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公开(公告)号：CN110178236A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201880007206.3
申请日：2018-01-17
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 使具有足够厚度的B吸收层与MTJ的上侧CoFeB层邻接并经过磁化退火而实现了期望的TMR比后，高精度地去除该B吸收层。在去除经过了层叠工序以及磁场中热处理工序后的MTJ的上侧CoFeB层(31)的上层(51-53、61)的干法蚀刻工序中，应用干法蚀刻装置以及识别由该干法蚀刻装置蚀刻的被蚀刻面的材料的分析装置，将蚀刻的结束设为由分析装置检测出所述CoFeB层的正上方B吸收层(51)暴露前的最终层(61、52或者53)减少至规定的水平或者所述正上方B吸收层增加至规定的水平的终点检测时。预先确定好分析装置的终点检测时之后的干法蚀刻装置的过蚀刻量，在层叠工序中，使从所述规定的水平到所述CoFeB层的上表面为止以仅与该过蚀刻量相当的层厚层叠所述正上方B吸收层。
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公开(公告)号：CN110199352B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201880008084.X
申请日：2018-01-16
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明涉及磁阻元件以及磁阻元件的制造方法。当形成磁阻效应膜时，有效地实现覆盖层的保护并且减少该覆盖层所造成的负面影响，实现所希望的磁阻特性。本制造方法包括：第一工序，将层叠膜加工成规定的形状，上述层叠膜包括通过磁场使电阻变化的磁阻效应膜4和该磁阻效应膜的上层的厚度10nm～60nm的范围内的覆盖层40(图4的b、图4的c)；第二工序，以绝缘膜61覆盖保护上述层叠膜(图4的d)；第三工序，通过反应性蚀刻在上述绝缘膜形成开口来使上述覆盖层的表面在该开口露出(图4的e)；第四工序，对通过第三工序而在开口露出的覆盖层的表面进行离子铣削，对该覆盖层在小于其总膜厚的范围内进行蚀刻(图4的f)；第五工序，与在第四工序后保留的覆盖层的表面接触，对成为产品的一部分的上部层(51)进行成膜(图4的g)。
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公开(公告)号：CN111108370A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201880060661.X
申请日：2018-09-07
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
IPC: G01N23/041 , G01J5/48 , G01N3/40 , G01N27/83 , H01M10/04
Abstract: 在使用种类不同的多个非破坏检查单元来检查检查对象时，简单并且准确地对齐在该各非破坏检查单元的检测结果中确定的检查对象上的位置彼此。在使用种类不同的多个非破坏检查单元来检查检查对象时，在检查对象(1)上固定地形成在多个非破坏检查单元中的任何一个非破坏检查单元中都能够检测的共用的标记(m1、m2、m3)，之后，通过多个非破坏检查单元中的每一个检测包含标记的检查对象，并以标记为位置基准对照多个非破坏检查单元的检测结果彼此。
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公开(公告)号：CN109314181B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201780037564.4
申请日：2017-06-19
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社 , 旋转感应制造厂株式会社
Abstract: 本发明改进隧道磁阻元件的自由磁性层的结构，且实现线性度较高的磁阻特性。在从靠近基板(2)的一侧，按照固定磁性层(10)、绝缘层(20)、自由磁性层(30)的顺序层叠，自由磁性层具有：下表面与绝缘层接合的铁磁层(31)、以及与该铁磁层的上表面接触并层叠的软磁层(33)。构成自由磁性层的铁磁层及软磁层的易磁化轴(A2)为彼此相同的方向且相对于固定磁性层的易磁化轴(A1)为不同的方向。
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公开(公告)号：CN109314181A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780037564.4
申请日：2017-06-19
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明改进隧道磁阻元件的自由磁性层的结构，且实现线性度较高的磁阻特性。在从靠近基板(2)的一侧，按照固定磁性层(10)、绝缘层(20)、自由磁性层(30)的顺序层叠，自由磁性层具有：下表面与绝缘层接合的铁磁层(31)、以及与该铁磁层的上表面接触并层叠的软磁层(33)。构成自由磁性层的铁磁层及软磁层的易磁化轴(A2)为彼此相同的方向且相对于固定磁性层的易磁化轴(A1)为不同的方向。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110178236B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201880007206.3
