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公开(公告)号：CN105220121B
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201510706333.0
申请日：2015-10-27
申请人： 有研亿金新材料有限公司
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明属于靶材制备技术领域,具体涉及种靶材组件及其制备方法。所述靶材组件由背板、靶材和垫板组成,制备方法为:在靶材与垫板的组合体上直接冷喷涂背板材质的粉末,以同步实现背板制备及背板与靶材的焊接复合;最后,机加工出成品靶材组件。该制备方法工艺简单,复合后的靶材组件整体变形小、无开裂,背板密度可达到99.5%以上,背板与靶材焊合率99%以上,焊接强度50Mpa以上。
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公开(公告)号：CN105132873B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201510568296.1
申请日：2015-09-08
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 一种金锗合金溅射靶材及其制备方法，该方法包括如下步骤：1.以金、锗金属为原料，利用真空感应熔炼和真空铸造获得共晶或亚共晶成分的金锗合金铸锭；其中，合金铸锭中锗含量为2wt.％～12.5wt.％，余量为金；2.利用加热炉对步骤1获得的合金铸锭进行均匀化热处理；均匀化热处理温度为270～340℃，时间为50～65min；3.利用塑性加工设备将铸锭沿厚度方向进行热塑性加工；4.每完成1～2道次加工将坯料于加热炉进行回火热处理，温度为270～340℃，时间为10～30min；5.重复3、4步骤，直到所需的靶坯尺寸。通过此种方法获得的金锗合金溅射靶材成分均匀，显微组织主要由Au的固熔体和弥散分布的块状Ge相组成。
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公开(公告)号：CN105220121A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510706333.0
申请日：2015-10-27
申请人： 有研亿金新材料有限公司
IPC分类号： C23C14/35
摘要： 本发明属于靶材制备技术领域，具体涉及一种靶材组件及其制备方法。所述靶材组件由背板、靶材和垫板组成，制备方法为：在靶材与垫板的组合体上直接冷喷涂背板材质的粉末，以同步实现背板制备及背板与靶材的焊接复合；最后，机加工出成品靶材组件。该制备方法工艺简单，复合后的靶材组件整体变形小、无开裂，背板密度可达到99.5％以上，背板与靶材焊合率99％以上，焊接强度50Mpa以上。
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公开(公告)号：CN105132873A
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：CN201510568296.1
申请日：2015-09-08
申请人： 有研亿金新材料有限公司
摘要： 一种金锗合金溅射靶材及其制备方法，该方法包括如下步骤：1.以金、锗金属为原料，利用真空感应熔炼和真空铸造获得共晶或亚共晶成分的金锗合金铸锭；其中，合金铸锭中锗含量为2wt.％～12.5wt.％，余量为金；2.利用加热炉对步骤1获得的合金铸锭进行均匀化热处理；均匀化热处理温度为270～340℃，时间为50～65min；3.利用塑性加工设备将铸锭沿厚度方向进行热塑性加工；4.每完成1～2道次加工将坯料于加热炉进行回火热处理，温度为270～340℃，时间为10～30min；5.重复3、4步骤，直到所需的靶坯尺寸。通过此种方法获得的金锗合金溅射靶材成分均匀，显微组织主要由Au的固熔体和弥散分布的块状Ge相组成。
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公开(公告)号：CN105506557A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201510958458.2
申请日：2015-12-18
申请人： 有研亿金新材料有限公司
IPC分类号： C23C14/24 , B22D11/116
CPC分类号： C23C14/24 , B22D11/116
摘要： 一种高纯贵金属蒸发材料及其制备方法，该方法包括如下步骤：(1)以高纯贵金属为原材料，利用真空感应熔炼进行精炼，除去气体和杂质；其中，原材料纯度为99.99wt.％以上；(2)然后采用连续铸造，从坩埚底部以间歇式将结晶器中结晶的熔体引出，即可获得一定尺寸的高纯贵金属蒸发材料，所获得的丝材直径为多种规格，可以是φ3～12mm，若对长度有要求，可根据使用要求进行切断。采用本发明方法制备高纯贵金属蒸发材料，具有高效率、短流程、低损耗、低能耗、高精准化等优点，制备的高纯贵金属蒸发材料，杂质元素得到充分去除，纯度满足99.99.wt％以上的高纯金属标准要求，满足电子信息产业对制备高质量薄膜的性能要求。
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公开(公告)号：CN105296945B
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201510780143.3
申请日：2015-11-13
申请人： 有研亿金新材料有限公司
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明公开了属于溅射靶材制备技术领域的一种铝合金溅射靶材及其制备方法。本发明所述的铝合金溅射靶材由Al、Cu和难熔金属组成，原材料为高纯原材料。所述铝合金溅射靶材通过熔炼、热机械化处理及成型加工等工艺制备而成。本发明制备的铝合金溅射靶材的纯度在99.995％以上，晶粒细小均匀，晶粒尺寸控制在200μm以内，综合性能优异，可用于高可靠性高稳定性铝薄膜的制备。
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公开(公告)号：CN105296945A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510780143.3
申请日：2015-11-13
申请人： 有研亿金新材料有限公司
IPC分类号： C23C14/34
摘要： 本发明公开了属于溅射靶材制备技术领域的一种铝合金溅射靶材及其制备方法。本发明所述的铝合金溅射靶材由Al、Cu和难熔金属组成，原材料为高纯原材料。所述铝合金溅射靶材通过熔炼、热机械化处理及成型加工等工艺制备而成。本发明制备的铝合金溅射靶材的纯度在99.995％以上，晶粒细小均匀，晶粒尺寸控制在200μm以内，综合性能优异，可用于高可靠性高稳定性铝薄膜的制备。
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