半导体单元
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN106486545A

    公开(公告)日:2017-03-08

    申请号:CN201610741316.5

    申请日:2016-08-26

    发明人: 冯天璟 张宗正

    IPC分类号: H01L29/778

    摘要: 本发明公开一种半导体单元,包含基板;位于基板上方的缓冲结构;通道层,具有第一带隙,且位缓冲结构上方,包含第一部分及第一凸起部,其中第一凸出部位于第一部分之上,且具有第一顶面和连接第一顶面的第一倾斜侧面;阻障层,具有第二带隙大于第一带隙,且位于通道层上方,包含第二部分以及第二凸起部,其中第二部分位于第一部分之上,第二凸起部覆盖第一凸起部的第一顶面,且具有第二顶面和连接第二顶面的第二倾斜侧面,第二倾斜侧面平行于第一倾斜侧面;第一电极,位于第二凸起部上方;以及第二电极,位于阻障层的第二部分上方,且与第一电极相互分隔。