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公开(公告)号：CN114672878B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202210357816.4
申请日：2022-04-06
申请人： 松山湖材料实验室 , 中科晶益(东莞)材料科技有限责任公司
摘要： 一种铜箔的纯化方法，属于材料纯化领域。铜箔的纯化方法包括：在管式炉的中心温区放置组件，在惰性气体及氢气的混合气氛下，保持中心温区的温度为1050‑1070℃的条件下退火至少5h，获得纯化的单晶铜箔，其中，组件由含有杂质的多晶铜箔以及支撑多晶铜箔的载体构成，多晶铜箔为压延铜箔，惰性气体的流量为500‑600sccm，氢气的流量为30‑100sccm。该纯化方法不仅能够针对工业多晶铜箔直接净化，改善现有的纯化方法能耗大、制备难度高的问题，同时能够使工业多晶铜箔单晶化，提高产品性能。
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公开(公告)号：CN113846357A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202111285831.4
申请日：2021-11-02
申请人： 松山湖材料实验室 , 中科晶益(东莞)材料科技有限责任公司
摘要： 一种阴极辊、电解铜箔机构及电解铜箔制备方法、成品铜箔的制备系统及制备方法，属于铜箔制备领域。阴极辊包括辊状的本体、环状的基材铜箔及石墨烯薄膜。环状的基材铜箔形成于本体的周壁且与本体导电连接；石墨烯薄膜形成于基材铜箔的表面并包裹基材铜箔，且石墨烯薄膜复制基材铜箔的表面形貌特征。基材铜箔的材质为单晶铜箔或大晶畴铜箔，大晶畴铜箔在每平方分米的晶界数量≤5个。利用石墨烯薄膜复制基材铜箔的表面形貌特征，利用电解铜箔复制石墨烯薄膜的表面形貌特征以实现对电解铜箔的“预单晶化”，因此显著降低后续退火温度后能够获得单晶铜箔或大晶畴铜箔，且即使电解铜箔厚度＜25μm，也可显著降低褶皱的产生。
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公开(公告)号：CN112072432B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202010982764.0
申请日：2020-09-17
申请人： 松山湖材料实验室
IPC分类号： H01R43/00 , H01R43/16 , H01R43/20 , H01R43/02 , H01R11/01 , H01R11/09 , H01R4/02 , H01M50/528 , H01M50/534 , H01M50/533 , H01M10/0525
摘要： 本申请涉及有色金属领域，涉及一种铜软连接结构和锂离子电池负极铜极耳结构以及制备方法。本申请提供的一种低硬度铜材料制作铜软连接结构的制备方法，采用维氏硬度为小于50Hv、每平方厘米面积内的晶畴数＜20个，最大晶畴长度范围为5‑100mm的低硬度铜材料叠放后，在两端焊接，使得多张低硬度铜材料连接成一个整体件，在整体件的两端开设贯穿多张低硬度铜材料的通孔；并对整体件进行折弯；在折弯区域套设绝缘套管制得铜软连接结构，提高铜软连接结构的耐弯折性能。采用低硬度铜材料制备锂离子电池负极铜极耳，能够极大地提高锂离子电池负极铜极耳的耐弯折性能和超声波焊接品质。
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公开(公告)号：CN112938946A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110283533.5
申请日：2021-03-16
申请人： 松山湖材料实验室 , 中科晶益(东莞)材料科技有限责任公司
IPC分类号： C01B32/186 , C01B32/196
摘要： 本申请提供一种石墨烯的制备方法，属于石墨烯材料技术领域。石墨烯的制备方法包括：沉积步骤和刻蚀步骤。沉积步骤包括：通过化学气相沉积在衬底上沉积石墨烯。刻蚀步骤包括：采用水蒸气对石墨烯表面的无定形碳进行刻蚀，水蒸气的温度不低于750℃。该制备方法能够有效去除石墨烯表面的无定形碳，使得生长得到的石墨烯薄膜的覆盖率高、质量佳且洁净度高。
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公开(公告)号：CN112064071A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010939817.0
