-
公开(公告)号：CN113882020A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110740713.1
申请日：2021-06-30
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种多晶化被抑制并且生长速度快的III族氮化物晶体的制造方法。III族氮化物晶体的制造方法包括：准备种基板的工序、生成III族元素氧化物气体的工序、供给III族元素氧化物气体的工序、供给含氮元素气体的工序、供给含氮元素氧化性气体的工序、以及使III族氮化物晶体在种基板上生长的工序，含氮元素氧化性气体包含选自NO气体、NO2气体、N2O气体和N2O4气体中的至少一种。
-
公开(公告)号：CN110468455A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910386973.6
申请日：2019-05-09
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种结晶中的氧杂质少的III族氮化物结晶的制造方法。本发明的III族氮化物结晶的制造方法是使用容纳碱金属、含III族元素的原料、种基板(11)的坩埚；容纳坩埚的反应容器；容纳反应容器(15)的压力容器；将含氮元素气体和/或氩气导入至压力容器的气体供给管；将压力容器密封的盖；将反应容器加热的加热器；用于将加热器和反应容器绝缘的绝缘材料；防止反应容器内的热泄露的绝热材料来制造III族氮化物结晶的方法，具有以下工序：将盖与所述压力容器分离，将反应容器容纳于压力容器内，用盖将压力容器密封后，将氩气填充于压力容器内的工序；将氩气加热并保持的工序；将经加热的氩气从压力容器排出的工序；和将含氮元素气体导入压力容器内，使碱金属与含III族元素的原料发生反应从而使III族氮化物结晶在种基板上生长的工序。
-
公开(公告)号：CN110219047A
公开(公告)日：2019-09-10
申请号：CN201910135561.5
申请日：2019-02-21
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种表面平坦、高品质且大尺寸的III族氮化物结晶的制造方法，其包括：在基板上准备作为种晶的多个III族氮化物的种晶准备工序；以及，通过在包含氮气的气氛下使种晶的表面接触包含碱金属和选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素的熔液，从而使上述III族元素与上述氮在熔液中发生反应，使III族氮化物结晶生长的结晶生长工序，结晶生长工序包括：由多个种晶分别生长截面为三角形或梯形的多个第一III族氮化物结晶的第一结晶生长工序；使第二III族氮化物结晶在多个第一III族氮化物结晶的间隙中生长的第二结晶生长工序。
-
公开(公告)号：CN111593400A
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN202010103889.1
申请日：2020-02-20
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 国立大学法人大阪大学
Abstract: 本发明以提供不易产生裂开或裂缝的III族氮化物晶体的制造方法及晶种基板为技术问题。为了解决上述技术问题，本发明的III族氮化物晶体的制造方法包括：籽晶准备工序，在基板之上配置多个III族氮化物的晶体作为多个籽晶；晶体生长工序，在包含氮的环境下，使籽晶的表面接触包含从镓、铝、及铟中选择的至少一种III族元素以及碱金属的熔融液，来使III族氮化物晶体生长。在所述籽晶准备工序中，将多个籽晶配置于在基板上设置的六边形区域内部。
-
公开(公告)号：CN111519247A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN202010078270.X
申请日：2020-02-03
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种抑制多晶化且提高III族氮化物结晶的品质的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：准备种基板的工序；以及以过饱和比(P0/Pe)成为大于1且为5以下的方式，供给III族元素氧化物气体和含氮元素的气体，从而使III族氮化物结晶在种基板上生长的工序，P0为III族氧化物气体的供给分压，Pe为III族氧化物气体的平衡分压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110714190A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910617944.6
申请日：2019-07-09
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
