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公开(公告)号：CN1109111A
公开(公告)日：1995-09-27
申请号：CN94120719.6
申请日：1994-12-27
申请人： 松下电器产业株式会社
CPC分类号： C30B23/02 , C30B23/002 , C30B29/48
摘要： 一种晶体生长方法，包括一个将三种材料，其中一种材料选自元素Mg、化合物MgS和MgSe，另两种是化合物ZnSe和ZnS，分别填入各自喷射室的步骤以及一个通过控制喷射室温度及分子束强度，在加热的基体上生长Zn1yMgySzSe1-Z(0＜Y＜1和0＜Z＜1)单晶薄膜的步骤。
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公开(公告)号：CN1244948A
公开(公告)日：2000-02-16
申请号：CN98802095.5
申请日：1998-11-30
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/268
CPC分类号： H01L29/6606 , H01L21/046 , H01L29/1608 , H01L29/861 , Y10T29/41
摘要： 对于添加了杂质元素的SiC衬底1和SiC薄膜2,照射波长比引起上述半导体的能带边缘吸收的波长还长的激光5,或者照射由半导体的结构元素与杂质元素之间的结合的振动吸收的波长,例如9—11μm的波长的激光5。特别是当在SiC中添加了Al时,照射波长9.5—10μm的激光5。
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公开(公告)号：CN100407314C
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN03824360.1
申请日：2003-09-01
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B7/24 , G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B7/26
CPC分类号： G11B7/243 , B82Y10/00 , G11B7/00454 , G11B7/24038 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/2432
摘要： 一种信息记录介质，包括能进行三维的信息记录的记录部，上述记录部(3)至少包含1层记录层(1a～1f)，上述记录层由氧化钛构成。上述记录层最好是非晶体型和晶体型氧化钛中的至少一种。上述记录层(1a～1f)基本上包括氧化钛、或者包括氧化钛和折射率比上述氧化钛小的低折射率材料。
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公开(公告)号：CN1094848A
公开(公告)日：1994-11-09
申请号：CN94102046.0
申请日：1994-02-24
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L21/363 , H01L21/38 , C23C14/00
摘要： 本发明目的在于向Ⅱ-Ⅵ族半导体添加高浓度的P型杂质。通过使脉冲喷嘴喷出的激发氮气向基板的照射与对Ⅱ-Ⅵ族半导体构成元素靶的脉冲激光照射交替地进行，形成添加氮的化合物。
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公开(公告)号：CN100392738C
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN03807874.0
申请日：2003-04-07
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B7/24 , G11B7/26 , G11B7/004 , G11B7/0045 , G11B7/005
CPC分类号： G11B7/243 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11B7/00455 , G11B7/24038 , G11B7/251 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2538 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , G11B2007/24324
摘要： 本发明提供一种可实现高灵敏度·高速记录的信息记录媒体、其制造方法以及光信息记录再现装置。记录部至少包含一层微粒含有层，该微粒含有层，包含：微粒，用来对具有指定波长的光的至少一部分进行吸收，对于具有比上述指定波长更长波长的记录光及再现光实质上是透明的，并且对上述指定波长光的吸收率比对上述记录光及上述再现光的吸收率更高；微粒保持物，对上述记录光及上述再现光实质上是透明的。
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公开(公告)号：CN1689091A
公开(公告)日：2005-10-26
申请号：CN03824360.1
申请日：2003-09-01
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B7/24 , G11B7/0045 , G11B7/005 , G11B7/26
CPC分类号： G11B7/243 , B82Y10/00 , G11B7/00454 , G11B7/24038 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/2432
摘要： 一种信息记录介质，包括能进行三维的信息记录的记录部，上述记录部(3)至少包含1层记录层(1a～1f)，上述记录层包含氧化钛。上述记录层最好是非晶体型和晶体型氧化钛中的至少一种。上述记录层(1a～1f)基本上包括氧化钛、或者包括氧化钛和折射率比上述氧化钛小的低折射率材料。
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公开(公告)号：CN1647175A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN03807874.0
申请日：2003-04-07
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： G11B7/24 , G11B7/26 , G11B7/004 , G11B7/0045 , G11B7/005
CPC分类号： G11B7/243 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , G11B7/00455 , G11B7/24038 , G11B7/251 , G11B7/2533 , G11B7/2534 , G11B7/2538 , G11B7/2542 , G11B7/257 , G11B7/258 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/2432 , G11B2007/24324
摘要： 本发明提供一种可实现高灵敏度·高速记录的信息记录媒体、其制造方法以及光信息记录再现装置。记录部至少包含一层微粒含有层，该微粒含有层，包含：微粒，用来对具有指定波长的光的至少一部分进行吸收，对于具有比上述指定波长更长波长的记录光及再现光实质上是透明的，并且对上述指定波长光的吸收率比对上述记录光及上述再现光的吸收率更高；微粒保持物，对上述记录光及上述再现光实质上是透明的。
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公开(公告)号：CN1110068C
公开(公告)日：2003-05-28
申请号：CN98802095.5
申请日：1998-11-30
申请人： 松下电器产业株式会社
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/268
CPC分类号： H01L29/6606 , H01L21/046 , H01L29/1608 , H01L29/861 , Y10T29/41
摘要： 对于添加了杂质元素的SiC衬底1和SiC薄膜2，照射波长比引起上述半导体的能带边缘吸收的波长还长的激光5，或者照射由半导体的结构元素与杂质元素之间的结合的振动吸收的波长，例如9～11μm的波长的激光5。特别是当在SiC中添加了Al时，照射波长9.5～10μm的激光5。
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