公开(公告)号：CN1146971C

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN98120824.X

申请日：1998-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾孝 ,  吉田哲久 ,  足立和泰 ,  福本彻

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/18 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621

Abstract: 本发明涉及晶体管的制造方法。在具有LDD构造的半导体的制造方法中，在杂质注入时，向靶的注入深度不同的多种杂质离子的原料气体供给等离子空间，在将其离子化后，用电压加速掺入到靶的基板上边的半导体区域中。这时，若是顶栅型的晶体管的话，在半导体区域上的栅电极就作成起掩膜作用的厚度。若是底栅型的晶体管的话，就使用掩膜或抗蚀剂。并且，掺入的角度将根据需要确定适合的值。然后，根据需要，进行杂质的激活。在以上，只用一次杂质的注入，就制造出具有LDD构造的半导体。

公开(公告)号：CN1110068C

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：CN98802095.5

申请日：1998-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田哲久 ,  北川雅俊 ,  内田正雄 ,  北畠真 ,  三露常男

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L29/6606 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/861 ,  Y10T29/41

Abstract: 对于添加了杂质元素的SiC衬底1和SiC薄膜2，照射波长比引起上述半导体的能带边缘吸收的波长还长的激光5，或者照射由半导体的结构元素与杂质元素之间的结合的振动吸收的波长，例如9～11μm的波长的激光5。特别是当在SiC中添加了Al时，照射波长9.5～10μm的激光5。

公开(公告)号：CN1509494A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN02810062.X

申请日：2002-03-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高瀬道彦 ,  吉田哲久 ,  水野文二

IPC: H01L21/265

CPC classification number: H01J37/32935 ,  H01J37/32963 ,  H01L21/2236

Abstract: 本发明提供一种表面处理方法，其特征为，包括：通过等离子体使物质等离子体化，生成第一等离子体化物质及第二等离子体化物质的等离子体化工序；开始向基体导入通过该等离子体而等离子体化的该第一等离子体化物质的开始工序；终止向该基体导入该第一等离子体化物质的终止工序；在该终止工序前观测通过该等离子体而等离子体化的该第二等离子体化物质状态的观测工序；和根据该观测工序的观测结果，控制表示从该开始工序直到该终止工序为止的时间的等离子体处理时间的控制工序，使表示向该基体导入的第一等离子体化物质的总量的总剂量成为所希望的总剂量。

公开(公告)号：CN1126368A

公开(公告)日：1996-07-10

申请号：CN95108536.0

申请日：1995-06-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾孝 ,  吉田哲久 ,  北川雅俊

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/265

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L21/67213 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造设备及制造方法，以高生产率地制作金属与半导体界面的电阻小、特性优异、可靠性高的大面积的半导体元件。打开闸阀2a将备有a-Si∶H薄膜的样品送入样品准备室3，排气至10-210-3Pa的压力，从样品室3经中间室1将样品传送到离子照射室4，进行磷等的离子照射。离子照射后，打开闸阀2c，传送到压力10-3～10-7Pa的中间室1，然后打开闸阀2d，传送到淀积室5，将Ar气体导入淀积室5，通过溅射法，进行Al/Ti的金属膜的淀积，经中间室1将样品移出取出室6。

公开(公告)号：CN1076863C

公开(公告)日：2001-12-26

申请号：CN95108536.0

申请日：1995-06-09

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾孝 ,  吉田哲久 ,  北川雅俊

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/2236 ,  H01L21/67213 ,  H01L29/66765

Abstract: 本发明提供一种半导体元件的制造设备及制造方法，以高生产率地制作金属与半导体界面的电阻小、特性优异、可靠性高的大面积的半导体元件。打开闸阀2a将备有a-Si：H薄膜的样品送入样品准备室3，排气至10-2-10-3Pa的压力，从样品室3经中间室1将样品传送到离子照射室4，进行磷等的离子照射。离子照射后，打开闸阀2c，传送到压力10-3～10-7Pa的中间室1，然后打开闸阀2d，传送到淀积室5，将Ar气体导入淀积室5，通过溅射法，进行Al/Ti的金属膜的淀积，经中间室1将样品移出取出室6。

公开(公告)号：CN1213849A

公开(公告)日：1999-04-14

申请号：CN98120824.X

申请日：1998-09-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 平尾孝 ,  吉田哲久 ,  足立和泰 ,  福本彻

