-
公开(公告)号：CN1538424B
公开(公告)日：2010-11-24
申请号：CN200410031796.3
申请日：2004-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2463 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1625 , Y10T428/21
Abstract: 本发明提供一种多层信息记录介质，即使长期作档案记录后也具有良好的复制性能和良好的记录和重写性能及良好的重复重写性能。信息记录介质(22)至少有在结晶相和非晶相之间能够产生可逆相变的第一记录层(104)和第二记录层(204)，第一记录层(104)含有Ge、Te和Bi，而第二记录层(204)含有Sb和一种或多种选自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi和Au的元素M1。
-
公开(公告)号：CN101872627A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN201010113952.6
申请日：2000-03-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G11B7/24
CPC classification number: G11B13/00 , G03G5/02 , G11B7/243 , G11B7/2433 , G11B7/2585 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B9/00 , G11B9/04 , G11B9/08 , G11B11/00 , G11B11/08 , G11B11/12 , G11B2007/24306 , G11B2007/24308 , G11B2007/2431 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/24322 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11C13/0004 , G11C13/04 , G11C2029/0403 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1683 , Y10T428/21
Abstract: 一种信息记录媒体，在基板上设有记录材料层，利用电能或电磁波能在进行电学或光学可检测的状态间可以产生可逆的相转移，形成所述记录层的记录材料是一种结构为在所述可逆性相变化的一个相中，含有晶格缺陷的结晶结构的材料，或者是一种在所述可逆相变化的一个相中形成含有晶格缺陷的结晶部分和非结晶部分构成的复合相，所述结晶部分和非结晶部分含有共同的元素的材料，而且做成由所述晶格缺陷的至少一部分构成的所述结晶构造的元素以外的元素镶嵌的信息记录媒体，由此提供的记录媒体设有的记录薄膜记录再生的反复产生的记录特性以及再生特性的变动小，耐候性好，抗组成变动强，而且特性容易控制。
-
公开(公告)号：CN101678693A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880019786.4
申请日：2008-06-09
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2433 , G11B7/259 , G11B2007/24304 , G11B2007/2431 , G11B2007/24314 , G11B2007/2432 , G11B2007/24322 , G11B2007/24324 , G11B2007/24328 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 本发明公开一种信息记录介质(100)，能够利用光的照射或电能的施加而记录信息，其中，至少备有能够产生相变化的记录层(115)。记录层包含锑(Sb)、碳(C)、原子量小于33的轻元素(L)。优选为，轻元素(L)是从B、N、O、Mg、Al以及S中选择的至少一种元素。例如，记录层(115)由用式(1)所表示，且由x和y满足x+y≤50的材料构成，Sb 100-x-y C x L y (1)；其中，下标100-x-y、x以及y，表示由原子％表示的Sb、C以及L的组成比。
-
公开(公告)号：CN101647068A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：CN200880010311.9
申请日：2008-03-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/2433 , G11B7/2437 , G11B7/2578 , G11B7/2585 , G11B7/266 , G11B2007/24304 , G11B2007/24308 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2432 , G11B2007/24328
Abstract: 本发明提供一种低成本的信息记录媒体，即使采用蓝激光以高密度进行记录时，也能够得到良好的信号品质。通过对记录层照射激光可以进行信息的记录及再生的信息记录媒体，其构成为：设定所述记录层所包含的Sb原子、O原子及M原子数的合计为100原子％时，O原子的含有率为20原子％以上、70原子％以下，M原子的含有率为1原子％以上、50原子％以下，Sb原子的含有率为10原子％以上、70原子％以下，并且记录层不含Au、Pt及Pd。
-
公开(公告)号：CN100492507C
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：CN200410030404.1
