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公开(公告)号：CN102315256B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201010226299.4
申请日：2010-07-08
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种双极接面晶体管装置，其包括基极区、射极区与集极区。双极接面晶体管装置包括基底。深井区位于基底中。第一井区位于深井区中以作为基极区。第二井区位于深井区中以作为集极区。第二井区与第一井区之间形成一第一接面。第一掺杂区位于第一井区中以作为射极区。第一掺杂区与第一井区之间形成第二接面。第一掺杂区包括往第一方向延伸的第一部分，及往与第一方向不同的第二方向延伸的第二部分。第一部分与第二部分互相耦接。
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公开(公告)号：CN101154683B
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN200610142189.3
申请日：2006-09-29
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 一种晶体管结构，包括一基板、一第一阱区、一源极区及一反熔丝结构。第一阱区具有第一掺杂物并位于基板内。源极区位于第一阱区中，包括一轻掺杂源极区以及一重掺杂源极区，重掺杂源极区位于轻掺杂源极区内。重掺杂源极区的边缘与轻掺杂源极区的边缘基本上保持一距离。反熔丝结构设置于源极区上。
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公开(公告)号：CN102315256A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201010226299.4
申请日：2010-07-08
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 本发明提供一种双极接面晶体管装置，其包括基极区、射极区与集极区。双极接面晶体管装置包括基底。深井区位于基底中。第一井区位于深井区中以作为基极区。第二井区位于深井区中以作为集极区。第二井区与第一井区之间形成一第一接面。第一掺杂区位于第一井区中以作为射极区。第一掺杂区与第一井区之间形成第二接面。第一掺杂区包括往第一方向延伸的第一部分，及往与第一方向不同的第二方向延伸的第二部分。第一部分与第二部分互相耦接。
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公开(公告)号：CN102088024A
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200910253133.9
申请日：2009-12-04
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/8247
摘要： 一种半导体存储器装置包含第一杂质类型的基板、于基板中的不同于第一杂质类型的第二杂质类型的第一阱区域、于基板中的第一杂质类型的第二阱区域、于基板上延伸于第一与第二阱区域上方的图案化的第一介电层、于图案化的第一介电层上的图案化的第一栅极构造、于图案化的第一栅极构造上的图案化的第二介电层以及于图案化的第二介电层上的图案化的第二栅极构造。图案化的第一栅极构造可包含朝第一方向延伸的第一区段以及朝垂直于第一区段的第二方向延伸的第二区段，其中第一与第二区段彼此相交成相交图案。图案化的第二栅极构造可包含朝第一方向延伸于图案化的第一栅极构造上方的第一区段及朝第二方向延伸于图案化的第一栅极构造上方的第二区段的至少一者。
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公开(公告)号：CN101562183A
公开(公告)日：2009-10-21
申请号：CN200810172929.7
申请日：2008-10-24
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/06 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/6659 , H01L27/11558 , H01L29/1083 , H01L29/66825 , H01L29/7833 , H01L29/788
摘要： 本发明公开了一种具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法，以及一种具有一半导体衬底以及在该半导体衬底上具有一非易失存储装置的非易失存储集成电路。该装置具有一晶体管及一电容器在该半导体衬底上，以及一共享浮动栅极连接该晶体管及该电容器的该栅极区域。该晶体管具有至少一掺杂区域定义该源极及漏极区域，以及其它三个掺杂区域覆盖该源极及漏极区域。本发明也揭露具有多重此类非易失存储装置的一非易失存储电路，以及制造具有一者以上此类非易失存储装置的该非易失集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN102842577B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110170369.3
申请日：2011-06-20
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/822
摘要： 本发明公开了一种高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法。半导体装置包括半导体衬底、横向半导体二极管、场绝缘结构与多晶硅电阻。二极管形成在半导体衬底的表面区域中，且包含阴极电极与阳极电极。场绝缘结构配置阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻形成在场绝缘结构上，并介于阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻电性连接至阴极电极，并电性绝缘于阳极电极。
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公开(公告)号：CN101562183B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200810172929.7
申请日：2008-10-24
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/115 , H01L29/06 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/6659 , H01L27/11558 , H01L29/1083 , H01L29/66825 , H01L29/7833 , H01L29/788
摘要： 本发明公开了一种具有晶体管及电容的单栅极非易失存储单元及其制造方法，以及一种具有一半导体衬底以及在该半导体衬底上具有一非易失存储装置的非易失存储集成电路。该装置具有一晶体管及一电容器在该半导体衬底上，以及一共享浮动栅极连接该晶体管及该电容器的该栅极区域。该晶体管具有至少一掺杂区域定义该源极及漏极区域，以及其它三个掺杂区域覆盖该源极及漏极区域。本发明也揭露具有多重此类非易失存储装置的一非易失存储电路，以及制造具有一者以上此类非易失存储装置的该非易失集成电路的方法。
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公开(公告)号：CN100466236C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200310124284.7
申请日：2003-12-29
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 一种半导体元件的结构，其利用特殊的通孔图形，将金属间介电层(ILD)分隔为多个独立块，以使因引线键合所造成的裂痕受到限制，而降低裂痕产生的几率。且应用单一层本发明的通孔图形，特别是当此通孔越靠近上层引线键合的位置，即可有效地减少焊垫裂痕的产生。若是利用两层本发明的通孔图形，则可完全避免焊垫裂痕的产生。
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公开(公告)号：CN101320752A
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200710110648.4
申请日：2007-06-06
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7835
摘要： 一种低开启电阻的横向扩散金氧半导体元件。包括具有第一导电型的第一阱区、具有第二导电型的第二阱区、具有第一导电型漏极区、具有第一导电型源极区、场氧化层、栅介电层、栅极导电层以及具有第一导电型的掺杂区。第一阱区与第二阱区并邻位于基底中。漏极区位于第一阱区中。源极区位于第二阱区中。场氧化层，位于源极区与漏极区之间的第一阱区上。栅极导电层，位于源极区与漏极区之间的第二阱区上且覆盖部分场氧化层。栅介电层，位于栅极导电层与基底之间。掺杂区，位于部分栅极导电层与场氧化层下方的该第一阱区中且与该漏极区连接，其中，栅介电层下方的掺杂区与源极区之间的第二阱区定义出一沟道区。
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公开(公告)号：CN101154683A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200610142189.3
申请日：2006-09-29
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 一种晶体管结构，包括一基板、一第一阱区、一源极区及一反熔丝结构。第一阱区具有第一掺杂物并位于基板内。源极区位于第一阱区中，包括一轻掺杂源极区以及一重掺杂源极区，重掺杂源极区位于轻掺杂源极区内。重掺杂源极区的边缘与轻掺杂源极区的边缘基本上保持一距离。反熔丝结构设置于源极区上。
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