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/18 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/78621

Abstract: 在具有LDD构造的半导体的制造方法中,在杂质注入时,把发生分子量等,甚至于向靶的注入深度不同的多种杂质离子的原料气体供给等离子空间,在将其离子化后,用电压加速掺入到靶的基板上边的半导体区域中。这时,若是顶栅型的晶体管的话,在半导体区域上的栅电极就作成起掩模作用的厚度。若是底栅型的晶体管的话,就使用掩模或抗蚀剂。并且,掺入的角度将根据需要确定适合的值。然后,根据需要,进行杂质的激活。在以上,只有一次杂质的注入,就制造出具有LDD构造的半导体。

公开(公告)号：CN1147156A

公开(公告)日：1997-04-09

申请号：CN96111130.5

申请日：1996-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 澁谷宗裕 ,  北川雅俊 ,  向井裕二 ,  吉田哲久

IPC: H01L31/0248 ,  H01L31/18 ,  H01L31/06 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L31/0547 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035227 ,  Y02E10/52

Abstract: 一种对太阳电池有用的太阳光线反射小的硅结构体。在石英基片的整个表面上淀积厚约1μm的Mo形成下部电极。使用已加有BCl3的Si2Cl6，通过以硅为主要成分的膜，在下部电极的整个表面上形成由不规则取向的以硅为主要成分的许多圆柱形硅的聚合构成的厚30-40μm的P型硅结构体，借助使用POCl3的热扩散法将P扩散到P型硅结构体的表面上，在圆柱形硅的外周部分形成n型区。由厚30～40μm的铟—锡氧化物构成的透明电极形成在P型硅结构体的整个表面上，由厚约1μm的A1构成的上部分电极形成在透明电极上。

公开(公告)号：CN1082254C

公开(公告)日：2002-04-03

申请号：CN96111130.5

申请日：1996-08-22

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 澁谷宗裕 ,  北川雅俊 ,  向井裕二 ,  吉田哲久

IPC: H01L31/0248 ,  H01L31/18 ,  H01L31/06 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L31/0547 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/035227 ,  Y02E10/52

Abstract: 一种对太阳电池有用的太阳光线反射小的硅结构体。在石英基片的整个表面上淀积厚约1μm的Mo形成下部电极。使用已加有BCl3的Si2Cl6，通过以硅为主要成分的膜，在下部电极的整个表面上形成由不规则取向的以硅为主要成分的许多圆柱形硅的聚合构成的厚30～40μm的P型硅结构体。借助使用POCl3的热扩散法将P扩散到P型硅结构体的表面上，在圆柱形硅的外周部分形成n型区。由厚30～40μm的铟-锡氧化物构成的透明电极形成在P型硅结构体的整个表面上，由厚约1μm的Al构成的上部分电极形成在透明电极上。

公开(公告)号：CN1244948A

公开(公告)日：2000-02-16

申请号：CN98802095.5

申请日：1998-11-30

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 吉田哲久 ,  北川雅俊 ,  内田正雄 ,  北畠真 ,  三露常男

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/268

CPC classification number: H01L29/6606 ,  H01L21/046 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/861 ,  Y10T29/41

Abstract: 对于添加了杂质元素的SiC衬底1和SiC薄膜2,照射波长比引起上述半导体的能带边缘吸收的波长还长的激光5,或者照射由半导体的结构元素与杂质元素之间的结合的振动吸收的波长,例如9—11μm的波长的激光5。特别是当在SiC中添加了Al时,照射波长9.5—10μm的激光5。

公开(公告)号：CN1237273A

公开(公告)日：1999-12-01

申请号：CN98801248.0

申请日：1998-06-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北川雅俊 ,  吉田哲久 ,  澁谷宗裕 ,  菅井秀郎

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/507 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262

Abstract: 一种制造半导体薄膜的方法包括以下步骤:向真空室中供应源气;利用通过施加射频电源产生的射频感应耦合等离子体(ICP),通过等离子体分解来分解所供应的源气,并由利用所分解源气的化学汽相淀积工艺,在衬底上形成预定半导体薄膜,其中通过控制形成半导体薄膜期间衬底的加热温度,控制要形成的半导体薄膜的结晶条件。