公开(公告)号：CN111480218A

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201780097759.8

申请日：2017-12-18

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  柳田裕贵 ,  上野惠子

IPC: H01L21/60 ,  C09J5/06 ,  C09J7/10 ,  C09J201/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明公开一种制造半导体装置的方法，其具备如下工序：使具有连接部的第一构件与具有连接部的第二构件通过热固性粘接剂在低于第一构件的连接部的熔点和第二构件的连接部的熔点的温度下进行压接，从而得到第一构件的连接部与第二构件的连接部相对配置的临时压接体的工序；将临时压接体夹在相对配置的一对挤压构件之间，一边加热至大于或等于第一构件的连接部或第二构件的连接部中至少一方的熔点的温度一边加压，从而得到压接体的工序；以及将压接体在加压气氛下进一步加热的工序。第一构件为半导体芯片或半导体晶片，第二构件为配线电路基板、半导体芯片或半导体晶片。

公开(公告)号：CN108352333A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680062779.7

申请日：2016-10-26

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  茶花幸一 ,  小野敬司 ,  永井朗

IPC: H01L21/60 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: C09J11/06 ,  C09J201/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/81

Abstract: 公开了一种制造半导体装置的方法，半导体装置具备：半导体芯片；基板及/或另外的半导体芯片；以及介于它们之间的粘接剂层。该方法包括下述工序：通过将具有半导体芯片、基板、另外的半导体芯片或半导体晶片、以及粘接剂层的层叠体用暂时压接用按压构件夹持来进行加热以及加压，由此将基板、另外的半导体芯片或半导体晶片暂时压接在半导体芯片上；通过将层叠体用不同于暂时压接用按压构件的另外准备的正式压接用按压构件夹持来进行加热以及加压，由此将半导体芯片的连接部与基板或另外的半导体芯片的连接部进行连接。

公开(公告)号：CN103642441B

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：CN201310636698.1

申请日：2011-09-29

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  永井朗 ,  榎本哲也

IPC: C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  C09J7/00 ,  H01L23/488 ,  H01L25/065

CPC classification number: C09J163/00 ,  C08K9/04 ,  H01L24/04 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00 ,  C08K9/00 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明涉及粘接剂组合物、半导体装置的制造方法以及半导体装置。所述粘接剂组合物为在半导体芯片以及配线电路基板的各自的连接部相互地电连接的半导体装置、或多个半导体芯片的各自的连接部相互地电连接的半导体装置中将所述连接部密封的粘接剂组合物，其含有环氧树脂、固化剂、由具有下述通式(1)所示的基团的化合物进行了表面处理的丙烯酸系表面处理填料以及重均分子量为10000以上的高分子成分，式(1)中，R1表示氢原子或碳原子数1或2的烷基，R2表示碳原子数1～30的亚烷基。

公开(公告)号：CN104137240A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201280070510.5

申请日：2012-10-01

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  永井朗 ,  佐藤慎

IPC: H01L21/52 ,  B23K35/363 ,  C08L63/00 ,  H01L21/60 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

Abstract: 一种半导体用粘接剂，其含有环氧树脂、固化剂和具有下述式(1)所示基团的化合物。式中，R1表示供电子性基团。

公开(公告)号：CN110637355A

公开(公告)日：2019-12-31

申请号：CN201880033282.1

申请日：2018-05-18

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  铃木直也 ,  乃万裕一

IPC: H01L21/301 ,  C09J201/00 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明提供一种扩展带(1)，其为在半导体装置的制造方法中使用的扩展带(1)，所述半导体装置的制造方法具备带扩展工序，该带扩展工序中，通过对扩展带(1)一边加热一边进行拉伸，从而将固定在扩展带(1)上的、被制成单片的半导体芯片(2)的间隔从100μm以下扩大至300μm以上，其中，所述扩展带在所述带扩展工序的加热温度下的拉伸应力为10MPa以下，并且室温下的拉伸应力比所述加热温度下的拉伸应力高5MPa以上。

公开(公告)号：CN104145327A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201380010584.4

