公开(公告)号：CN108091592A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711022418.2

申请日：2017-10-27

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 帕特里克·布赖林格 ,  拉梅什·钱德拉斯哈兰 ,  卡尔·利瑟 ,  保罗·孔科拉 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  尚卡·斯瓦米纳坦 ,  伊斯达克·卡里姆 ,  崎山幸则 ,  艾德蒙·明歇尔 ,  金宋杰 ,  安德鲁·杜瓦尔 ,  弗兰克·帕斯夸里

IPC分类号： H01L21/67

CPC分类号： H01L21/68785 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32715 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/68757 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67207

摘要： 本发明提供了平坦衬底边缘与开放体积接触的平衡途径和侧封，具体提供了用于衬底处理系统的基座，其包括具有面向衬底的表面的基座主体。环形带布置在面向衬底的表面上，该表面构造成支撑衬底的径向外边缘。腔被限定在基座主体的面向衬底的表面中并且位于环形带的径向内侧。腔在衬底的底表面和基座主体的面向衬底的表面之间产生体积。多个排气孔通过基座主体并且与腔流体连通，以在处理期间使衬底的相对面上的压力平衡。

公开(公告)号：CN117038508A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310975492.5

申请日：2017-10-27

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 帕特里克·布赖林格 ,  拉梅什·钱德拉斯哈兰 ,  卡尔·利瑟 ,  保罗·孔科拉 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  尚卡·斯瓦米纳坦 ,  伊斯达克·卡里姆 ,  崎山幸则 ,  艾德蒙·明歇尔 ,  金宋杰 ,  安德鲁·杜瓦尔 ,  弗兰克·帕斯夸里

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687

摘要： 本发明提供了平坦衬底边缘与开放体积接触的平衡途径和侧封，具体提供了用于衬底处理系统的基座，其包括具有面向衬底的表面的基座主体。环形带布置在面向衬底的表面上，该表面构造成支撑衬底的径向外边缘。腔被限定在基座主体的面向衬底的表面中并且位于环形带的径向内侧。腔在衬底的底表面和基座主体的面向衬底的表面之间产生体积。多个排气孔通过基座主体并且与腔流体连通，以在处理期间使衬底的相对面上的压力平衡。

公开(公告)号：CN110060941A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201811210262.5

申请日：2015-12-21

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  安德鲁·杜瓦尔 ,  瑞安·布拉基埃 ,  尚卡·斯瓦米纳森

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

摘要： 本发明涉及减少在晶片边缘的背面沉积，提供了一种用于在晶片上沉积膜的处理室，其包括基座，所述基座具有中央顶表面，所述中央顶表面具有被配置成将所述晶片支撑在所述中央顶表面上面的支撑水平的多个晶片支撑件，处于所述中央顶表面下的台阶处的环形表面；承载环，所述承载环配置成由承载环支撑件支撑，使得所述承载环的底部表面是在所述环形表面上方的第一垂直间隔处，所述承载环具有相对于顶部表面被定义的台阶下表面；其中，当所述承载环坐落在所述承载环支撑件上时，然后所述承载环的所述台阶下表面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的第二垂直间隔处。

公开(公告)号：CN108091592B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN201711022418.2

申请日：2017-10-27

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 帕特里克·布赖林格 ,  拉梅什·钱德拉斯哈兰 ,  卡尔·利瑟 ,  保罗·孔科拉 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  尚卡·斯瓦米纳坦 ,  伊斯达克·卡里姆 ,  崎山幸则 ,  艾德蒙·明歇尔 ,  金宋杰 ,  安德鲁·杜瓦尔 ,  弗兰克·帕斯夸里

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明提供了平坦衬底边缘与开放体积接触的平衡途径和侧封，具体提供了用于衬底处理系统的基座，其包括具有面向衬底的表面的基座主体。环形带布置在面向衬底的表面上，该表面构造成支撑衬底的径向外边缘。腔被限定在基座主体的面向衬底的表面中并且位于环形带的径向内侧。腔在衬底的底表面和基座主体的面向衬底的表面之间产生体积。多个排气孔通过基座主体并且与腔流体连通，以在处理期间使衬底的相对面上的压力平衡。

公开(公告)号：CN110060941B

公开(公告)日：2023-08-08

申请号：CN201811210262.5

申请日：2015-12-21

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  安德鲁·杜瓦尔 ,  瑞安·布拉基埃 ,  尚卡·斯瓦米纳森

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

摘要： 本发明涉及减少在晶片边缘的背面沉积，提供了一种用于在晶片上沉积膜的处理室，其包括基座，所述基座具有中央顶表面，所述中央顶表面具有被配置成将所述晶片支撑在所述中央顶表面上面的支撑水平的多个晶片支撑件，处于所述中央顶表面下的台阶处的环形表面；承载环，所述承载环配置成由承载环支撑件支撑，使得所述承载环的底部表面是在所述环形表面上方的第一垂直间隔处，所述承载环具有相对于顶部表面被定义的台阶下表面；其中，当所述承载环坐落在所述承载环支撑件上时，然后所述承载环的所述台阶下表面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的第二垂直间隔处。

公开(公告)号：CN105428194A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510573406.3

申请日：2015-09-10

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 康胡 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  尚卡·斯瓦米纳坦 ,  钱俊 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  弗兰克·帕斯夸里 ,  安德鲁·杜瓦尔 ,  特德·明肖尔 ,  詹尼弗·彼得拉利亚 ,  卡尔·利瑟 ,  大卫·史密斯 ,  塞沙·瓦拉达拉简 ,  爱德华·奥古斯蒂尼克 ,  道格拉斯·凯尔

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/3244 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32623