申请日：2020-09-09
申请人： 松山湖材料实验室
摘要： 本申请提供一种耐弯折铜箔及其制备方法和FPC挠性电路板，涉及电子电路领域。耐弯折铜箔包括：单晶耐弯折铜箔或大晶畴耐弯折铜箔。单晶耐弯折铜箔为：在200*200mm至250*300mm的范围内没有晶界存在，只有唯一晶畴且晶畴的尺寸不小于200*200mm。大晶畴耐弯折铜箔由大晶畴铜箔进行电镀铜和/或压延处理后获得，大晶畴铜箔为：在200*200mm范围内存在一个以上的晶畴或存在一个以上的晶界，且200*200mm范围内的晶畴个数＜500个。通过合理光学仪器检查、筛选并分类别获得大晶畴铜箔和单晶耐弯折铜箔，同时对大晶畴铜箔后处理提高其耐弯折性，满足FPC挠性电路板的需求。
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公开(公告)号：CN112848547B
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202110237418.4
申请日：2021-03-03
申请人： 松山湖材料实验室 , 中科晶益(东莞)材料科技有限责任公司
摘要： 一种复合散热膜及其制备方法，属于散热膜领域。复合散热膜包括导热中间层以及设置在导热中间层的相对两侧表面的第一氮化硼层，导热中间层包括至少一层石墨片。该复合散热膜同时具有良好的电绝缘性和散热效果。
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公开(公告)号：CN115595658B
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202211323127.8
申请日：2022-10-27
申请人： 松山湖材料实验室 , 中科晶益(东莞)材料科技有限责任公司
IPC分类号： C30B23/02 , C30B1/02 , C30B29/02 , C25D5/50 , C25D5/54 , C25D3/38 , C25D1/20 , H05K1/09 , H05K3/00
摘要： 本申请涉及铜材制备技术领域，具体而言，涉及一种低传输损耗单晶铜材及其制备方法、PCB板及其制备方法和电子元器件。低传输损耗单晶铜材的制备方法包括：于氩气和氢气的混合气氛围中，800‑1065℃的温度条件下，在表面为石墨烯层的衬底上形成单晶铜层，将单晶铜层从衬底上剥离；其中，混合气中，氩气和氢气的体积比为(10‑20)：1。本申请提供的低传输损耗单晶铜材的制备方法可显著降低形成的铜材的表面粗糙度Rz，进而有利于进一步降低整个低传输损耗单晶铜材的传输损耗，且制备方法简单易行。
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公开(公告)号：CN117732596A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311659698.3
申请日：2023-12-05
申请人： 松山湖材料实验室 , 杭州交子茶业有限公司
摘要： 本发明提供一种分解臭氧的放电电极、放电组件及静电除尘装置，属于静电除尘技术领域，其中，分解臭氧的放电电极包括：基板和设置在基板上的开孔导电支撑件，所述导电支撑件上间隔设置有若干放电针，所述放电针上设置有能够催化分解臭氧的涂层；本发明的分解臭氧的放电电极，在放电针上设置能够催化分解臭氧的涂层，当放电电压过高时，通过该涂层能够对产生的臭氧进行催化分解，从而降低排放的臭氧浓度。
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公开(公告)号：CN112938946B
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202110283533.5
申请日：2021-03-16
申请人： 松山湖材料实验室 , 中科晶益(东莞)材料科技有限责任公司
IPC分类号： C01B32/186 , C01B32/196
摘要： 本申请提供一种石墨烯的制备方法，属于石墨烯材料技术领域。石墨烯的制备方法包括：沉积步骤和刻蚀步骤。沉积步骤包括：通过化学气相沉积在衬底上沉积石墨烯。刻蚀步骤包括：采用水蒸气对石墨烯表面的无定形碳进行刻蚀，水蒸气的温度不低于750℃。该制备方法能够有效去除石墨烯表面的无定形碳，使得生长得到的石墨烯薄膜的覆盖率高、质量佳且洁净度高。
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