合剂层13，构成粘合剂层13的材料固化前的在90℃下的熔融粘度为1.0×100～5.0×105Pa·s，固化物在0～130℃下的平均线膨胀系数为45ppm以下。该三维集成层叠电路制造用片1能够制造半导体芯片之间的连接电阻不易变化、具有高可靠性的三维集成层叠电路。

公开(公告)号：CN104347549B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201410352981.6

申请日：2014-07-23

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 今关洋辅 ,  黑田壮司

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/31 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/78 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0612 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48824 ,  H01L2224/48844 ,  H01L2224/4917 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49431 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2224/4945 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/4554

摘要： 本发明公开了一种可提高半导体器件的可靠性的技术。所述半导体器件包括具有形成于芯片装载面上的多个焊点(引脚)BF的布线基板3、搭载于布线基板3上的半导体芯片、以及分别具有球形部Bnd1及接合部Bnd2的多条引线BW。多个焊点BF具有分别与引线BWa的接合部Bnd2连接的焊点BF1、以及与引线BWb的球形部Bnd1连接的焊点BF2。另外，在俯视观察时，焊点BF2配置在与多个焊点BF1的配置列Bd1上不同的位置上，而且，焊点BF2的宽度W2比焊点BF1的宽度W1大。

公开(公告)号：CN105321912B

公开(公告)日：2018-05-25

申请号：CN201410848102.9

申请日：2014-12-31

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 苏安治 ,  陈宪伟

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/544 ,  H01L21/768 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49527 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48235 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/1082 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48227

摘要： 本发明提供了一种封装件，包括器件管芯、将器件管芯模制在其中的模制材料、以及位于器件管芯和模制材料上面的多条再分布线。激光标记焊盘与多条再分布线中的一条共面，其中，激光标记焊盘和该多条再分布线中的一条由相同的导电材料形成。聚合物层位于激光标记焊盘和多条再分布线上方。胶带附接在聚合物层上方。激光标记穿过胶带和聚合物层。激光标记延伸至激光标记焊盘的顶面。本发明还提供了形成封装件的方法。

公开(公告)号：CN104465473B

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：CN201410475480.7

申请日：2014-09-17

申请人： 新科金朋有限公司

发明人： 金五汉 ,  郑世逸 ,  李喜秀 ,  郑载翰 ,  金永澈

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L23/36 ,  H01L21/561 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/42 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/544 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L25/065 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 一种集成电路封装系统及其制造方法，所述系统包括：衬底；形成在所述衬底上的模盖；在所述模盖中刻划的基准标记；被施加在所述衬底上并且参照所述基准标记的热界面材料；以及安装在所述热界面材料上的散热件，所述散热件通过相对于所述基准标记对齐的定位缺口被准确地定位。

公开(公告)号：CN107871732A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201610847094.5

申请日：2016-09-23

申请人： 深圳市中兴微电子技术有限公司

发明人： 任晓黎

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/64 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/64 ,  H01L25/065 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L28/00

摘要： 本发明实施例提供一种封装结构，通过常规工艺在有源芯片背面集成大量的无源器件和再布线层，然后通过堆叠和引线键合的方式实现多个有源芯片与无源器件的集成，不但充分利用了封装结构中有源芯片背面的空白区域，还有效的提高了封装集成度；同时，所集成的无源器件可以通过一层水平方向的金属走线连接到其他芯片的电路结构上，通过引线键合的方式与有源芯片相关信号网络进行电性连接，因此极大地缩短了有源芯片与无源器件之间的信号传输路径，提高了信号完整性。

公开(公告)号：CN105074918B

公开(公告)日：2017-12-26

申请号：CN201380074494.1

申请日：2013-12-19

申请人： 苹果公司

发明人： A·费 ,  E·R·博约 ,  杨志平 ,  吴忠华

IPC分类号： H01L25/065 ,  G11C5/00 ,  H01L23/498 ,  H01L25/18

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/552 ,  H01L23/60 ,  H01L24/06 ,  H01L24/14 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/06151 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/1405 ,  H01L2224/1414 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1443 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 本公开提供了用于堆叠式半导体存储器封装件的系统和方法。每个封装件可包括能够通过两个通道将数据传输到堆叠在封装件内的存储器裸片的集成电路(“IC”)封装基板。每个通道可位于IC封装基板的一侧上，并且来自每个通道的信号可从其相应侧引导到存储器裸片。

公开(公告)号：CN104952815B

公开(公告)日：2017-12-15

申请号：CN201510088870.3

申请日：2015-02-26

申请人： 株式会社东芝

发明人： 益永孝幸 ,  上田和宏 ,  渡边尚威 ,  丸野広司 ,  木田敏彦

IPC分类号： H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L23/473 ,  H01L21/54 ,  H01L21/565 ,  H01L23/051 ,  H01L23/28 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3736 ,  H01L23/42 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/49562 ,  H01L25/065 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012

摘要： 提供一种能够容易地相对于冷却器进行固定而不会使散热性受损的半导体模块以及半导体模块的制造方法。半导体模块具备半导体元件、第一导电体、第二导电体以及封壳。所述半导体元件具有第一电极以及形成在与所述第一电极对置的面上的第二电极。所述第一导电体具有第一接合面以及第一散热面，所述第一接合面与所述第一电极电连接。所述第二导电体具有第二接合面以及第二散热面，第二接合面与第二电极电连接。所述封壳具有第一封壳部分以及第二封壳部分，所述第一封壳部分由第一绝缘材料构成，并形成为密封住所述半导体元件；所述第二封壳部分由导热率高于所述第一绝缘材料的第二绝缘材料构成，并形成为与第一散热面和第二散热面相接触。

公开(公告)号：CN107275316A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710325396.0

申请日：2017-03-31

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： D·阿勒斯 ,  M·丁克尔

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/50

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49113 ,  H02M7/003 ,  H02M7/44 ,  H02M7/5387 ,  H01L25/065 ,  H01L23/50

摘要： 一种半导体封装包括衬底、固定到衬底的第一晶体管管芯和固定到衬底的第二晶体管管芯。第一晶体管管芯具有：源极端子，位于第一晶体管管芯的面向衬底的底侧处；以及漏极端子和栅极端子，位于第一晶体管管芯的背离衬底的顶侧处。第二晶体管管芯具有：漏极端子，位于第二晶体管管芯的面向衬底的底侧处；以及源极端子和栅极端子，位于第二晶体管管芯的背离衬底的顶侧处。所述封装还包括在第一晶体管管芯的漏极端子和第二晶体管管芯的源极端子之间的公共电连接。

公开(公告)号：CN106469718A

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201610595255.6

申请日：2016-07-26

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 余振华 ,  叶松峯 ,  陈明发

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/52

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/481 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/80 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1047 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012 ,  H01L25/065 ,  H01L23/52

摘要： 本发明公开了三维集成电路(3DIC)结构。3DIC结构包括第一芯片、第二芯片和至少一个衬底通孔(TSV)。第一芯片通过第一芯片的第一接合焊盘和第二芯片的第二接合焊盘电连接至第二芯片。TSV从第一芯片的第一后侧延伸至第一芯片的金属化元件。至少一个导电通孔在TSV和第一接合焊盘之间电连接，并且至少一个细长的槽或封闭的空间处于至少一个导电通孔内。本发明的实施例还涉及接合结构。