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公开(公告)号：CN118895431A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202411082594.5
申请日：2024-08-08
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及铝合金制备技术领域，涉及一种利用对掺法和电磁定向凝固制备Al‑Sc合金的方法，具体为在电磁场下铝钪体系中利用电磁搅拌结合定向凝固技术制备出高Sc含量且成分均匀无缺陷的Al‑Sc合金的方法。通过对Sc的添加量、凝固方式、感应电流和下拉速率等条件进行对比，揭示了电磁定向凝固技术在Al‑Sc合金制备过程中促进晶粒细化的机理，建立起相对完善的电磁晶粒细化技术理论模型，有效解决了传统对掺法金属Sc烧损、合金成分不均匀及电磁搅拌过程中产生缺陷等问题，使成分趋于更加均匀、可控的结果，成功熔炼出了几种不同Sc含量的高纯高Sc含量的Al‑Sc合金。
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公开(公告)号：CN118497532A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410573791.0
申请日：2024-05-10
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明涉及铝合金制备技术领域，具体涉及一种在电磁场下对近共晶铝硅合金进行晶粒细化的方法。本发明采取物理晶粒细化法，主要通过电磁搅拌、定向凝固、重熔三个方面的影响因素对铝硅合金进行晶粒细化的工艺，以获得致密度高和各种机械性能良好的高品质铝硅合金。同时，本发明建立起相对完善的晶粒细化制备高品质铝硅合金的关键参数，在使铝合金熔体成为满足工业化应用所需的高品质铝硅合金方面具有较为广阔的前景，丰富了对合金熔体进行晶粒细化的手段，具有一定的科学和现实意义。
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公开(公告)号：CN117852210A
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN202410010951.0
申请日：2024-01-04
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： G06F30/17 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/02
摘要： 本发明公开了一种基于辐射传热角系数的水冷屏参数确定方法，属于水冷屏设计技术领域。该方法包括确定当前单晶硅棒圆柱面对水冷屏内表面的角系数；根据单晶硅棒与水冷屏的结构参数对所述角系数进行校正，得到单晶硅棒对水冷屏的辐射传热角系数；根据所述辐射传热角系数确定水冷屏的参数。本发明可获得不同形状的水冷屏与单晶硅棒之间的辐射传热角系数，进而为水冷屏的选取和设计提供科学依据。
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公开(公告)号：CN118745511A
公开(公告)日：2024-10-08
申请号：CN202411121674.7
申请日：2024-08-15
申请人： 昆明理工大学
IPC分类号： C22B4/06 , C22C30/02 , C22C30/04 , C22C27/02 , C22B9/00 , C22B9/04 , C22B9/10 , C01B33/037 , B09B3/40
摘要： 本发明公开了一种通过补偿法利用光伏硅废料设计制备硅基高熵合金的方法，具体包括以下步骤：（1）将硅片切割浆液进行预处理；（2）高温精炼，随炉冷却；（3）破碎，并与溶剂金属进行熔料，待金属完全熔化后进行定向凝固，随炉冷却；（4）沿硅富集区与硅基合金的分界面切割分离，得到硅富集区；（5）按照硅基高熵合金的组分配比，配制目标金属材料；（6）将硅富集区与目标金属材料进行熔炼，静置保温，浇注到模具中，随炉冷却，即得。本发明利用“补偿法”设计制备硅基高熵合金的新思路能够缩短除杂流程，并通过合理的成分调配和组织控制，实现优质高熵合金材料的制备。
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公开(公告)号：CN118241055A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202410317298.2
申请日：2024-03-20
申请人： 昆明理工大学
摘要： 本发明公开了一种从含多种金属元素的稀土原材料中提取高纯Sc2O3的方法，属于湿法冶炼及稀土元素的提纯技术领域。本发明通过硫酸浸出、铁粉还原、萃取、洗涤、反萃与沉淀和再沉淀与煅烧等流程，进行Sc2O3的提纯，利用伯胺N1923萃取剂的高选择性，有效去除杂质，通过Sc(OH)3沉淀和草酸钪再沉淀后煅烧得到杂质含量极少的高纯度Sc2O3。本发明采取氢氧化物‑草酸两步沉淀法，极大地提高了Sc2O3的纯度，沉淀煅烧后的Sc2O3的纯度可达99.54‑99.96％，本发明进行铁粉还原、萃取‑反萃取等流程，有效去除了大部分杂质金属，如铁、锰、钙、铝、镁等金属的去除率高达96％‑99％。
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