晶片处理工具的机器视觉检测
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117940616A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202280059840.8

    申请日:2022-08-21

    摘要: 公开了涉及使用机器学习分类器诊断晶片处理工具的状况的示例。一示例提供了一种包含杯体的电沉积工具。杯体包含晶片界面。晶片界面包含唇形密封件以及多个电接触点。电沉积工具还包含相机,其定位成对晶片界面的至少一部分进行成像。电沉积工具还包含逻辑机以及存储机,其存储可由逻辑机执行的指令。可执行指令以经由相机获取晶片界面的图像。指令可进一步执行以从经过训练的机器学习函数获得晶片界面的图像的分类。指令可进一步执行以控制电沉积工具基于分类采取行动。

    用于薄膜光学测量的系统和方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115885372A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202280005106.3

    申请日:2022-01-04

    摘要: 本文提供的方法可包括在半导体处理工具内照射晶片上的区域,该晶片具有对光至少为半透明且具有可测量消光系数的材料层,并且该区域为晶片的表面的第一部分,使用一个或更多检测器检测从该材料和该材料下方的表面反射的光,并产生对应于检测到的光的光学数据,通过将光学数据应用于传递函数产生关联于晶片上材料的性质的度量,该传递函数使光学数据与关联于晶片上材料的性质的度量相关,确定对处理模块的一个或更多处理参数的调整,并根据经调整的一个或更多处理参数执行或修改处理模块中的处理操作。

    与人工智能的原位传感器融合
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114364441A

    公开(公告)日:2022-04-15

    申请号:CN202080064061.8

    申请日:2020-08-11

    IPC分类号: B01D19/02 B01D19/00 G01F23/20

    摘要: 在一个实施方案中,所公开的设备是原位闭环气泡和泡沫检测和减少系统,其包括用于确定流体贮存器中的液体体积的液位传感器、用于确定流体贮存器和流体贮存器内包含的任何液体的质量的质量检测设备、电耦合到液位传感器和质量检测设备以确定流体贮存器内液体的实际体积的处理器以及耦合到处理器并位于流体贮存器上方的喷头。当液位传感器确定的液体体积超过液体的实际体积预定量时,由处理器启动喷头。公开了其他装置和方法。

    通过颜色感测估计晶片上氧化物层还原效率的方法和装置

    公开(公告)号:CN111739814A

    公开(公告)日:2020-10-02

    申请号:CN202010395666.7

    申请日:2017-01-23

    摘要: 本发明涉及通过颜色感测估计晶片上氧化物层还原效率的方法和装置。公开了制备具有用于随后电镀操作的金属晶种层的半导体衬底的方法。在一些实施方式中,该方法可以包括:使所述半导体衬底的表面与等离子体接触,以通过还原在该表面上的金属氧化物来处理该表面,之后,从所述表面测量等离子体接触后的颜色信号,所述颜色信号具有一个或多个颜色分量。所述方法然后可以进一步包括:基于所述等离子体接触后的颜色信号估计由于所述等离子体处理而导致的氧化物还原的程度。在一些实施方式中,基于所述等离子体接触后的颜色信号的b*分量来估计由于所述等离子体处理而导致的所述氧化物还原的程度。还公开了可以实现前述方法的等离子体处理装置。

    通过颜色感测估计晶片上氧化物层还原效率的方法和装置

    公开(公告)号:CN107039303B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201710058368.7

    申请日:2017-01-23

    摘要: 本发明涉及通过颜色感测估计晶片上氧化物层还原效率的方法和装置。公开了制备具有用于随后电镀操作的金属晶种层的半导体衬底的方法。在一些实施方式中,该方法可以包括:使所述半导体衬底的表面与等离子体接触,以通过还原在该表面上的金属氧化物来处理该表面,之后,从所述表面测量等离子体接触后的颜色信号,所述颜色信号具有一个或多个颜色分量。所述方法然后可以进一步包括:基于所述等离子体接触后的颜色信号估计由于所述等离子体处理而导致的氧化物还原的程度。在一些实施方式中,基于所述等离子体接触后的颜色信号的b*分量来估计由于所述等离子体处理而导致的所述氧化物还原的程度。还公开了可以实现前述方法的等离子体处理装置。