申请日：2018-01-17
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社 , 旋转感应制造厂株式会社
Abstract: 使具有足够厚度的B吸收层与MTJ的上侧CoFeB层邻接并经过磁化退火而实现了期望的TMR比后，高精度地去除该B吸收层。在去除经过了层叠工序以及磁场中热处理工序后的MTJ的上侧CoFeB层(31)的上层(51‑53、61)的干法蚀刻工序中，应用干法蚀刻装置以及识别由该干法蚀刻装置蚀刻的被蚀刻面的材料的分析装置，将蚀刻的结束设为由分析装置检测出所述CoFeB层的正上方B吸收层(51)暴露前的最终层(61、52或者53)减少至规定的水平或者所述正上方B吸收层增加至规定的水平的终点检测时。预先确定好分析装置的终点检测时之后的干法蚀刻装置的过蚀刻量，在层叠工序中，使从所述规定的水平到所述CoFeB层的上表面为止以仅与该过蚀刻量相当的层厚层叠所述正上方B吸收层。
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公开(公告)号：CN110573895A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201880027218.2
申请日：2018-04-24
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 一种磁传感器，抑制各磁阻元件的检测位置以及检测时刻的偏移，并以高精度并且以高空间分辨率进行测定。磁传感器100在与第一磁阻元件1以及第二磁阻元件2的平面正交的方向上排列有多个磁阻元件单元10，该磁阻元件单元10中以第一方向为检测轴的平面型的第一磁阻元件1与以和第一方向不同的第二方向为检测轴的平面型的第二磁阻元件2对置配置，与测定样品6对置的面是与磁阻元件单元10的排列方向平行的面103。
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公开(公告)号：CN110573895B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201880027218.2
申请日：2018-04-24
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 一种磁传感器，抑制各磁阻元件的检测位置以及检测时刻的偏移，并以高精度并且以高空间分辨率进行测定。磁传感器100在与第一磁阻元件1以及第二磁阻元件2的平面正交的方向上排列有多个磁阻元件单元10，该磁阻元件单元10中以第一方向为检测轴的平面型的第一磁阻元件1与以和第一方向不同的第二方向为检测轴的平面型的第二磁阻元件2对置配置，与测定样品6对置的面是与磁阻元件单元10的排列方向平行的面103。
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公开(公告)号：CN111094953A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880060655.4
申请日：2018-09-10
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
IPC: G01N23/041 , G01J5/48 , G01N3/40 , G01N27/83 , H01M10/04
Abstract: 本发明在使用种类不同的多个非破坏检查单元来检查检查对象时，将在该各非破坏检查单元的检测结果中确定的检查对象上的位置彼此简单并且准确地对齐。在基于多个非破坏检查单元中的一非破坏检查单元的检测结果(图1的A)中的检查对象上决定打标位置而存储于装置，并且在相当于该打标位置的检查对象(1)上固定地形成能够通过其他非破坏检查单元检测的标记(m1、m2、m3)(图1的B)，之后，通过其他非破坏检查单元来检测包含标记的检查对象，以标记即打标位置为基准来将多个非破坏检查单元的检测结果彼此对照。
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公开(公告)号：CN110199352A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201880008084.X
申请日：2018-01-16
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明涉及磁阻元件以及磁阻元件的制造方法。当形成磁阻效应膜时，有效地实现覆盖层的保护并且减少该覆盖层所造成的负面影响，实现所希望的磁阻特性。本制造方法包括：第一工序，将层叠膜加工成规定的形状，上述层叠膜包括通过磁场使电阻变化的磁阻效应膜4和该磁阻效应膜的上层的厚度10nm～60nm的范围内的覆盖层40(图4(栏b)(栏c))；第二工序，以绝缘膜61覆盖保护上述层叠膜(图4(d))；第三工序，通过反应性蚀刻在上述绝缘膜形成开口来使上述覆盖层的表面在该开口露出(图4(栏e))；第四工序，对通过第三工序而在开口露出的覆盖层的表面进行离子铣削，对该覆盖层在小于其总膜厚的范围内进行蚀刻(图4(栏f))；第五工序，与在第四工序后保留的覆盖层的表面接触，对成为产品的一部分的上部层(51)进行成膜(图4(栏g))。
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