公开(公告)号：CN107180787B

公开(公告)日：2021-12-24

申请号：CN201710082515.4

申请日：2017-02-15

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 水野文二 ,  置田尚吾 ,  广岛满 ,  樱井努 ,  松原功幸

IPC: H01L21/78 ,  H01L27/12 ,  B23K26/364 ,  B23K10/00

Abstract: 一种元件芯片及其制造方法。元件芯片的制造方法包括激光划片工序，对具备第1层和第2层的基板的分割区域从第2层侧照射激光，从而在分割区域形成具备露出第1层的露出部的开口，并且在包含露出部的第1层的表层部形成第1损伤区域，在第1损伤区域的附近且被第2层覆盖的第1层的表层部形成第2损伤区域。而且，包括各向同性蚀刻工序，在激光划片工序之后，通过使基板暴露于第1等离子体从而各向同性地蚀刻第1层，从而除去第1损伤区域和第2损伤区域。还包括等离子体切割工序，在各向同性蚀刻工序之后，在用支承构件支承了第2主面的状态下，将基板暴露于第2等离子体，各向异性地蚀刻第1层，从而将基板分割为具备元件区域的多个元件芯片。

公开(公告)号：CN102240850B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201110128797.X

申请日：2011-05-11

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 樱井努 ,  渡边一之 ,  松川典行 ,  船崎和也 ,  西川幸男

IPC: B23K26/21 ,  B23K26/70

Abstract: 本发明提供一种接合方法、接合装置、以及接合体。由于使用因吸收激光(1)而被加热的加压工具(2)，一边对一个构件进行挤压，一边照射激光，以将两个构件进行接合，从而能在扩大了接合面积的状态下进行热扩散接合，因此，也能以简便的结构，高速且高质量、高稳定地将激光反射率高的镀金或铜等各种接合材料进行接合。

公开(公告)号：CN107180787A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710082515.4

申请日：2017-02-15

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 水野文二 ,  置田尚吾 ,  广岛满 ,  樱井努 ,  松原功幸

IPC: H01L21/78 ,  H01L27/12 ,  B23K26/364 ,  B23K10/00

CPC classification number: H01L23/3192 ,  H01L21/268 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/56 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/544 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  B23K10/00 ,  B23K26/364 ,  H01L27/1207

Abstract: 一种元件芯片及其制造方法。元件芯片的制造方法包括激光划片工序，对具备第1层和第2层的基板的分割区域从第2层侧照射激光，从而在分割区域形成具备露出第1层的露出部的开口，并且在包含露出部的第1层的表层部形成第1损伤区域，在第1损伤区域的附近且被第2层覆盖的第1层的表层部形成第2损伤区域。而且，包括各向同性蚀刻工序，在激光划片工序之后，通过使基板暴露于第1等离子体从而各向同性地蚀刻第1层，从而除去第1损伤区域和第2损伤区域。还包括等离子体切割工序，在各向同性蚀刻工序之后，在用支承构件支承了第2主面的状态下，将基板暴露于第2等离子体，各向异性地蚀刻第1层，从而将基板分割为具备元件区域的多个元件芯片。

公开(公告)号：CN107180745A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710082551.0

申请日：2017-02-15

Applicant: 松下知识产权经营株式会社

Inventor： 水野文二 ,  置田尚吾 ,  广岛满 ,  樱井努 ,  松原功幸

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/56 ,  H01L23/00 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/268 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/02 ,  H01L21/56 ,  H01L23/28 ,  H01L23/562

Abstract: 一种元件芯片的制造方法。元件芯片的制造方法包括准备基板的工序，基板具备第1主面及第2主面，并且具备作为半导体层的第1层和包含绝缘膜的第2层。包括激光划片工序，对分割区域从第1主面侧照射激光从而形成具备露出第1层的露出部的开口，在露出部以外的开口的周围形成残留了分割区域中的第2层的残留区域，在分割区域中的第1层形成包含露出部的第1层的表层部的第1损伤区域和被残留区域覆盖的第1层的表层部的第2损伤区域。包括：露出工序，使第2损伤区域露出；和等离子体切割工序，在支承构件支承了第2主面的状态下，将开口暴露于第1等离子体，与第1损伤区域以及第2损伤区域一起蚀刻第1层，分割为具备元件区域的多个元件芯片。