摘要： 本发明涉及抑制寄生等离子体和减少晶片内非均匀性的系统和方法。用于在衬底上沉积膜的衬底处理系统包括限定了反应体积的工艺室。喷头包括一端邻近工艺室的上表面连接的杆部。基部被连接到杆部的另一端，并从杆部径向向外延伸。喷头被配置为将工艺气体和清扫气体中的至少一种引入到反应体积中。等离子体发生器被配置为在反应体积内有选择地生成RF等离子体。边缘调整系统包括环和位于在环和喷头的上表面之间的杆部周围的寄生等离子体减少元件。寄生等离子体减少元件被配置为减少在喷头和工艺室的上表面之间的寄生等离子体。

公开(公告)号：CN105719989B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201510968227.X

申请日：2015-12-21

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  安德鲁·杜瓦尔 ,  瑞安·布拉基埃 ,  尚卡·斯瓦米纳森

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC分类号： C23C16/4585 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68785

摘要： 本发明涉及减少在晶片边缘的背面沉积，提供了一种用于在晶片上沉积膜的处理室，其包括基座，所述基座具有中央顶表面，所述中央顶表面具有被配置成将所述晶片支撑在所述中央顶表面上面的支撑水平的多个晶片支撑件，处于所述中央顶表面下的台阶处的环形表面；承载环，所述承载环配置成由承载环支撑件支撑，使得所述承载环的底部表面是在所述环形表面上方的第一垂直间隔处，所述承载环具有相对于顶部表面被定义的台阶下表面；其中，当所述承载环坐落在所述承载环支撑件上时，然后所述承载环的所述台阶下表面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的第二垂直间隔处。

公开(公告)号：CN105428194B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201510573406.3

申请日：2015-09-10

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 康胡 ,  阿德里安·拉瓦伊 ,  尚卡·斯瓦米纳坦 ,  钱俊 ,  克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  弗兰克·帕斯夸里 ,  安德鲁·杜瓦尔 ,  特德·明肖尔 ,  詹尼弗·彼得拉利亚 ,  卡尔·利瑟 ,  大卫·史密斯 ,  塞沙·瓦拉达拉简 ,  爱德华·奥古斯蒂尼克 ,  道格拉斯·凯尔

IPC分类号： H01J37/32

CPC分类号： H01J37/3244 ,  C23C16/345 ,  C23C16/402 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/505 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32623

摘要： 本发明涉及抑制寄生等离子体和减少晶片内非均匀性的系统和方法。用于在衬底上沉积膜的衬底处理系统包括限定了反应体积的工艺室。喷头包括一端邻近工艺室的上表面连接的杆部。基部被连接到杆部的另一端，并从杆部径向向外延伸。喷头被配置为将工艺气体和清扫气体中的至少一种引入到反应体积中。等离子体发生器被配置为在反应体积内有选择地生成RF等离子体。边缘调整系统包括环和位于在环和喷头的上表面之间的杆部周围的寄生等离子体减少元件。寄生等离子体减少元件被配置为减少在喷头和工艺室的上表面之间的寄生等离子体。

公开(公告)号：CN105719989A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201510968227.X

申请日：2015-12-21

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  安德鲁·杜瓦尔 ,  瑞安·布拉基埃 ,  尚卡·斯瓦米纳森

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/455 ,  C23C16/458

CPC分类号： C23C16/4585 ,  H01J37/32623 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68785 ,  H01L21/6719 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/4581

摘要： 本发明涉及减少在晶片边缘的背面沉积，提供了一种用于在晶片上沉积膜的处理室，其包括基座，所述基座具有中央顶表面，所述中央顶表面具有被配置成将所述晶片支撑在所述中央顶表面上面的支撑水平的多个晶片支撑件，处于所述中央顶表面下的台阶处的环形表面；承载环，所述承载环配置成由承载环支撑件支撑，使得所述承载环的底部表面是在所述环形表面上方的第一垂直间隔处，所述承载环具有相对于顶部表面被定义的台阶下表面；其中，当所述承载环坐落在所述承载环支撑件上时，然后所述承载环的所述台阶下表面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的第二垂直间隔处。

公开(公告)号：CN105386012A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510519683.6

申请日：2015-08-21

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 ,  阿德里安·拉沃伊 ,  康胡 ,  钱俊 ,  普鲁肖坦·库马尔 ,  安德鲁·杜瓦尔 ,  科迪·巴奈特 ,  穆罕默德·萨布里 ,  拉梅什·钱德拉塞卡拉 ,  卡尔·利瑟 ,  大卫·C·史密斯 ,  塞沙萨绮·瓦拉达拉简 ,  艾德蒙·B·明歇尔

IPC分类号： C23C16/52

CPC分类号： H01L21/0228 ,  C23C16/45527 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/4586 ,  C23C16/46 ,  C23C16/463 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02274

摘要： 本发明涉及用于在低温ALD系统中的稳定沉积率控制的方法和装置，具体公开了在半导体衬底上沉积材料膜的方法。该方法可以包括：在喷头基本上维持在第一温度时，使膜前体穿过喷头流入处理室内；以及在衬底保持架基本上维持在第二温度时，使膜前体吸附到保持在衬底保持架上的衬底上，使得前体形成吸附受限层。第一温度比第二温度高至少10℃，或者第一温度处于或低于第二温度。该方法还可以包括：从包围所吸附的膜前体的体积除去至少一些未被吸附的膜前体；以及之后，使所吸附的膜前体反应以形成膜层。本发明还公开了一种装置，该装置包括：处理室；衬底保持架；喷头；以及一个或多个控制器，其用于操作该装置以使用前述膜沉积技术。