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公开(公告)号：CN112236847A
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201980037211.3
申请日：2019-04-29
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/3105 , H01L21/321 , H01L21/02 , H01L21/324
摘要： 多种实施方案包含于电化学沉积工艺前湿化衬底的方法及设备。在一实施方案中，控制衬底可湿性的方法包含：将衬底置于预处理室中、控制预处理室的环境以湿化衬底表面；以及将衬底置于镀槽中。还公开了其他方法及系统。
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公开(公告)号：CN111936675B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN201980022156.0
申请日：2019-02-20
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 何治安 , 尚蒂纳特·古艾迪 , 黄璐丹 , 安德鲁·詹姆斯·普福
摘要： 公开了用于控制用于衬底的电化学镀敷设备上的镀敷电解质浓度的方法和电镀系统。惰性阳极(或在需要时可以充当惰性阳极的辅助电极)控制一种或多种电解质成分的浓度。惰性阳极通过进行不产生金属离子的气体释放反应来平衡电镀工艺中电解液金属离子的产生和消耗速率。
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公开(公告)号：CN111936675A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980022156.0
申请日：2019-02-20
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 何治安 , 尚蒂纳特·古艾迪 , 黄璐丹 , 安德鲁·詹姆斯·普福
摘要： 公开了用于控制用于衬底的电化学镀敷设备上的镀敷电解质浓度的方法和电镀系统。惰性阳极(或在需要时可以充当惰性阳极的辅助电极)控制一种或多种电解质成分的浓度。惰性阳极通过进行不产生金属离子的气体释放反应来平衡电镀工艺中电解液金属离子的产生和消耗速率。
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公开(公告)号：CN114174562A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202080053306.7
申请日：2020-05-19
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 安德鲁·詹姆斯·普福 , 尚蒂纳特·小古艾迪 , 何治安 , 马尼什·兰詹
摘要： 一种电化学沉积系统包括：电化学沉积室，其包括用于电化学沉积的电解液；衬底保持器，其被配置成保持衬底并且包括与所述衬底电气连接的第一阴极；第一致动器，其被配置成调整所述衬底保持器在所述电化学沉积室中的竖直位置；阳极，其浸没在所述电解液中；第二阴极，其被配置成在所述第一阴极与所述阳极之间；第一光学探针，其被配置成，当所述衬底被浸没在所述电解液中时，在距离所述衬底的中心第一距离处测量所述衬底的第一反射率；以及控制器，其被配置成在所述电化学沉积的期间，基于所述衬底的所述第一反射率而选择性地调整施加至所述第一阴极的功率、施加至所述第二阴极的功率、施加至所述阳极的功率、以及所述衬底保持器的所述竖直位置中的至少一者。
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公开(公告)号：CN115885372A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202280005106.3
申请日：2022-01-04
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 杨柳 , 李梦萍 , 尚蒂纳特·古艾迪 , 安德鲁·詹姆斯·普福
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/66 , G01N21/95 , G01N21/956
摘要： 本文提供的方法可包括在半导体处理工具内照射晶片上的区域，该晶片具有对光至少为半透明且具有可测量消光系数的材料层，并且该区域为晶片的表面的第一部分，使用一个或更多检测器检测从该材料和该材料下方的表面反射的光，并产生对应于检测到的光的光学数据，通过将光学数据应用于传递函数产生关联于晶片上材料的性质的度量，该传递函数使光学数据与关联于晶片上材料的性质的度量相关，确定对处理模块的一个或更多处理参数的调整，并根据经调整的一个或更多处理参数执行或修改处理模块中的处理操作。
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公开(公告)号：CN114556096A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202080073082.6
申请日：2020-09-29
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： G01N27/904 , G01N27/9013 , C23C16/52 , C23C14/54
摘要： 在一些示例中，提供了一种真空预处理模块(VPM)计量系统，其用于测量衬底上的层的薄层电阻。所述系统可以包含：涡流传感器，所述涡流传感器包括发送器传感器与接收器传感器，所述发送器传感器与所述接收器传感器限定所述发送器传感器与所述接收器传感器之间的间隙，所述间隙用于容纳待测试的衬底的边缘。传感器控制器从所述涡流传感器接收测量信号。数据处理器处理所述测量信号并且产生所述衬底上的所述层的薄层电阻值。
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