等离子体处理系统中的电流控制

    公开(公告)号:CN102577631B

    公开(公告)日:2015-08-12

    申请号:CN201080043983.7

    申请日:2010-10-19

    CPC classification number: H01J37/321 H01J37/32174 H01J37/32935

    Abstract: 用于产生等离子体以处理至少晶片的等离子体处理系统。所述等离子体处理系统包括线圈,用以传导用于保持等离子体的至少一部分的电流。所述等离子体处理系统还包括与所述线圈耦合的传感器,用以测量所供应的电流的强度以提供强度测量结果,而无需测量所供应的电流的任何相位角。所述所供应的电流是所述电流或用于提供多个电流(例如,包括所述电流)的总电流。所述等离子体处理系统还包括与所述传感器耦合的控制器,用以利用所述强度测量结果和/或用所述强度测量结果得出的信息而无需利用与相位角测量有关的信息来产生命令,并且用以提供所述命令以控制所述所供应的电流的强度和/或所述总电流的强度。

    不产生等离子体确定等离子体处理系统的准备状态

    公开(公告)号:CN102473661B

    公开(公告)日:2014-11-19

    申请号:CN201080029269.2

    申请日:2010-06-09

    CPC classification number: H01J37/32935

    Abstract: 用于帮助确定等离子体处理系统(其包括等离子体处理腔)是否准备好处理晶片的测试系统。所述测试系统可以包括至少存储测试程序的计算机可读介质。所述测试程序可以包括用于在所述等离子体处理腔中不存在等离子体时接收来源于由至少一个传感器检测到的信号的电参数值的代码。所述测试程序也可以包括使用所述电参数值和数学模型产生电模型参数值的代码。所述测试程序也可以包括比较所述电模型参数值与基准模型参数值信息的代码。所述测试程序也可以包括基于所述比较确定所述等离子体处理系统准备状态的代码。所述测试系统也可以包括执行一个或更多与所述测试程序关联的任务的电路硬件。

    等离子体处理系统中的电流控制

    公开(公告)号:CN102577631A

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN201080043983.7

    申请日:2010-10-19

    CPC classification number: H01J37/321 H01J37/32174 H01J37/32935

    Abstract: 用于产生等离子体以处理至少晶片的等离子体处理系统。所述等离子体处理系统包括线圈,用以传导用于保持等离子体的至少一部分的电流。所述等离子体处理系统还包括与所述线圈耦合的传感器,用以测量所供应的电流的强度以提供强度测量结果,而无需测量所供应的电流的任何相位角。所述所供应的电流是所述电流或用于提供多个电流(例如,包括所述电流)的总电流。所述等离子体处理系统还包括与所述传感器耦合的控制器,用以利用所述强度测量结果和/或用所述强度测量结果得出的信息而无需利用与相位角测量有关的信息来产生命令,并且用以提供所述命令以控制所述所供应的电流的强度和/或所述总电流的强度。

    不产生等离子体确定等离子体处理系统的准备状态

    公开(公告)号:CN102473661A

    公开(公告)日:2012-05-23

    申请号:CN201080029269.2

    申请日:2010-06-09

    CPC classification number: H01J37/32935

    Abstract: 用于帮助确定等离子体处理系统(其包括等离子体处理腔)是否准备好处理晶片的测试系统。所述测试系统可以包括至少存储测试程序的计算机可读介质。所述测试程序可以包括用于在所述等离子体处理腔中不存在等离子体时接收来源于由至少一个传感器检测到的信号的电参数值的代码。所述测试程序也可以包括使用所述电参数值和数学模型产生电模型参数值的代码。所述测试程序也可以包括比较所述电模型参数值与基准模型参数值信息的代码。所述测试程序也可以包括基于所述比较确定所述等离子体处理系统准备状态的代码。所述测试系统也可以包括执行一个或更多与所述测试程序关联的任务的电路硬件。

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