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公开(公告)号：CN102471902A
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN201180002451.3
申请日：2011-04-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的还原二氧化碳的方法具备以下工序(a)和工序(b)。准备电化学电池的工序(a)。这里，上述电化学电池具备工作电极(21)、对电极(23)和槽(28)。上述槽(28)贮存电解液(27)。上述工作电极(21)含有碳化硼。上述电解液(27)含有二氧化碳。上述工作电极(21)和上述对电极(23)与上述电解液(27)接触。分别向上述工作电极(21)和上述对电极(23)施加负电压和正电压，还原二氧化碳的工序(b)。
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公开(公告)号：CN1754244A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200480004839.7
申请日：2004-06-02
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01J9/022 , C01B32/20 , H01J1/30 , H01J1/304 , H01J2201/30446
Abstract: 本发明涉及电子发射特性优异的电子发射材料。本发明特别涉及一种含有取向性石墨的电子发射材料的制造方法，其特征在于，具有制备取向性石墨的工序，该工序是在表面存在碳之外的第2组分的状态下，通过对高分子薄膜进行热处理，得到含该第2组分、且内部有空穴的取向性石墨。
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公开(公告)号：CN103038394B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201180037527.6
申请日：2011-08-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: C25B3/04 , C07C1/02 , C25B1/003 , C25B9/06 , C25B15/08 , Y02E60/364 , C07C9/04
Abstract: 本发明是一种还原二氧化碳的方法，其具备以下的工序。准备具备以下部分的二氧化碳还原装置的工序（a）：阴极室（102）、阳极室（105）和固体电解质膜（106），其中，阴极室具备工作电极（101），工作电极具备金属或金属化合物，阳极室具备对电极（104），对电极在表面具备由氮化物半导体形成的区域，在阴极室的内部保持有第1电解液（107），在阳极室的内部保持有第2电解液（108），工作电极与第1电解液相接，对电极与第2电解液相接，固体电解质膜夹在阴极室和阳极室之间，第1电解液含有二氧化碳，工作电极与对电极电连接，并且在工作电极和对电极之间，未电夹置电源。对区域照射具有250nm以上、400nm以下波长的光，将第1电解液所含有的二氧化碳还原的工序（b）；其中，不对工作电极照射光。
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公开(公告)号：CN102812158A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201180014708.7
申请日：2011-09-22
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: C25B5/00 , B01J35/02 , C01B31/18 , C07C1/12 , C07C9/04 , C07C53/02 , C25B1/00 , C25B3/04 , C25B11/06
Abstract: 本发明的方法具备以下的工序：准备装置的工序（a），该装置具备阴极室（102）、阳极室（105）和固体电解质膜（106），其中，阴极室具备阴极电极（101），阳极室具备阳极电极（104），阳极电极具备氮化物半导体区域（302），氮化物半导体区域的一部分表面被镍或钛区域（303）覆盖，区域（303）接触氮化物半导体区域，在阴极室中保持第1电解液（107），在阳极室中保持第2电解液（108），阴极电极接触第1电解液，阳极电极接触第2电解液，第1电解液含有二氧化碳，阴极电极与阳极电极电连接，阳极电极具备阳极电极端子（111），区域（303）与阳极电极端子隔开；和对氮化物半导体区域的至少一部分照射具有250nm以上且400nm以下波长的光，还原第1电解液中的二氧化碳的工序（b），其中，也对区域（303）照射光。
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公开(公告)号：CN100379706C
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200480018888.6
申请日：2004-08-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种维持石墨具有的面方向的高导热特性、并改善层方向的导热性的高导热性部件。本发明涉及一种将碳颗粒分散在由石墨类基体构成的高定向性石墨结构体中形成的高导热性部件，其特征在于：(1)构成上述石墨的各石墨层的c轴是平行的；(2)与上述c轴垂直的方向的导热率κ‖在400W/m·K以上1000W/m·K以下的范围；(3)与上述c轴平行的方向的导热率κ⊥在10W/m·K以上100W/m·K以下的范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1910722A
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN200580002073.3
申请日：2005-01-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: Y02E60/324
Abstract: 本发明提供一种电子发射特性优异的电子发射材料及其制造方法、以及一种电子发射元件。该制造方法是含有烧制高分子膜而得到的碳材料的电子发射材料的制造方法，在该制造方法中：制备分散有选自金属氧化物和金属碳酸化物的至少一种金属化合物的聚酰胺酸溶液；将制备的聚酰胺酸溶液成膜并酰亚胺化，形成含有金属化合物的聚酰亚胺膜；对形成的聚酰亚胺膜进行烧制，形成碳材料。一种电子发射材料，含有碳材料，在碳材料的表面上形成有表面具有凹陷的隆起，该隆起含有金属元素。
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公开(公告)号：CN1476638A
公开(公告)日：2004-02-18
申请号：CN01819415.X
申请日：2001-11-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/778 , H04M1/00
CPC classification number: H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/2003 , H01L29/7785 , H03F3/601 , H03F2200/294
Abstract: 本发明缓和高耐压和低电阻的折衷，提供低耗电、高耐压半导体装置，及用这种装置的通信系统用机器。其解决方法为，HEMT，包括InP基板(201)上的，由InAlAs层(202)、InGaAs层(203)、n型掺杂层(204a)、及无掺杂层(204b)相互交错沉积而成的多重δ掺杂InAlAs层(204)、InP层(205)、肖特基栅电极(210)、源电极(209a)及漏电极(209b)。电流流过InGaAs层(203)内的多重δ掺杂InAlAs层(204)的界面附近区域(沟道区域)时，对于通过载流子供应层的多重δ掺杂InAlAs层(204)的载波移动电阻会降低，且可以提高非接通时的耐压。
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公开(公告)号：CN103348040A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280007055.4
申请日：2012-05-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的还原二氧化碳的方法，具备：准备具备阴极室（302）、阳极室（305）、固体电解质膜（306）、阴极电极（301）和阳极电极（304）的二氧化碳还原装置（300）的工序（a）；和在阳极电极（302）上照射具有350纳米以下的波长的光，在阴极电极（304）上将二氧化碳还原的工序（b），阴极电极（301）具备铜或者铜化合物，阳极电极（304）具备由将AlxGa1-xN层（0＜x≤1）和GaN层叠层而成的氮化物半导体层构成的区域。
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公开(公告)号：CN103348039A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280006977.3
申请日：2012-05-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明的还原二氧化碳的方法，具备：准备具备阴极室（302）、阳极室（305）、固体电解质膜（306）、阴极电极（301）和阳极电极（304）的二氧化碳还原装置（300）的工序（a）；和在阳极电极（302）上照射具有350纳米以下的波长的光，在阴极电极（304）上将二氧化碳还原的工序（b），阴极电极（301）具备铟或者铟化合物，阳极电极（304）具备由将AlxGa1-xN层（0＜x≤1）和GaN层叠层而成的氮化物半导体层构成的区域。
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