公开(公告)号：CN102017386B

公开(公告)日：2013-10-16

申请号：CN200980105239.2

申请日：2009-12-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田米正树 ,  北畠真 ,  风间俊

IPC: H02M7/537

CPC classification number: H02M1/28

Abstract: 本发明是提供一种功率转换电路。在进行高频动作的该功率转换电路中，下臂侧栅极驱动电路(24u)的断开电压控制电路(101u)，在从下臂(22u)的断开动作结束的时刻到上臂(21u)的接通动作开始为止的期间，使栅极驱动电源(103u)输出的电压变化为比规定的断开电压低的电压，之后，若上臂(21u)的接通动作结束，则立刻以将所述栅极驱动电源(103u)输出的电压返回到规定的断开电压的方式进行控制。因此，能够抑制由高电压变化dv/dt引起而发生的上下臂的短路动作，并且提高构成功率转换电路的开关元件的寿命，实现功率转换电路的高可靠性。

公开(公告)号：CN100550383C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200680024996.3

申请日：2006-07-07

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/822 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66068

Abstract: 本发明提供一种实现高速开关动作和能量损失减少的并存，并且基于由电气设备的电感负荷等产生的反电动势的电流集中耐性优异的半导体装置和电气设备。本发明的半导体装置(100)包括：由第一导电型的宽禁带半导体构成的半导体层(3)；晶体管单元(101T)，其形成有使电荷载流子在半导体层(3)的厚度方向移动的立式电场效应晶体管(102)；和二极管单元(101S)，其形成有肖特基电极(9)与半导体层(3)肖特基接合的肖特基二极管(103)，其中，在半导体层(3)上，在平面视图中，基于假想的分界线(30)划分为多个四边形的子区域(101T、101S)，并且具有作为晶体管单元的子区域(101T)、和作为二极管单元的子区域(101S)。

公开(公告)号：CN100481497C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200410062185.5

申请日：2004-07-02

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 楠本修 ,  北畠真 ,  内田正雄 ,  高桥邦方 ,  山下贤哉 ,  萩尾正博 ,  泽田和幸

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/04

CPC classification number: H01L29/7828 ,  H01L21/046 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/30625 ,  H01L29/1029 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/812

Abstract: 本发明提供一种采用碳化硅衬底，沟道层表面被平滑化、载流子的迁移率高的半导体装置以及其制造方法。双重注入型MISFET包括：在SiC衬底(1)上设置的高电阻SiC层(2)；p阱区(3)；p+接触区(4)；源区(6)；横跨源区(6)、p阱区(3)以及高电阻SiC层(2)形成的沟道层(5x)；栅绝缘膜(7)；栅极(10)；源极(8)；漏极(9)。高电阻SiC层(2)和p阱区(3)以及源区(6)的表面在堆积碳膜的状态下，通过杂质的活化退火或MCP成为平滑的状态，其后外延生长的沟道层(5x)的表面被进一步平滑化。

公开(公告)号：CN101233615A

公开(公告)日：2008-07-30

申请号：CN200680027399.6

申请日：2006-07-21

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  楠本修 ,  内田正雄 ,  山下贤哉

IPC: H01L27/04 ,  H01L29/12 ,  H01L21/822 ,  H01L29/47 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78 ,  H01L27/06 ,  H01L29/872 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L23/62 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7811 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/48624 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48655 ,  H01L2224/48666 ,  H01L2224/4868 ,  H01L2224/48724 ,  H01L2224/48755 ,  H01L2224/48766 ,  H01L2224/4878 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49051 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2224/85424 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48744

Abstract: 本发明提供一种半导体元件和一种电气设备。本发明的半导体元件(20)包括多个场效应晶体管(90)和肖特基电极(9a)，上述肖特基电极(9a)以沿着形成有上述多个场效应晶体管(90)的区域的外周的方式设置。

公开(公告)号：CN1802752A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200480015846.7

申请日：2004-11-24

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 内田正雄 ,  北畠真 ,  楠本修 ,  山下贤哉 ,  高桥邦方 ,  宫永良子

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/049 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7838

Abstract: 本发明公开了一种半导体元件。在本发明的半导体元件中，设置在碳化硅基板上的n型碳化硅层，具有从(0001)面朝着〔11－20〕方向切割(offcut)的上面。并且，在沟道区域中，将栅电极和源电极设置成以沿切割(offcut)方向流动的电流为主的样子。在本发明中，在形成栅绝缘膜后，再在含V族元素的环境下进行热处理。这样一来，由于在碳化硅层和栅绝缘膜的界面上，界面能级密度降低，因此切割方向A的电子迁移率比与切割方向A垂直的方向的电子迁移率高。

