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公开(公告)号:CN117940616A
公开(公告)日:2024-04-26
申请号:CN202280059840.8
申请日:2022-08-21
申请人: 朗姆研究公司
摘要: 公开了涉及使用机器学习分类器诊断晶片处理工具的状况的示例。一示例提供了一种包含杯体的电沉积工具。杯体包含晶片界面。晶片界面包含唇形密封件以及多个电接触点。电沉积工具还包含相机,其定位成对晶片界面的至少一部分进行成像。电沉积工具还包含逻辑机以及存储机,其存储可由逻辑机执行的指令。可执行指令以经由相机获取晶片界面的图像。指令可进一步执行以从经过训练的机器学习函数获得晶片界面的图像的分类。指令可进一步执行以控制电沉积工具基于分类采取行动。
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公开(公告)号:CN113785381A
公开(公告)日:2021-12-10
申请号:CN202080032750.0
申请日:2020-04-14
申请人: 朗姆研究公司
IPC分类号: H01L21/033 , H01L21/311 , H01L21/027 , H01L21/02
摘要: 本发明提供了用于降低EUV抗蚀剂的粗糙度并改善蚀刻特征的方法和系统。所述方法涉及对EUV抗蚀剂除渣、填充EUV抗蚀剂的凹陷、并用帽盖层保护EUV抗蚀剂。所得的EUV抗蚀剂具有更平滑的特征,并增加对下伏层的选择性,从而改善蚀刻特征的质量。在下伏层的蚀刻后,可去除帽盖层。
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公开(公告)号:CN115885372A
公开(公告)日:2023-03-31
申请号:CN202280005106.3
申请日:2022-01-04
申请人: 朗姆研究公司
发明人: 杨柳 , 李梦萍 , 尚蒂纳特·古艾迪 , 安德鲁·詹姆斯·普福
IPC分类号: H01L21/67 , H01L21/66 , G01N21/95 , G01N21/956
摘要: 本文提供的方法可包括在半导体处理工具内照射晶片上的区域,该晶片具有对光至少为半透明且具有可测量消光系数的材料层,并且该区域为晶片的表面的第一部分,使用一个或更多检测器检测从该材料和该材料下方的表面反射的光,并产生对应于检测到的光的光学数据,通过将光学数据应用于传递函数产生关联于晶片上材料的性质的度量,该传递函数使光学数据与关联于晶片上材料的性质的度量相关,确定对处理模块的一个或更多处理参数的调整,并根据经调整的一个或更多处理参数执行或修改处理模块中的处理操作。
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