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公开(公告)号：CN105624646A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201510844234.9
申请日：2015-11-26
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/455 , H01J37/32 , F16K11/02 , F16K7/17
CPC分类号： F16K7/17 , B08B9/0328 , F16K7/123 , F16K7/14 , F16K7/16 , F16K7/20 , F16K27/003 , F16K27/0236 , Y10T137/87249 , Y10T137/87788 , Y10T137/87877 , Y10T137/87885 , Y10T137/87917 , C23C16/45561 , C23C16/455 , F16K11/022 , H01J37/32449
摘要： 本发明涉及借助可再入流路径的阀歧管盲管消除。用于衬底处理系统的气体输送系统包括第一和第二阀、第一气体通道以及圆筒。第一阀包括第一入口和第一出口。第一出口与衬底处理系统的处理室流体连通。第二阀包括第二入口和第二出口。圆筒限定具有第一端和第二端的第二气体通道。圆筒被至少部分地布置在第一气体通道内使得所述圆筒和所述第一气体通道共同限定流通道。所述流通道与第二气体通道的第一端以及与第一入口流体连通。第三气体通道与第二气体通道的第二端以及与第二入口流体连通。
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公开(公告)号：CN107610996B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201710513089.5
申请日：2017-06-29
申请人： 朗姆研究公司
摘要： 本发明涉及减少衬底处理系统再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板。衬底处理系统包括处理室和喷头，喷头包括面板、杆部和圆柱形基部。轴环将喷头连接到处理室的顶表面。轴环限定接收二次吹扫气体的气体通道和沿着径向向外且向下的方向引导来自气体通道的二次吹扫气体的多个气体缝隙。锥形表面被布置成邻近圆柱形基部并且围绕喷头的杆部。倒锥形表面邻近处理室的顶表面和侧壁设置。锥形表面和倒锥形表面限定成角度的气体通道，成角度的气体通道从多个气体缝隙到限定在圆柱形基部的径向外部与处理室的侧壁之间的间隙。
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公开(公告)号：CN113832452A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202110895353.2
申请日：2017-07-24
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 , 艾德蒙·B·明歇尔 , 弗兰克·L·帕斯夸里 , 尚卡·斯瓦米纳森 , 拉梅什·钱德拉赛卡兰
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/455
摘要： 本发明涉及晶片在槽中居中以提高晶片边缘的方位角厚度均匀性。一种用于减少膜沉积期间晶片滑移的方法包括：当晶片被支撑在升降销或承载环上时抽空处理室，以及将晶片降低到被配置为在膜沉积期间最小化晶片滑移的支撑构件上。诸如用于原子层沉积的处理室之类的多站处理室可以包括在每个站处的无卡盘基座，该每个站具有被配置为防止晶片移动离开中心超过400微米的晶片支撑件。为了最小化晶片下方的气垫，晶片支撑件可以在晶片的背面和基座的面向晶片的表面之间提供至少2密耳的间隙。
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公开(公告)号：CN112599406A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202011189122.1
申请日：2017-09-11
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 尚卡·斯瓦米纳森
摘要： 本发明涉及用于基于UV抑制等离子体不稳定性的系统和方法。将衬底定位成暴露于等离子体处理室内的等离子体产生区域。在所述等离子体产生区域内产生第一等离子体。所述第一等离子体被配置为致使膜沉积在所述衬底上直到沉积在所述衬底上的所述膜达到阈值膜厚度。然后所述衬底暴露于紫外辐射以消除沉积在所述衬底上的所述膜内的缺陷。可以使用构造成产生紫外线辐射的第二等离子体或者使用设置成暴露于等离子体产生区域中的紫外辐射设备来原位提供紫外线辐射。也可以通过将衬底移动到与等离子体处理室分离的紫外辐射设备来非原位地提供紫外辐射。可以以重复的方式将衬底暴露于紫外辐射，以便在膜厚度增加时消除沉积的膜内的缺陷。
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公开(公告)号：CN110060941A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201811210262.5
申请日：2015-12-21
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 , 安德鲁·杜瓦尔 , 瑞安·布拉基埃 , 尚卡·斯瓦米纳森
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/455 , C23C16/458
摘要： 本发明涉及减少在晶片边缘的背面沉积，提供了一种用于在晶片上沉积膜的处理室，其包括基座，所述基座具有中央顶表面，所述中央顶表面具有被配置成将所述晶片支撑在所述中央顶表面上面的支撑水平的多个晶片支撑件，处于所述中央顶表面下的台阶处的环形表面；承载环，所述承载环配置成由承载环支撑件支撑，使得所述承载环的底部表面是在所述环形表面上方的第一垂直间隔处，所述承载环具有相对于顶部表面被定义的台阶下表面；其中，当所述承载环坐落在所述承载环支撑件上时，然后所述承载环的所述台阶下表面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的第二垂直间隔处。