公开(公告)号：CN1788335A

公开(公告)日：2006-06-14

申请号：CN200580000359.8

申请日：2005-01-28

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  北畠真 ,  山下贤哉 ,  内田正雄 ,  楠本修 ,  宫永良子

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/28 ,  H01L21/338 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/046

Abstract: 半导体元件的制造方法，包括：向形成在碳化硅衬底1上的碳化硅薄膜2内注入离子的工序，通过在减压气体环境下加热碳化硅衬底，在碳化硅衬底表面上形成碳层5的工序，以及在与形成碳层5的工序相比压力更高且温度更高的气体环境下对碳化硅衬底进行活化退火的工序。

公开(公告)号：CN1254026C

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN01135078.4

申请日：2001-11-19

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 横川俊哉 ,  高桥邦方 ,  内田正雄 ,  北畠真 ,  楠本修

IPC: H04B17/00 ,  H01L29/16 ,  H01L21/28

CPC classification number: H03F3/601 ,  H01L21/8213 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/105 ,  H01L29/157 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7725 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H03D7/125 ,  H03F2200/294

Abstract: 一种通信系统用仪器，包括：在SiC衬底上集成了肖特基二极管、MOSFET、电容器以及电感器的半导体装置。在SiC衬底(10)上，从下至上依次设置有：把含有高浓度的n型杂质(氮)的δ掺杂层(12a)和非掺杂层(12b)相互叠层在一起形成的第一叠层部(12)；把含有高浓度的p型杂质(铝)的δ掺杂层(13a)和非掺杂层(13b)相互叠层在一起形成的第二叠层部(13)。δ掺杂层的载流子扩散到非掺杂层。而且，由于非掺杂层中的杂质浓度较低，所以杂质离子的散乱减少，能得到低电阻和高耐压值。适合配置在使用温度、空间上的限制等非常苛刻的条件下。

公开(公告)号：CN1508883A

公开(公告)日：2004-06-30

申请号：CN200310122341.8

申请日：2003-12-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 北畠真 ,  麻田和彦 ,  山下秀和 ,  长泻信义 ,  登一博 ,  大森英树 ,  小川正则

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/00 ,  H01L27/02

CPC classification number: H01L25/074 ,  G09G3/294 ,  G09G3/2965 ,  G09G2330/028 ,  H01L27/0694 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件。其目的在于：在抑制电力损失的同时，提供实现小面积化的开关元件。本发明的半导体器件由至少两个开关元件、且元件衬底的主面一侧相互重叠而构成。开关元件包括由宽带隙半导体构成的衬底、设置在衬底的主面一侧的源电极及栅极电极、和设置在衬底的背面上的漏电极。

公开(公告)号：CN1484862A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN02803417.1

申请日：2002-09-17

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 山下贤哉 ,  北畠真 ,  楠本修 ,  高桥邦方 ,  内田正雄 ,  宫永良子

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/66068 ,  H01L29/105 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/365 ,  H01L29/7725 ,  H01L29/7828 ,  H01L29/7838

Abstract: 一种半导体装置，具有存储型SiC－MISFET结构，包括在SiC基板上形成的p型SiC层(10)、n型沟道层(20)、栅极绝缘膜(11)、栅极(12)、n型沟道层(13a、13b)。沟道层(20)具有非掺杂层(22)、和在非掺杂层(22)的下端部附近设置的δ掺杂层(21)。由于在沟道层(20)的深部区域中具有高浓度的δ掺杂层(21)，从而可以使沟道层的表面区域中的电场减弱，提高电流驱动能力。

公开(公告)号：CN1131548C

公开(公告)日：2003-12-17

申请号：CN98101070.9

申请日：1998-04-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 太田顺道 ,  正户宏幸 ,  熊渕康仁 ,  北畠真

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L29/6606 ,  H01L21/0485 ,  H01L21/0495 ,  H01L21/268 ,  H01L21/8258 ,  H01L29/66068 ,  Y10S438/931

Abstract: 在由碳化硅构成的衬底的上面沉积由镍等构成的第一金属膜及第二金属膜。在该状态中，第一金属膜和衬底的界面及第二金属膜和衬底的界面共为肖特基接触。接着，从衬底的上面一侧，将激光的前端部缩小仅对衬底的第一金属膜照射激光。因此，即使不加热衬底整体，通过激光的能量使第一金属膜和衬底构成的金属一半导体界面合金化，由于在第一金属膜和衬底的界面得到欧姆接触，其结果，得到由第一金属膜构成的欧姆电极。