申请日：2013-02-22

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  永井朗 ,  佐藤慎

IPC: H01L21/60 ,  B23K35/363 ,  C08L63/00 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/293 ,  B23K35/0222 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/0244 ,  B23K2101/40 ,  C08G59/38 ,  C08K5/09 ,  C08L63/00 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J163/04 ,  C09J201/00 ,  H01L21/563 ,  H01L23/3157 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/08225 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/05552

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，其为半导体芯片和布线电路基板各自的连接部相互电连接而成的半导体装置或多个半导体芯片各自的连接部相互电连接而成的半导体装置的制造方法，其中，所述制造方法具备将所述连接部的至少一部分用含有具有下述式(1)所示基团的化合物的半导体用粘接剂密封的工序。式中，R1表示供电子性基团。

公开(公告)号：CN103249559A

公开(公告)日：2013-08-14

申请号：CN201180055158.3

申请日：2011-11-16

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 榎本哲也 ,  永井朗 ,  宫泽笑 ,  本田一尊

IPC: B32B27/18 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/29 ,  B32B27/20 ,  B32B2264/105 ,  B32B2457/14 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299

Abstract: 一种半导体密封填充用膜状树脂组合物，其具有由含有热固性树脂和填料的第1树脂组合物构成的第1层以及由含有熔剂的第2树脂组合物构成的第2层，第2树脂组合物中的填料相对于第2树脂组合物总量的质量比率与第1树脂组合物中的填料相对于第1树脂组合物总量的质量比率相比更小。

公开(公告)号：CN103189464A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201180050254.9

申请日：2011-10-20

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  永井朗 ,  榎本哲也

IPC: C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J179/08 ,  C09J201/00 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L23/295 ,  C08K3/013 ,  C08K5/5425 ,  C08K9/04 ,  C08K9/06 ,  C09J163/00 ,  H01L2224/73204

Abstract: 本发明涉及一种粘接剂组合物，其在半导体芯片和配线电路基板的各连接部相互电连接的半导体装置，或多个半导体芯片的各连接部相互电连接的半导体装置中密封连接部，其含有环氧树脂、固化剂以及乙烯基系表面处理填料。

公开(公告)号：CN109075088A

公开(公告)日：2018-12-21

申请号：CN201780028064.4

申请日：2017-04-10

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 本田一尊 ,  茶花幸一 ,  佐藤慎 ,  永井朗

IPC: H01L21/60 ,  C09J4/02 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J201/00 ,  H01L21/56

Abstract: 本发明公开一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置为具备具有连接部的半导体芯片和具有连接部的配线电路基板、且各自的连接部相互电连接的半导体装置，或为具备具有连接部的多个半导体芯片且各自的连接部相互电连接的半导体装置。连接部由金属构成。上述方法具备：(a)第一工序，将半导体芯片和配线电路基板、或将半导体芯片彼此以中间隔着半导体用粘接剂的状态，在低于连接部的金属的熔点的温度下，按照各自的连接部相互接触的方式压接，获得临时连接体；(b)第二工序，使用密封用树脂将临时连接体的至少一部分密封，获得密封临时连接体；以及(c)第三工序，将密封临时连接体以大于或等于连接部的金属的熔点的温度加热，获得密封连接体。

公开(公告)号：CN102453340B

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201110051881.6

申请日：2011-03-02

Applicant: 日立化成株式会社

Inventor： 榎本哲也 ,  宫泽笑 ,  本田一尊 ,  永井朗 ,  大久保惠介

IPC: C08L101/00 ,  C08L63/00 ,  C08K13/02 ,  H01L23/29

CPC classification number: H01L23/295 ,  C08G59/42 ,  C08G59/621 ,  C08L63/00 ,  H01L21/563 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明为半导体密封填充用热固性树脂组合物以及半导体装置。本发明提供一种在高温下的连接可靠性优异、即即使在高温下也能够以充分的粘接力且良好的连接状态将半导体密封填充的半导体密封填充用热固性树脂组合物。本发明的半导体密封填充用热固性树脂组合物为，以热固性树脂、固化剂、助熔剂、平均粒径不同的至少2种以上的无机填料为必须成分，所述无机填料包含平均粒径为100nm以下的无机填料和平均粒径大于100nm的无机填料。