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公开(公告)号：CN107610996A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710513089.5
申请日：2017-06-29
申请人： 朗姆研究公司
CPC分类号： H01J37/32082 , C23C16/4401 , C23C16/45519 , C23C16/45544 , C23C16/45565 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J2237/334
摘要： 本发明涉及减少衬底处理系统再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板。衬底处理系统包括处理室和喷头，喷头包括面板、杆部和圆柱形基部。轴环将喷头连接到处理室的顶表面。轴环限定接收二次吹扫气体的气体通道和沿着径向向外且向下的方向引导来自气体通道的二次吹扫气体的多个气体缝隙。锥形表面被布置成邻近圆柱形基部并且围绕喷头的杆部。倒锥形表面邻近处理室的顶表面和侧壁设置。锥形表面和倒锥形表面限定成角度的气体通道，成角度的气体通道从多个气体缝隙到限定在圆柱形基部的径向外部与处理室的侧壁之间的间隙。
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公开(公告)号：CN113658844B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202110696983.7
申请日：2017-06-29
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/44 , C23C16/455
摘要： 本发明涉及减少衬底处理系统再循环的轴环、锥形喷头和/或顶板。衬底处理系统包括处理室和喷头，喷头包括面板、杆部和圆柱形基部。轴环将喷头连接到处理室的顶表面。轴环限定接收二次吹扫气体的气体通道和沿着径向向外且向下的方向引导来自气体通道的二次吹扫气体的多个气体缝隙。锥形表面被布置成邻近圆柱形基部并且围绕喷头的杆部。倒锥形表面邻近处理室的顶表面和侧壁设置。锥形表面和倒锥形表面限定成角度的气体通道，成角度的气体通道从多个气体缝隙到限定在圆柱形基部的径向外部与处理室的侧壁之间的间隙。
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公开(公告)号：CN110060941B
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN201811210262.5
申请日：2015-12-21
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 克洛伊·巴尔达赛罗尼 , 安德鲁·杜瓦尔 , 瑞安·布拉基埃 , 尚卡·斯瓦米纳森
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/687 , C23C16/455 , C23C16/458
摘要： 本发明涉及减少在晶片边缘的背面沉积，提供了一种用于在晶片上沉积膜的处理室，其包括基座，所述基座具有中央顶表面，所述中央顶表面具有被配置成将所述晶片支撑在所述中央顶表面上面的支撑水平的多个晶片支撑件，处于所述中央顶表面下的台阶处的环形表面；承载环，所述承载环配置成由承载环支撑件支撑，使得所述承载环的底部表面是在所述环形表面上方的第一垂直间隔处，所述承载环具有相对于顶部表面被定义的台阶下表面；其中，当所述承载环坐落在所述承载环支撑件上时，然后所述承载环的所述台阶下表面被定位在处理水平，所述处理水平在相对于所述基座的顶表面上方的支撑水平的第二垂直间隔处。
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公开(公告)号：CN107808828B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201710811367.5
申请日：2017-09-11
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 尚卡·斯瓦米纳森
IPC分类号： H01L21/48 , C23C16/56 , C23C16/513
摘要： 本发明涉及用于基于UV抑制等离子体不稳定性的系统和方法。将衬底定位成暴露于等离子体处理室内的等离子体产生区域。在所述等离子体产生区域内产生第一等离子体。所述第一等离子体被配置为致使膜沉积在所述衬底上直到沉积在所述衬底上的所述膜达到阈值膜厚度。然后所述衬底暴露于紫外辐射以消除沉积在所述衬底上的所述膜内的缺陷。可以使用构造成产生紫外线辐射的第二等离子体或者使用设置成暴露于等离子体产生区域中的紫外辐射设备来原位提供紫外线辐射。也可以通过将衬底移动到与等离子体处理室分离的紫外辐射设备来非原位地提供紫外辐射。可以以重复的方式将衬底暴露于紫外辐射，以便在膜厚度增加时消除沉积的膜内的缺陷。
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公开(公告)号：CN105624646B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201510844234.9
申请日：2015-11-26
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/455 , H01J37/32 , F16K11/02 , F16K7/17
摘要： 本发明涉及借助可再入流路径的阀歧管盲管消除。用于衬底处理系统的气体输送系统包括第一和第二阀、第一气体通道以及圆筒。第一阀包括第一入口和第一出口。第一出口与衬底处理系统的处理室流体连通。第二阀包括第二入口和第二出口。圆筒限定具有第一端和第二端的第二气体通道。圆筒被至少部分地布置在第一气体通道内使得所述圆筒和所述第一气体通道共同限定流通道。所述流通道与第二气体通道的第一端以及与第一入口流体连通。第三气体通道与第二气体通道的第二端以及与第二入口流体连通。
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