公开(公告)号：CN114156165A

公开(公告)日：2022-03-08

申请号：CN202111177993.6

申请日：2019-05-06

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 纳格拉杰·尚卡尔 ,  卡普·瑟里什·雷迪 ,  乔恩·亨利 ,  张鹏翼 ,  伊尔哈姆·莫希米 ,  巴文·贾里瓦拉 ,  阿尔潘·普拉文·毛洛瓦拉

IPC分类号： H01L21/027 ,  H01L21/033 ,  H01L21/02 ,  H01L21/306 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  H01L21/768 ,  C23C16/04 ,  C23C16/30 ,  C23C16/40 ,  C23C16/455 ,  G03F7/20

摘要： 提出了用于选择性沉积蚀刻停止层以在半导体制造期间增强图案化的方法、系统和计算机程序。一种方法包括以下操作：在衬底的基材(M1)的顶部添加光致抗蚀剂材料(M2)，M2限定用于在M1上方不存在M2的区域中蚀刻M1的图案。该方法还包括以下操作：在添加M2后，用氧化物材料(M3)保形地覆盖衬底；以及在所述保形地覆盖后，用填充材料M4对所述衬底进行间隙填充。此外，在所述间隙填充之后，使停止蚀刻材料(M5)选择性地在M3的暴露表面上生长而不在M4的表面上生长。另外，该方法还包括以下操作：在选择性地生长M5之后，从所述衬底上去除M4；以及在去除M4之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到M1中。M5添加了蚀刻保护，从而能够更深地蚀刻到M1中。

公开(公告)号：CN112106184B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201980031248.5

申请日：2019-05-06

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 纳格拉杰·尚卡尔 ,  卡普·瑟里什·雷迪 ,  乔恩·亨利 ,  张鹏翼 ,  伊尔哈姆·莫希米 ,  巴文·贾里瓦拉 ,  阿尔潘·普拉文·毛洛瓦拉

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 提出了用于选择性沉积蚀刻停止层以在半导体制造期间增强图案化的方法、系统和计算机程序。一种方法包括以下操作：在衬底的基材(M1)的顶部添加光致抗蚀剂材料(M2)，M2限定用于在M1上方不存在M2的区域中蚀刻M1的图案。该方法还包括以下操作：在添加M2后，用氧化物材料(M3)保形地覆盖衬底；以及在所述保形地覆盖后，用填充材料M4对所述衬底进行间隙填充。此外，在所述间隙填充之后，使停止蚀刻材料(M5)选择性地在M3的暴露表面上生长而不在M4的表面上生长。另外，该方法还包括以下操作：在选择性地生长M5之后，从所述衬底上去除M4；以及在去除M4之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到M1中。M5添加了蚀刻保护，从而能够更深地蚀刻到M1中。

公开(公告)号：CN112106184A

公开(公告)日：2020-12-18

申请号：CN201980031248.5

申请日：2019-05-06

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 纳格拉杰·尚卡尔 ,  卡普·瑟里什·雷迪 ,  乔恩·亨利 ,  张鹏翼 ,  伊尔哈姆·莫希米 ,  巴文·贾里瓦拉 ,  阿尔潘·普拉文·毛洛瓦拉

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/027 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67

摘要： 提出了用于选择性沉积蚀刻停止层以在半导体制造期间增强图案化的方法、系统和计算机程序。一种方法包括以下操作：在衬底的基材(M1)的顶部添加光致抗蚀剂材料(M2)，M2限定用于在M1上方不存在M2的区域中蚀刻M1的图案。该方法还包括以下操作：在添加M2后，用氧化物材料(M3)保形地覆盖衬底；以及在所述保形地覆盖后，用填充材料M4对所述衬底进行间隙填充。此外，在所述间隙填充之后，使停止蚀刻材料(M5)选择性地在M3的暴露表面上生长而不在M4的表面上生长。另外，该方法还包括以下操作：在选择性地生长M5之后，从所述衬底上去除M4；以及在去除M4之后蚀刻所述衬底，以将所述图案转移到M1中。M5添加了蚀刻保护，从而能够更深地蚀刻到M1中。