公开(公告)号：CN115135801A

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202180016256.X

申请日：2021-02-23

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 阿南达·K·巴纳基 ,  乔恩·亨利 ,  卡普·斯里什·雷迪 ,  克里斯多夫·尼古拉斯·亚丹萨

IPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/505 ,  H01L21/02

摘要： 本发明的各种实施方案涉及用于在衬底上沉积硼基陶瓷膜的方法、装置和系统。有利地，本文所述的硼基陶瓷膜可以在相对低的温度(例如，约600℃或更低)下形成，同时仍然获得表现出良好机械强度(例如，高硬度和杨氏模量)、良好的蚀刻选择性、非晶形态等的非常高质量的材料。这里的膜还具有低氢含量、低氧含量和低卤化物含量。在许多情况下，可以通过卤化硼和饱和或不饱和烃在等离子体存在下的反应形成膜。

公开(公告)号：CN118382909A

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202280082065.8

申请日：2022-10-07

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 布兰得利·泰勒·施特伦 ,  亚伦·德宾 ,  亚伦·布莱克·米勒 ,  雷切尔·E·巴策尔 ,  克里斯多夫·尼古拉斯·亚丹萨

IPC分类号： H01J37/32

摘要： 本文所公开的为用于促进涉及使用含氯和含氨气体的半导体处理操作的系统和装置。本文所讨论的系统和装置可提供增强的晶片均匀性和/或可减少在如此系统中不期望且潜在具有危险性的反应副产物堆积的可能性。

公开(公告)号：CN118715592A

公开(公告)日：2024-09-27

申请号：CN202380022045.6

申请日：2023-02-14

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 伊莱·钱 ,  道格拉斯·沃尔特·阿格纽 ,  希瓦·沙兰·班达里 ,  伊恩·约翰·科廷 ,  约瑟夫·R·阿贝尔 ,  詹森·亚历山大·瓦内尔 ,  科迪·巴奈特 ,  克里斯多夫·尼古拉斯·亚丹萨 ,  达斯汀·扎卡里·奥斯丁

IPC分类号： H01L21/02 ,  C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455

摘要： 利用电介质材料填充间隙的方法，其包括在沉积期间使用抑制等离子体。该抑制等离子体提高已沉积膜的成核屏障。该抑制等离子体在特征的顶部附近选择性地产生相互作用，以相比于特征的底部而抑制特征的顶部处的沉积，强化自下而上的填充。处理室可以具有多个压强开关，从而能够在沉积过后利用比沉积期间更高的压强进行处理。