公开(公告)号：CN116801645A

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN202310392061.6

申请日：2023-04-13

申请人： 杭州电子科技大学 ,  杭州众能光电科技有限公司

发明人： 梁素霞 ,  邹盛 ,  董源 ,  石磊 ,  张文君 ,  付超 ,  郭玉昆 ,  郭思溢 ,  蒋云磊 ,  于天宇 ,  苏杰

IPC分类号： H10K30/15 ,  H10K71/16 ,  C23C14/24 ,  C23C14/58 ,  C23C14/12 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54

摘要： 本发明公开了一种倒置钙钛矿太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池制备技术领域，其结构包括导电玻璃基底、空穴传输层、钙钛矿薄膜、电子传输层和金属电极，其制备方法包括清洁、磁控溅射、真空蒸镀、激光刻蚀划线等步骤。本发明采用倒置式的电池结构。在进行钙钛矿薄膜加工时，利用真空蒸镀工艺，将两种或两种以上固态材料逐层蒸镀到已经覆盖了空穴传输层的透明导电玻璃表面。蒸镀完成后，进行退火结晶。通过控制电流控制蒸镀速度，通过控制蒸镀时间调控膜层厚度。采用该方法制备的钙钛矿薄膜，表面平整，均匀性好，致密性高。将其组装成钙钛矿太阳能电池，所得器件的光电转化效率较高，稳定性较好。

公开(公告)号：CN116676581A

公开(公告)日：2023-09-01

申请号：CN202310969441.1

申请日：2023-08-03

申请人： 杭州众能光电科技有限公司 ,  杭州电子科技大学

发明人： 梁素霞 ,  邹盛 ,  董源 ,  张文君 ,  于天宇 ,  苏杰

IPC分类号： C23C14/50 ,  C23C14/24 ,  C23C14/06 ,  C23C14/58

摘要： 本发明公开了一种电极延长杆及其应用方法，其中电极延长杆包括：电极棒，所述电极棒用于带动样品载体沿电极棒轴向运动；电极底座，所述电极底座设有两个安装孔，所述安装孔用于装配电极棒；环形安装片，所述环形安装片设有两个，且分别固定安装于两根电极棒，所述环形安装片设有环形导槽；样品载体，所述样品载体两端分别安装于两个环形安装片的环形导槽中，所述样品载体的两端可沿环形导槽滑动；其中所述电极底座密封安装于真空设备的底部。可以快速地调节蒸发源到基片的垂直距离，也可以在水平面上灵活地调节蒸发源相对基片的蒸发位点和角度。

公开(公告)号：CN113223965B

公开(公告)日：2023-02-24

申请号：CN202110417676.0

申请日：2021-04-19

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 吕伟锋 ,  刘波 ,  陈贤龙 ,  于天宇 ,  谢自强 ,  林弥

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

摘要： 本发明公开了一种补偿负电容晶体管在高漏极电压下靠近漏极侧内栅电势损失的方法，本发明在现有的N型负电容晶体管制作过程中，增加一道P型离子的沟道注入步骤。具体实施方法为：在完成N型负电容晶体管的金属栅极TiN材料积淀工艺之后，在靠近漏端(drain)的沟道区域局部额外注入一定浓度的P型离子，目的是提高漏极与沟道交界处局部区域的P型离子的掺杂浓度，并且保持之后的现有工艺技术和步骤都不变。其特点是这种方法与现有nNCFET工艺具有很好的兼容性，制造过程没有明显的增加工艺难度与复杂度。本发明通过可以缓解负电容晶体管输出电流随着漏极电压升高而下降导致的负微分电阻现象，保持了nNCFET优良的性能。

公开(公告)号：CN114543892A

公开(公告)日：2022-05-27

申请号：CN202210196053.X

申请日：2022-03-01

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 董源 ,  张军帅 ,  李伊雯 ,  周奕希 ,  冯仓 ,  蒋云磊 ,  孙惠斌 ,  陈本灶 ,  杨洋 ,  王迪 ,  于天宇 ,  邹盛 ,  陈凯 ,  董若宇

IPC分类号： G01D21/02

摘要： 本发明公开了一种适用于浅圆型粮仓的温湿度检测方法，包括如下步骤：S1、温湿度传感器的布设，S2、获取温湿度传感器的检测数据，S3、通过计算得到粮仓内任意点的温度和湿度值，S4、根据计算得到的粮仓内任意点的温度和湿度值，运用MATLAB模拟软件重现粮堆各个层面的等温云图和湿度云图，从而预测温湿度的走向。采用上述技术方案，通过粮仓三维空间均匀布置多个传感器可以实现任意一点位置温湿度检测；通过布置温湿度传感器可以大大提高工作效率减轻人工检测的工作量。通过测量布置温湿度传感器点的数值，可以根据温湿度分布函数拟合出粮仓任意一位置的温湿度数值，解决了现在粮仓温湿度任意一位置无法检测的难题。

公开(公告)号：CN113223965A

公开(公告)日：2021-08-06

申请号：CN202110417676.0

申请日：2021-04-19

申请人： 杭州电子科技大学

发明人： 吕伟锋 ,  刘波 ,  陈贤龙 ,  于天宇 ,  谢自强 ,  林弥

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/08

摘要： 本发明公开了一种补偿负电容晶体管在高漏极电压下靠近漏极侧内栅电势损失的方法，本发明在现有的N型负电容晶体管制作过程中，增加一道P型离子的沟道注入步骤。具体实施方法为：在完成N型负电容晶体管的金属栅极TiN材料积淀工艺之后，在靠近漏端(drain)的沟道区域局部额外注入一定浓度的P型离子，目的是提高漏极与沟道交界处局部区域的P型离子的掺杂浓度，并且保持之后的现有工艺技术和步骤都不变。其特点是这种方法与现有nNCFET工艺具有很好的兼容性，制造过程没有明显的增加工艺难度与复杂度。本发明通过可以缓解负电容晶体管输出电流随着漏极电压升高而下降导致的负微分电阻现象，保持了nNCFET优良的性能。