IPC: C23C16/34 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供一种低电阻且可控制晶格常数的III族氮化物基板。III族氮化物基板具有III族氮化物的基材部，所述III族氮化物的基材部具有表面、背面、和在表面与背面之间的内层，基材部的表面的碳浓度比内层的碳浓度高。III族氮化物结晶的制造方法中，从III族氮化物结晶的生长初期至生长中期，使III族元素氧化物气体与生长后期相比高浓度地生成，并高浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体高浓度地供给至育成室，在III族氮化物结晶的生长后期，使III族元素氧化物气体与生长初期至生长中期相比低浓度地生成，并低浓度地供给至育成室，并且将含碳元素气体低浓度地供给至育成室。
-
公开(公告)号：CN111575796A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010094897.4
申请日：2020-02-14
Applicant: 国立大学法人大阪大学 , 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种制造高品质的III族氮化物结晶的方法。III族氮化物结晶的制造方法包括：晶种准备工序，在基板上准备多个点状的III族氮化物作为用于生长III族氮化物结晶的多个晶种；以及结晶生长工序，在包含氮的气氛下，使上述晶种的表面接触包含选自镓、铝和铟中的至少1种III族元素以及碱金属的熔液，由此使III族元素与氮在熔液中发生反应而使III族氮化物结晶生长，结晶生长工序包括：成核工序，由多个晶种形成晶核；棱锥生长工序，使棱锥形状的第一III族氮化物结晶由多个晶核生长；以及横向生长工序，使第二III族氮化物结晶以填埋多个棱锥形状的第一III族氮化物结晶的间隙而使表面平坦的方式生长。
-
公开(公告)号：CN110387581A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201910296956.3
申请日：2019-04-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
Abstract: 本发明提供一种得到抑制装置的腐蚀、并且抑制冷却中的由基底基板对III族氮化物单晶的应力的III族氮化物单晶的III族氮化物结晶的制造方法。一种III族氮化物结晶的制造方法，其包括：(i)准备将蓝宝石作为基底基板且在所述基底基板上设置有III族氮化物层的种基板的工序；(ii)在由钽构成的盛具中准备锂或锂化合物的工序；(iii)使用III族元素与碱金属的混合熔液，使III族氮化物结晶生长于设置于种基板的III族氮化物层的工序；和(iv)将锂或锂化合物投入混合熔液，使其与基底基板反应的工序。
-
公开(公告)号：CN112771647B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201980065213.3
申请日：2019-10-02
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人大阪大学
IPC: H01L21/203 , C23C14/06 , C23C14/34
Abstract: 氮化物半导体膜的形成方法具备如下工序：在包含氮气和氩气的真空腔室内使氮化镓的靶间歇地溅射的工序；和，使在真空腔室内从靶飞散的氮化镓的溅射颗粒沉积在温度为560℃以上且650℃以下的对象物上的工序。将向真空腔室供给的氮气的流量相对于氮气的流量与氩气的流量之和的比率设为6％以上且18％以下。
-
公开(公告)号：CN104040039B
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201380005328.6
申请日：2013-01-10
Applicant: 国立大学法人大阪大学
IPC: C30B19/02 , C30B29/38 , H01L21/208
CPC classification number: C30B19/02 , C30B19/12 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/02625 , H01L21/02639 , H01L21/02645 , H01L21/02647 , H01L29/2003 , H01L33/007
Abstract: 本发明提供可以制造大尺寸、且缺陷少并且高品质的III族氮化物结晶的III族氮化物结晶的制造方法。III族氮化物结晶(13)的制造方法包括：晶种选择步骤，选择III族氮化物结晶层(11)的多个部分，作为用于III族氮化物结晶(13)的生成及生长的晶种；接触步骤，使所述晶种的表面与碱金属熔液接触；和结晶生长步骤，在含氮的气氛下，使III族元素与所述氮在所述碱金属熔液中反应，生成III族氮化物结晶(13)并生长；所述晶种为六方晶，在所述晶种选择步骤中，以由相互邻接的所述晶种生长的各结晶的m面彼此基本不重合的方式配置所述晶种，在所述结晶生长步骤中，通过III族氮化物结晶(13)的生长，使由所述多个晶种生长的多个III族氮化物结晶(13)结合。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
24
records
(took 0.046 seconds)
