一种异质结太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN112701194A

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:CN202011595645.6

    申请日:2020-12-29

    摘要: 本发明公开了一种异质结太阳能电池,包括:硅层衬底,依次设置在所述硅层衬底正面的第一本征非晶硅层、第一非晶硅膜层、第一导电膜层和第一金属电极;以及依次设置在所述硅层衬底背面的第二本征非晶硅层、第二非晶硅膜层、第二导电膜层和第二金属电极;其中,所述第一导电膜层与第二导电膜层工艺采用不同的氧氩比。本发明制备工艺在原有工艺的基础上,对正面和背面的导电膜层采用不同的镀膜工艺,通过本发明制备工艺制备出的太阳能电池,既不影响其余性能,同时可将电池正面膜层的载流子迁移率提升,从而提升电池片的短路电流,将电池背面膜层的方块电阻降低,从而获得高的填充因子,从而带来效率的提升,具有深远的市场发展前景。

    一种异质结太阳能电池的制备方法

    公开(公告)号:CN112701194B

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202011595645.6

    申请日:2020-12-29

    摘要: 本发明公开了一种异质结太阳能电池,包括:硅层衬底,依次设置在所述硅层衬底正面的第一本征非晶硅层、第一非晶硅膜层、第一导电膜层和第一金属电极;以及依次设置在所述硅层衬底背面的第二本征非晶硅层、第二非晶硅膜层、第二导电膜层和第二金属电极;其中,所述第一导电膜层与第二导电膜层工艺采用不同的氧氩比。本发明制备工艺在原有工艺的基础上,对正面和背面的导电膜层采用不同的镀膜工艺,通过本发明制备工艺制备出的太阳能电池,既不影响其余性能,同时可将电池正面膜层的载流子迁移率提升,从而提升电池片的短路电流,将电池背面膜层的方块电阻降低,从而获得高的填充因子,从而带来效率的提升,具有深远的市场发展前景。

    一种优化型异质结太阳能电池及其制备方法

    公开(公告)号:CN112713200A

    公开(公告)日:2021-04-27

    申请号:CN202011587193.7

    申请日:2020-12-29

    摘要: 本发明公开了一种优化型异质结太阳能电池,包括:硅层衬底,依次设置在所述硅层衬底正面的第一本征非晶硅层、第一非晶硅膜层、第一导电膜层和第一金属电极;以及依次设置在所述硅层衬底背面的第二本征非晶硅层、第二非晶硅膜层、第二导电膜层和第二金属电极;其中,所述第二导电膜层的厚度比所述第一导电膜层的厚度厚10±3nm。本发明提供了一种优化型异质结太阳能电池及其制备方法,本发明制备工艺在原有工艺的基础上,对正面和背面的导电膜层采用不同的薄膜厚度,通过本发明制备工艺制备出的太阳能电池,既不影响其余性能,同时将电池背面膜层的方块电阻继续降低,从而获得高的填充因子,带来效率的提升,具有深远的市场发展前景。