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公开(公告)号：CN103296067B
公开(公告)日：2016-02-24
申请号：CN201210043469.4
申请日：2012-02-24
申请人： 旺宏电子股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，该半导体结构包括第一掺杂区、第二掺杂区、掺杂条纹与顶掺杂区；第一掺杂区具有第一导电型；第二掺杂区形成于第一掺杂区中，并具有相对于第一导电型的第二导电型；掺杂条纹形成于第一掺杂区中，并具有第二导电型；顶掺杂区形成于掺杂条纹中，并具有第一导电型；顶掺杂区具有相对的第一侧边与第二侧边；掺杂条纹是延伸超过第一侧边或第二侧边。
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公开(公告)号：CN102446955B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN201110256622.7
申请日：2011-09-01
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/66681 , H01L27/0629 , H01L27/0922 , H01L29/0607 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/0878 , H01L29/0882 , H01L29/0886 , H01L29/1083 , H01L29/1087 , H01L29/402 , H01L29/404 , H01L29/42368 , H01L29/7816
摘要： 本发明公开了一种高电压金属氧化半导体装置与制造该装置的方法。高电压金属氧化半导体装置包括一源极、一漏极、一栅极、一漂移区域及一自我保护区域，栅极设置接近于源极，漂移区域实质上设置于漏极与栅极和源极的一区域之间，自我保护区域设置接近于漏极。本发明提供的高电压金属氧化半导体装置具有芯片面积效率最佳化的优点，可以用于特高压侧操作。
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公开(公告)号：CN102842577A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110170369.3
申请日：2011-06-20
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/822
摘要： 本发明公开了一种高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法。半导体装置包括半导体衬底、横向半导体二极管、场绝缘结构与多晶硅电阻。二极管形成在半导体衬底的表面区域中，且包含阴极电极与阳极电极。场绝缘结构配置阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻形成在场绝缘结构上，并介于阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻电性连接至阴极电极，并电性绝缘于阳极电极。
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公开(公告)号：CN102769028A
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201110115558.0
申请日：2011-05-03
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/423 , H01L21/28
摘要： 本发明公开了一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包括一第一掺杂阱、一第一掺杂电极、一第二掺杂电极、多个掺杂条纹与一掺杂顶区。掺杂条纹位于第一掺杂电极与第二掺杂电极之间的第一掺杂阱上。掺杂条纹互相分开。掺杂顶区位于掺杂条纹上，并延伸于掺杂条纹之间的第一掺杂阱上。第一掺杂阱与掺杂顶区具有一第一导电类型。掺杂条纹具有相反于第一导电类型的一第二导电类型。本发明各实施例的结构和方法能降低装置的开启阻抗，提升开启电流与效能。
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公开(公告)号：CN103943665B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310018592.5
申请日：2013-01-18
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/335
摘要： 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法与操作方法。半导体装置包括衬底、深阱、第一阱、第一掺杂电极区、第二掺杂电极区以及高截止电压通道区。衬底具有第一导电型。深阱位于衬底内，并具有与第一导电型相反的第二导电型。第一阱位于深阱内，并具有第一导电型或第二导电型至少其中之一。第一掺杂电极区具有第一导电型并位于第一阱内。第二掺杂电极区具有第二导电型，位于第一阱内且邻近第一掺杂电极区。高截止电压通道区由衬底的表面向下扩展且覆盖部份的第二掺杂电极区的表面，其覆盖第二掺杂电极区的比例越高，半导体装置的输出电流越大。
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公开(公告)号：CN102842577B
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：CN201110170369.3
申请日：2011-06-20
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/822
摘要： 本发明公开了一种高压电阻半导体装置与制造高压电阻半导体装置的方法。半导体装置包括半导体衬底、横向半导体二极管、场绝缘结构与多晶硅电阻。二极管形成在半导体衬底的表面区域中，且包含阴极电极与阳极电极。场绝缘结构配置阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻形成在场绝缘结构上，并介于阴极电极与阳极电极之间。多晶硅电阻电性连接至阴极电极，并电性绝缘于阳极电极。
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公开(公告)号：CN102738230B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110081712.7
申请日：2011-03-29
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种可改善电学性能的超高电压N型金属氧化物半导体(UHV NMOS)元件及其制造方法。UHV NMOS元件包括一P型衬底；一第一高压N型阱区域，设置于衬底的一部分；一源极和基体P型阱，设置于邻近第一高压N型阱区域的一侧，且源极和基体P型阱包括一源极和一基体；一栅极，自源极和基体P型阱延伸至第一高压N型阱区域的一部分；一漏极设置于第一高压N型阱的另一部分且与栅极相对应；一P型场限制层，设置于第一高压N型阱区域内，且P型场限制层位于漏极与源极和基体P型阱之间；以及一N型掺杂层，形成于P型场限制层上方。
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公开(公告)号：CN102738230A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110081712.7
申请日：2011-03-29
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
摘要： 本发明公开了一种可改善电学性能的超高电压N型金属氧化物半导体(UHV NMOS)元件及其制造方法。UHV NMOS元件包括一P型衬底；一第一高压N型阱区域，设置于衬底的一部分；一源极和基体P型阱，设置于邻近第一高压N型阱区域的一侧，且源极和基体P型阱包括一源极和一基体；一栅极，自源极和基体P型阱延伸至第一高压N型阱区域的一部分；一漏极设置于第一高压N型阱的另一部分且与栅极相对应；一P型场限制层，设置于第一高压N型阱区域内，且P型场限制层位于漏极与源极和基体P型阱之间；以及一N型掺杂层，形成于P型场限制层上方。
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公开(公告)号：CN104051292A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201310225006.4
申请日：2013-06-07
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L21/66 , H01L23/544
CPC分类号： H01L22/34 , H01L22/12 , H01L27/0203
摘要： 本发明公开了一种半导体装置、制作该半导体装置的方法及使用的掩模，该半导体装置包括至少一第二场区，包括一主晶粒阵列，每一晶粒具有一高度Y1以及一宽度X1，且该主晶粒阵列具有一高度Y3；该半导体装置更可包括至少一第一场区，包括具有一高度Y2及一宽度X2的一监视区，以及具有一高度Y2且包括一辅助晶粒阵列的一辅助晶粒区。各区的尺寸可互相成比例，使得X2＝n1×X1+adjustment1、Y2＝n3×Y1+adjustment3以及Y3＝n4×Y2+adjustment4，其中n1、n3、与n4为整数。
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公开(公告)号：CN103972286A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310044236.0
申请日：2013-02-04
申请人： 旺宏电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/739 , H01L29/861 , H01L21/336 , H01L21/331 , H01L21/329
CPC分类号： H01L29/7816 , H01L29/0619 , H01L29/66325 , H01L29/66681 , H01L29/7393
摘要： 本发明公开了一种具有P顶层与N能阶的半导体装置，包括：一P衬底；一高电压N阱，其设置于该P衬底中；一第一P阱，其形成于具有一第一P+掺杂区的该P衬底中；一第二P阱，其形成于具有一第二P+掺杂区的该HVNW中，其中该第二P+掺杂区邻近于一N+掺杂源极区；以及一分离的N能阶及P顶区，其设置于该HVNW中；其中该分离的N能阶及P顶区具有由散布于多个N能阶区段之间的多个P顶区段所定义的一或多层，N能阶及P顶层由序列且分离设置的N型及P型扩散区段所定义。本发明也提供制造此半导体装置的方法。
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