申请日：1997-03-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/257 , G11B7/00454 , G11B7/00557 , G11B7/006 , G11B7/0062 , G11B7/00718 , G11B7/24 , G11B7/243 , G11B7/26 , G11B7/266 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , G11B2007/2571 , G11B2007/25713 , G11B2007/25715
Abstract: 一种相变记录媒体，为设有以Ge-N、Ge-N-O为代表的阻挡层的记录媒体，以防止记录层和电介质保护层之间发生层间化学反应和原子扩展。阻挡材料也可以用于保护层其本身。由此可以明显抑制现有相变型光学信息记录媒体中观察到的重复记录擦除所造成的反射率下降和信号振幅的下降，可使重写次数增加。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100470646C
公开(公告)日：2009-03-18
申请号：CN200410083508.9
申请日：2004-10-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/266 , G11B7/00454 , G11B7/2403 , G11B7/24038 , G11B7/24067 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , Y10S430/146
Abstract: 本发明的信息记录媒体(15)，其特征在于包括：衬底(14)和设置在衬底(14)上的信息层(16)，上述信息层(16)包括：记录层(104)，其通过照射激光束或施加电能量，而能够在晶相和非晶相之间产生相变化；含Cr层(103或105)，其中至少含有Cr和O，该层布置成与上述记录层(104)的第1面相连接；以及含Ga层(105或103)，其中至少含有Ga和O，该层布置成与上述记录层的第2面相连接。
-
公开(公告)号：CN101317224A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200680044259.X
申请日：2006-11-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/2578 , G11B2007/25706 , G11B2007/25715 , Y10T428/21
Abstract: 提供一种高密度记录中的信号质量良好且保存可靠性高的光学信息记录介质及其记录再生方法和记录再生装置。为此，本发明的光学信息记录介质，在透明基板上具备依次包括记录层和电介质层的至少一个信息层，所述电介质层包含从50分子％以上98分子％以下的Zn－O和2分子％以上50分子％以下的Y－O、Ce－O、Nb－O、Ta－O、Cr－O和Mo－O中选出的一种或者多种化合物。
-
公开(公告)号：CN100370530C
公开(公告)日：2008-02-20
申请号：CN00804035.4
申请日：2000-12-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11B7/24038 , G11B7/243 , G11B7/257 , G11B2007/24304 , G11B2007/24306 , G11B2007/2431 , G11B2007/24316
Abstract: 在基片上形成至少一层信息层，后者包括以经激光照射能在两种不同的光学状态之间变化的材料为主要成分的记录层。这种材料的能隙在非结晶状态下为0.9eV至2.0eV。受到波长在300nm至450nm的范围内的激光照射时，上述信息层的透光率在30%以上。用该波长范围内的激光照射该介质一侧即可把信息记录在多个记录层上，并将其重放出来。
-
公开(公告)号：CN100365815C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200480000648.3
申请日：2004-05-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C14/009 , H01L27/1104 , H01L27/24 , H01L45/04 , H01L45/145
Abstract: 一种非易失性存储器，包括：第一基板(100)和第二基板(110)，所述第一基板(100)具有多个排列成矩阵的开关元件(4)和多个连接在所述开关元件(4)的第一电极(18)，所述第二基板(110)具有导电膜(32)，和通过提供电脉冲改变阻值的记录层(34)，其中，所述多个第一电极(18)被所述记录层(34)完整地覆盖，该记录层(34)由此位于所述多个第一电极(18)和所述导电膜(32)之间；所述第一基板(100)还包括第二电极(22)，和所述第二电极(22)与所述导电膜(32)电联接，当给所述记录层(34)施加电流时，所述第二电极(22)的电压保持在一定的水平上。该非易失性存储器以低成本获得高集成度。
-
公开(公告)号：CN1328714C
公开(公告)日：2007-07-25
申请号：CN200510052930.2
申请日：2001-08-31
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 提供具有两层记录层而且记录、消除性能好的信息记录介质，及其制造方法和其记录再生方法。配置第1信息层(11)和第2信息层(20)，第1信息层(11)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第1记录层(4)，第2信息层(20)包括由激光束照射或者外加电能而导致在晶相和非晶相之间发生可逆相变的第2记录层(14)。而且，第1记录层(4)由第1材料组成，第2记录层(14)由第2材料组成，且两种材料不同。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
140
records
(took 0.101 seconds)
