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公开(公告)号：CN118077041A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202280067804.6
申请日：2022-09-22
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/56 , C23C16/52 , C23C16/505
摘要： 本文的各种实施方案涉及用于选择性控制多站处理室的部件所用的装置、系统及方法。在一些实施方案中，方法包括：针对多个站中的一站确定待执行的沉积循环数量；通过使与第一站相关联的第一多个控制部件及与第二站相关联的第二多个控制部件被设置成第一位置，从而针对多个站中的每个站执行第一数量沉积循环；以及响应于第一数量沉积循环已完成：使第一多个控制部件中的至少一个部件被改变至第二位置；通过使第二多个控制部件保持在第一位置，从而使第二站执行额外沉积循环。
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公开(公告)号：CN114868234A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202080089290.5
申请日：2020-10-29
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 道格拉斯·沃尔特·阿格纽 , 约瑟夫·R·阿贝尔 , 伊莱·钱
IPC分类号： H01L21/3105 , H01L21/02 , C23C16/40 , C23C16/56
摘要： 本发明描述了用于将材料沉积成高深宽比特征的方法和装置。方法涉及使用含氢氧化化学品沉积氧化物材料。方法还可以涉及在氢气存在下对所沉积的氧化物材料进行热处理以去除所沉积的氧化物材料内的接缝。
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公开(公告)号：CN115836385A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202280005001.8
申请日：2022-04-28
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 伊莱·钱 , 迈克尔·菲利普·罗伯茨 , 道格拉斯·沃尔特·阿格纽 , 丹尼尔·博特赖特 , 阿伦·阿南丹杜莱萨米 , 约瑟夫·R·阿贝尔 , 威廉·劳伦斯·麦克丹尼尔
IPC分类号： H01L21/67 , C23C16/455
摘要： 本公开涉及一种用于半导体处理的系统。所述系统包括半导体处理室，所述半导体处理室具有多个处理站、多个歧管干线、多个阀和多个流体歧管。每个歧管干线包括出口、公共流路、多个干线入口、多个孔口和多个阀接口。
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公开(公告)号：CN118715592A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202380022045.6
申请日：2023-02-14
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 伊莱·钱 , 道格拉斯·沃尔特·阿格纽 , 希瓦·沙兰·班达里 , 伊恩·约翰·科廷 , 约瑟夫·R·阿贝尔 , 詹森·亚历山大·瓦内尔 , 科迪·巴奈特 , 克里斯多夫·尼古拉斯·亚丹萨 , 达斯汀·扎卡里·奥斯丁
IPC分类号： H01L21/02 , C23C16/02 , C23C16/40 , C23C16/455
摘要： 利用电介质材料填充间隙的方法，其包括在沉积期间使用抑制等离子体。该抑制等离子体提高已沉积膜的成核屏障。该抑制等离子体在特征的顶部附近选择性地产生相互作用，以相比于特征的底部而抑制特征的顶部处的沉积，强化自下而上的填充。处理室可以具有多个压强开关，从而能够在沉积过后利用比沉积期间更高的压强进行处理。
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公开(公告)号：CN112567069B
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN201980054132.3
申请日：2019-08-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455 , C23C14/22 , H01L21/67
摘要： 一种用于处理室的气体输送系统包括用于输送第一化学品的第一通道和用于输送第二化学品的第二通道。第一通道包括第一出口阀，而第二通道包括第二出口阀。涓流气体源连接到第一和第二通道。第一接头耦合到第一出口阀，而第二接头连接到第二出口阀。公共导管连接在第一接头和第二接头之间。第一接头包括用于从推压气体源提供推压气体的输入端，而第二接头包括通向处理室的输出端。在操作期间，每次第一通道或第二通道中的一个处于运行状态。来自涓流气体源的涓流气体流入第一或第二通道中的运行通道和非运行通道。来自推入气体源的推压惰性气体流入第一接头，流过公共导管并从第二接头流出到达处理室。
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公开(公告)号：CN116057667A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180057983.0
申请日：2021-06-01
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 阿维尼什·古普塔 , 伊恩·约翰·科廷 , 道格拉斯·沃尔特·阿格纽 , 弗兰克·洛伦·帕斯夸里 , 伊莱·钱 , 阿德里安·拉沃伊
IPC分类号： H01L21/02
摘要： 本发明的多种实施方案涉及使用热ALD或热CVD沉积硅氧化物的方法与装置。在所公开的实施方案的一方面，提供了一种沉积硅氧化物的方法，所述方法包含：(a)在反应室中接收衬底；(b)将第一反应物的第一流导入到所述反应室中，并且将所述衬底暴露于所述第一反应物，其中所述第一反应物包含含硅反应物；(c)将第二反应物的第二流导入到所述反应室中，以引起所述第一反应物与所述第二反应物之间的反应，(i)其中所述第二反应物包含氢(H2)和含氧反应物，(ii)其中所述反应使硅氧化物沉积在所述衬底上，且(iii)其中当所述反应室内的压强大于10托并且等于或小于约40托时，引发所述反应。
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公开(公告)号：CN112567069A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201980054132.3
申请日：2019-08-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/448 , C23C16/455 , C23C14/22 , H01L21/67
摘要： 一种用于处理室的气体输送系统包括用于输送第一化学品的第一通道和用于输送第二化学品的第二通道。第一通道包括第一出口阀，而第二通道包括第二出口阀。涓流气体源连接到第一和第二通道。第一接头耦合到第一出口阀，而第二接头连接到第二出口阀。公共导管连接在第一接头和第二接头之间。第一接头包括用于从推压气体源提供推压气体的输入端，而第二接头包括通向处理室的输出端。在操作期间，每次第一通道或第二通道中的一个处于运行状态。来自涓流气体源的涓流气体流入第一或第二通道中的运行通道和非运行通道。来自推入气体源的推压惰性气体流入第一接头，流过公共导管并从第二接头流出到达处理室。
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