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公开(公告)号：CN113725296A
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN202110912320.4
申请日：2018-02-05
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/15 , H01L29/872
摘要： 本发明公开一种氮化物半导体外延叠层结构及其功率元件，该氮化物半导体外延叠层结构包含一硅基板；一含铝成核层，配置于前述硅基板上；一缓冲结构，配置于前述含铝成核层上，依序包含：一第一超晶格外延结构；一第一氮化镓系厚层，配置于前述第一超晶格外延结构上；一第二超晶格外延结构，配置于前述第一氮化镓系厚层上；及一第二氮化镓系厚层，配置于前述第二超晶格外延结构上；一通道层，配置于前述缓冲结构上；一阻挡层，配置于前述通道层上；及一二维电子气层，位于邻近前述通道层与前述阻挡层间的一界面；其中，该第一氮化镓系厚层及该第二氮化镓系厚层的总厚度大于两微米。
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公开(公告)号：CN109585542A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811137574.8
申请日：2018-09-28
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/205 , H01L29/207
CPC分类号： H01L29/78 , B82Y99/00 , H01L21/02458 , H01L21/02505 , H01L21/0254 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/7783 , H01L29/7786 , H01L29/205
摘要： 本发明公开一种半导体功率元件，其包含︰一基板；一位于基板上的缓冲结构；一位于缓冲结构上的背阻挡结构；一位于背阻挡结构上的通道层；以及一位于通道层上的阻挡层；其中背阻挡结构包含一第一功能层、一第一背阻挡层以及一中间层，第一功能层位于缓冲结构上，第一背阻挡层位于第一功能层上，以及中间层位于第一背阻挡层以及第一功能层之间；其中第一背阻挡层的材料包含Alx1Ga1-x1N，第一功能层的材料包含Alx2Ga1-x2N，0
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公开(公告)号：CN113725296B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202110912320.4
申请日：2018-02-05
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/15 , H01L29/872
摘要： 本发明公开一种氮化物半导体外延叠层结构及其功率元件，该氮化物半导体外延叠层结构包含一硅基板；一含铝成核层，配置于前述硅基板上；一缓冲结构，配置于前述含铝成核层上，依序包含：一第一超晶格外延结构；一第一氮化镓系厚层，配置于前述第一超晶格外延结构上；一第二超晶格外延结构，配置于前述第一氮化镓系厚层上；及一第二氮化镓系厚层，配置于前述第二超晶格外延结构上；一通道层，配置于前述缓冲结构上；一阻挡层，配置于前述通道层上；及一二维电子气层，位于邻近前述通道层与前述阻挡层间的一界面；其中，该第一氮化镓系厚层及该第二氮化镓系厚层的总厚度大于两微米。
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公开(公告)号：CN109585542B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201811137574.8
申请日：2018-09-28
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/205 , H01L29/207
摘要： 本发明公开一种半导体功率元件，其包含︰一基板；一位于基板上的缓冲结构；一位于缓冲结构上的背阻挡结构；一位于背阻挡结构上的通道层；以及一位于通道层上的阻挡层；其中背阻挡结构包含一第一功能层、一第一背阻挡层以及一中间层，第一功能层位于缓冲结构上，第一背阻挡层位于第一功能层上，以及中间层位于第一背阻挡层以及第一功能层之间；其中第一背阻挡层的材料包含Alx1Ga1‑x1N，第一功能层的材料包含Alx2Ga1‑x2N，0
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公开(公告)号：CN106486545A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610741316.5
申请日：2016-08-26
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L29/778
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L29/045 , H01L29/0657 , H01L29/1029 , H01L29/1037 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/42356 , H01L29/872 , H01L29/7787
摘要： 本发明公开一种半导体单元，包含基板；位于基板上方的缓冲结构；通道层，具有第一带隙，且位缓冲结构上方，包含第一部分及第一凸起部，其中第一凸出部位于第一部分之上，且具有第一顶面和连接第一顶面的第一倾斜侧面；阻障层，具有第二带隙大于第一带隙，且位于通道层上方，包含第二部分以及第二凸起部，其中第二部分位于第一部分之上，第二凸起部覆盖第一凸起部的第一顶面，且具有第二顶面和连接第二顶面的第二倾斜侧面，第二倾斜侧面平行于第一倾斜侧面；第一电极，位于第二凸起部上方；以及第二电极，位于阻障层的第二部分上方，且与第一电极相互分隔。
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公开(公告)号：CN108461591B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201810110148.9
申请日：2018-02-05
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种氮化物半导体外延叠层结构及其功率元件，该氮化物半导体外延叠层结构包含一硅基板；一含铝成核层，配置于前述硅基板上；一缓冲结构，配置于前述含铝成核层上，依序包含：一第一超晶格外延结构；一第一氮化镓系厚层，配置于前述第一超晶格外延结构上；一第二超晶格外延结构，配置于前述第一氮化镓系厚层上；及一第二氮化镓系厚层，配置于前述第二超晶格外延结构上；一通道层，配置于前述缓冲结构上；一阻挡层，配置于前述通道层上；及一二维电子气层，位于邻近前述通道层与前述阻挡层间的一界面；其中，该第一氮化镓系厚层及该第二氮化镓系厚层的总厚度大于两微米。
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公开(公告)号：CN110660850A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910565684.2
申请日：2019-06-27
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
摘要： 本发明公开一种高电子移动率晶体管及其制造方法，其中该高电子移动率晶体管包含一基板；一通道层，形成于基板上；一阻障层，形成于通道层上，其中一二维电子气形成在通道层的邻近阻障层的一侧；一源极电极及一漏极电极，形成于阻障层上；一耗尽层，形成于阻障层上，且位于源极电极与漏极电极之间，耗尽层的材料包含氮化硼或氧化锌；以及一栅极电极，形成于耗尽层上。
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公开(公告)号：CN108461591A
公开(公告)日：2018-08-28
申请号：CN201810110148.9
申请日：2018-02-05
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种氮化物半导体外延叠层结构及其功率元件，该氮化物半导体外延叠层结构包含一硅基板；一含铝成核层，配置于前述硅基板上；一缓冲结构，配置于前述含铝成核层上，依序包含：一第一超晶格堆叠结构、一第一氮化镓系厚层，配置于前述第一超晶格堆叠结构上、一第二超晶格堆叠结构，配置于前述第一氮化镓系厚层上、及一第二氮化镓系厚层，配置于前述第二超晶格堆叠结构上；一通道层，配置于前述缓冲结构上；一阻挡层，配置于前述通道层上；及一二维电子气层，位于邻近前述通道层与前述阻挡层间的一界面；其中，该第一氮化镓硅厚层及该第二氮化镓硅厚层的总厚度大于两微米。
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