晶片处理工具的机器视觉检测
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117940616A

    公开(公告)日:2024-04-26

    申请号:CN202280059840.8

    申请日:2022-08-21

    摘要: 公开了涉及使用机器学习分类器诊断晶片处理工具的状况的示例。一示例提供了一种包含杯体的电沉积工具。杯体包含晶片界面。晶片界面包含唇形密封件以及多个电接触点。电沉积工具还包含相机,其定位成对晶片界面的至少一部分进行成像。电沉积工具还包含逻辑机以及存储机,其存储可由逻辑机执行的指令。可执行指令以经由相机获取晶片界面的图像。指令可进一步执行以从经过训练的机器学习函数获得晶片界面的图像的分类。指令可进一步执行以控制电沉积工具基于分类采取行动。

    用于薄膜光学测量的系统和方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115885372A

    公开(公告)日:2023-03-31

    申请号:CN202280005106.3

    申请日:2022-01-04

    摘要: 本文提供的方法可包括在半导体处理工具内照射晶片上的区域,该晶片具有对光至少为半透明且具有可测量消光系数的材料层,并且该区域为晶片的表面的第一部分,使用一个或更多检测器检测从该材料和该材料下方的表面反射的光,并产生对应于检测到的光的光学数据,通过将光学数据应用于传递函数产生关联于晶片上材料的性质的度量,该传递函数使光学数据与关联于晶片上材料的性质的度量相关,确定对处理模块的一个或更多处理参数的调整,并根据经调整的一个或更多处理参数执行或修改处理模块中的处理操作。

    衬底电镀系统的基于镀覆-除镀波形的接触件清洁

    公开(公告)号:CN116075607A

    公开(公告)日:2023-05-05

    申请号:CN202180055712.1

    申请日:2021-08-13

    IPC分类号: C25D17/00

    摘要: 一种配置用于衬底的电化学镀覆的电化学沉积系统包含室、电极、以及控制器。该室容纳镀覆浴。该电极被设置于该镀覆浴中。该镀覆杯件包含接触环。该接触环包含接触件。所述接触件被浸没于该镀覆浴中。该控制器被配置成在该接触环与该电极之间施加电压信号,以从所述接触件去除残留物。该电压信号包含镀覆‑除镀波形。该镀覆‑除镀波形包含多个循环。该多个循环中的每一者包含成对的具有不同极性的脉冲。