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公开(公告)号：CN111593400A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010103889.1
申请日：2020-02-20
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 本发明以提供不易产生裂开或裂缝的III族氮化物晶体的制造方法及晶种基板为技术问题。为了解决上述技术问题，本发明的III族氮化物晶体的制造方法包括：籽晶准备工序，在基板之上配置多个III族氮化物的晶体作为多个籽晶；晶体生长工序，在包含氮的环境下，使籽晶的表面接触包含从镓、铝、及铟中选择的至少一种III族元素以及碱金属的熔融液，来使III族氮化物晶体生长。在所述籽晶准备工序中，将多个籽晶配置于在基板上设置的六边形区域内部。
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公开(公告)号：CN107523876B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201710445532.X
申请日：2017-06-13
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供在Na助熔剂法下的GaN结晶生长中，面对在Ga与Na的混合变得均匀之前开始结晶培养因而变得培养不良的问题，通过改变装置构成从而使混合的均匀化、结晶培养的均匀化成为可能的手法。在具有坩埚上段和坩埚下段的两段结构的坩埚中，在坩埚上段直到Ga、Na混合完成为止将Ga、Na的混合液体倾斜保持，Ga、Na混合完成后使装置摇动从坩埚孔滴落混合液体，在种基板上均匀地进行结晶生长。
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公开(公告)号：CN107523876A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710445532.X
申请日：2017-06-13
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供在Na助熔剂法下的GaN结晶生长中，面对在Ga与Na的混合变得均匀之前开始结晶培养因而变得培养不良的问题，通过改变装置构成从而使混合的均匀化、结晶培养的均匀化成为可能的手法。在具有坩埚上段和坩埚下段的两段结构的坩埚中，在坩埚上段直到Ga、Na混合完成为止将Ga、Na的混合液体倾斜保持，Ga、Na混合完成后使装置摇动从坩埚孔滴落混合液体，在种基板上均匀地进行结晶生长。
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公开(公告)号：CN111575796A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010094897.4
申请日：2020-02-14
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造高品质的III族氮化物结晶的方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：晶种准备工序，在基板上准备多个点状的III族氮化物作为用于生长III族氮化物结晶的多个晶种；以及结晶生长工序，在包含氮的气氛下，使上述晶种的表面接触包含选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素以及碱金属的熔液，由此使III族元素与氮在熔液中发生反应而使III族氮化物结晶生长，结晶生长工序包括：成核工序，由多个晶种形成晶核；棱锥生长工序，使棱锥形状的第一III族氮化物结晶由多个晶核生长；以及横向生长工序，使第二III族氮化物结晶以填埋多个棱锥形状的第一III族氮化物结晶的间隙而使表面平坦的方式生长。
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公开(公告)号：CN110387581A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910296956.3
申请日：2019-04-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种得到抑制装置的腐蚀、并且抑制冷却中的由基底基板对III族氮化物单晶的应力的III族氮化物单晶的III族氮化物结晶的制造方法。一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：(i)准备将蓝宝石作为基底基板且在所述基底基板上设置有III族氮化物层的种基板的工序；(ii)在由钽构成的盛具中准备锂或锂化合物的工序；(iii)使用III族元素与碱金属的混合熔液，使III族氮化物结晶生长于设置于种基板的III族氮化物层的工序；和(iv)将锂或锂化合物投入混合熔液，使其与基底基板反应的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101542279A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200880000125.7
申请日：2008-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 通过从合格品的观测对象物(2)的波形信号生成的模板数据和从未测量的观测对象物得到的波形信号的比较，来校正观测对象物上产生的时间相位差，并进一步检测与模板数据的差异。作为第1阶段，通过使用了所生成的模板数据的长区间模板数据来对未测量的观测对象物进行好坏判断(步骤S31～S33)，校正时间相位差(步骤S34)。接着，作为第2阶段，根据以时间轴分割后的短区间模板数据与同样分割后的观测对象物的波形信号来进行好坏判断(步骤S35、S36)。由此，校正观测对象物(合格品和不合格品)间产生的时间相位差，并可通过与合格品的波形信号的比较来进行高精度的好坏判断。
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公开(公告)号：CN101493436B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN200810190886.5
申请日：2008-12-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种超声波测定方法、电子部件制造方法及半导体封装。能分别接收在测定对象物内的多个界面上反射的超声波的波形信号，基于接收到的波形信号的振幅，检测测定对象物内部的基准界面上的反射波的波形信号，以基准界面上的反射波的波形信号为基础，评价测定对象界面的接合状态。
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公开(公告)号：CN102047756B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200980113834.0
申请日：2009-11-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/322 , H01L2251/568
Abstract: 本发明提供一种带滤光片有机EL器件及其修理方法，能够使按滤光片类别在漏光的检测时的漏光的透过条件和用于修理的激光的透过条件之条件偏差减少。带滤光片有机EL器件具有：第一电极，其位于光向外部取出之侧；第二电极，其与所述第一电极对向配置；EL层，其配置在所述第一电极和所述第二电极之间；滤光片，其设置在所述第一电极的两面之中的与设有所述EL层的面相反侧的面上，且使400～700nm的范围外的特定波长范围的光透过；特定波长吸收膜，其配置在所述滤光片和所述EL层之间，且400～700nm的范围外的所述特定波长范围的光的透过率比400～700nm的波长的光的透过率低，并对所述特定波长范围的光进行吸收。
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公开(公告)号：CN101493436A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200810190886.5
申请日：2008-12-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/15311 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种超声波测定方法、电子部件制造方法及半导体封装。能分别接收在测定对象物内的多个界面上反射的超声波的波形信号，基于接收到的波形信号的振幅，检测测定对象物内部的基准界面上的反射波的波形信号，以基准界面上的反射波的波形信号为基础，评价测定对象界面的接合状态。
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公开(公告)号：CN101542279B
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN200880000125.7
申请日：2008-03-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 通过从合格品的观测对象物(2)的波形信号生成的模板数据和从未测量的观测对象物得到的波形信号的比较，来校正观测对象物上产生的时间相位差，并进一步检测与模板数据的差异。作为第1阶段，通过使用了所生成的模板数据的长区间模板数据来对未测量的观测对象物进行好坏判断(步骤S31～S33)，校正时间相位差(步骤S34)。接着，作为第2阶段，根据以时间轴分割后的短区间模板数据与同样分割后的观测对象物的波形信号来进行好坏判断(步骤S35、S36)。由此，校正观测对象物(合格品和不合格品)间产生的时间相位差，并可通过与合格品的波形信号的比较来进行高精度的好坏判断。
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