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公开(公告)号：CN109314181B
公开(公告)日：2022-09-30
申请号：CN201780037564.4
申请日：2017-06-19
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社 , 旋转感应制造厂株式会社
Abstract: 本发明改进隧道磁阻元件的自由磁性层的结构，且实现线性度较高的磁阻特性。在从靠近基板(2)的一侧，按照固定磁性层(10)、绝缘层(20)、自由磁性层(30)的顺序层叠，自由磁性层具有：下表面与绝缘层接合的铁磁层(31)、以及与该铁磁层的上表面接触并层叠的软磁层(33)。构成自由磁性层的铁磁层及软磁层的易磁化轴(A2)为彼此相同的方向且相对于固定磁性层的易磁化轴(A1)为不同的方向。
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公开(公告)号：CN109314181A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201780037564.4
申请日：2017-06-19
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明改进隧道磁阻元件的自由磁性层的结构，且实现线性度较高的磁阻特性。在从靠近基板(2)的一侧，按照固定磁性层(10)、绝缘层(20)、自由磁性层(30)的顺序层叠，自由磁性层具有：下表面与绝缘层接合的铁磁层(31)、以及与该铁磁层的上表面接触并层叠的软磁层(33)。构成自由磁性层的铁磁层及软磁层的易磁化轴(A2)为彼此相同的方向且相对于固定磁性层的易磁化轴(A1)为不同的方向。
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公开(公告)号：CN110573895B
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN201880027218.2
申请日：2018-04-24
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 一种磁传感器，抑制各磁阻元件的检测位置以及检测时刻的偏移，并以高精度并且以高空间分辨率进行测定。磁传感器100在与第一磁阻元件1以及第二磁阻元件2的平面正交的方向上排列有多个磁阻元件单元10，该磁阻元件单元10中以第一方向为检测轴的平面型的第一磁阻元件1与以和第一方向不同的第二方向为检测轴的平面型的第二磁阻元件2对置配置，与测定样品6对置的面是与磁阻元件单元10的排列方向平行的面103。
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公开(公告)号：CN110199352A
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201880008084.X
申请日：2018-01-16
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明涉及磁阻元件以及磁阻元件的制造方法。当形成磁阻效应膜时，有效地实现覆盖层的保护并且减少该覆盖层所造成的负面影响，实现所希望的磁阻特性。本制造方法包括：第一工序，将层叠膜加工成规定的形状，上述层叠膜包括通过磁场使电阻变化的磁阻效应膜4和该磁阻效应膜的上层的厚度10nm～60nm的范围内的覆盖层40(图4(栏b)(栏c))；第二工序，以绝缘膜61覆盖保护上述层叠膜(图4(d))；第三工序，通过反应性蚀刻在上述绝缘膜形成开口来使上述覆盖层的表面在该开口露出(图4(栏e))；第四工序，对通过第三工序而在开口露出的覆盖层的表面进行离子铣削，对该覆盖层在小于其总膜厚的范围内进行蚀刻(图4(栏f))；第五工序，与在第四工序后保留的覆盖层的表面接触，对成为产品的一部分的上部层(51)进行成膜(图4(栏g))。
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公开(公告)号：CN110178236A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201880007206.3
申请日：2018-01-17
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 使具有足够厚度的B吸收层与MTJ的上侧CoFeB层邻接并经过磁化退火而实现了期望的TMR比后，高精度地去除该B吸收层。在去除经过了层叠工序以及磁场中热处理工序后的MTJ的上侧CoFeB层(31)的上层(51-53、61)的干法蚀刻工序中，应用干法蚀刻装置以及识别由该干法蚀刻装置蚀刻的被蚀刻面的材料的分析装置，将蚀刻的结束设为由分析装置检测出所述CoFeB层的正上方B吸收层(51)暴露前的最终层(61、52或者53)减少至规定的水平或者所述正上方B吸收层增加至规定的水平的终点检测时。预先确定好分析装置的终点检测时之后的干法蚀刻装置的过蚀刻量，在层叠工序中，使从所述规定的水平到所述CoFeB层的上表面为止以仅与该过蚀刻量相当的层厚层叠所述正上方B吸收层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106163364B
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201580016845.2
申请日：2015-03-13
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
CPC classification number: A61B1/313 , A61B1/00071 , A61B1/0008 , A61B1/00154 , A61B1/015 , A61B1/05 , A61B1/0676 , A61B2090/3925 , A61B2090/3966 , A61M1/285 , G02B23/243 , G02B23/2461 , G02B23/2476
Abstract: 本发明涉及腹腔内窥镜装置及内窥镜系统，该内窥镜装置10具备：插入部11，其利用保护管覆盖拍摄光学系统以及照明光学系统；和操作部12，其与插入部的基端连接。通过形成为具有在腹腔k03内使用时能够从腹膜透析用导管k02延伸的插入部的前端延伸部k04的累积的中心角超过180度且360度以下的弯曲部的形状，对插入部的前端进行引导，或者，将供插入部插入的引导导管插通于留置导管，利用从留置导管的末端开口延伸的引导导管的前端延伸部的弯曲，向与留置导管的末端部的引导方向不同的方向引导插入部。
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公开(公告)号：CN106163364A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201580016845.2
申请日：2015-03-13
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
CPC classification number: A61B1/313 , A61B1/00071 , A61B1/0008 , A61B1/00154 , A61B1/015 , A61B1/05 , A61B1/0676 , A61B2090/3925 , A61B2090/3966 , A61M1/285 , G02B23/243 , G02B23/2461 , G02B23/2476
Abstract: 本发明涉及腹腔内窥镜装置及内窥镜系统，该内窥镜装置10具备：插入部11，其利用保护管覆盖拍摄光学系统以及照明光学系统；和操作部12，其与插入部的基端连接。通过形成为具有在腹腔k03内使用时能够从腹膜透析用导管k02延伸的插入部的前端延伸部k04的累积的中心角超过180度且360度以下的弯曲部的形状，对插入部的前端进行引导，或者，将供插入部插入的引导导管插通于留置导管，利用从留置导管的末端开口延伸的引导导管的前端延伸部的弯曲，向与留置导管的末端部的引导方向不同的方向引导插入部。
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公开(公告)号：CN110199352B
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201880008084.X
申请日：2018-01-16
Applicant: 国立大学法人东北大学 , 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明涉及磁阻元件以及磁阻元件的制造方法。当形成磁阻效应膜时，有效地实现覆盖层的保护并且减少该覆盖层所造成的负面影响，实现所希望的磁阻特性。本制造方法包括：第一工序，将层叠膜加工成规定的形状，上述层叠膜包括通过磁场使电阻变化的磁阻效应膜4和该磁阻效应膜的上层的厚度10nm～60nm的范围内的覆盖层40(图4的b、图4的c)；第二工序，以绝缘膜61覆盖保护上述层叠膜(图4的d)；第三工序，通过反应性蚀刻在上述绝缘膜形成开口来使上述覆盖层的表面在该开口露出(图4的e)；第四工序，对通过第三工序而在开口露出的覆盖层的表面进行离子铣削，对该覆盖层在小于其总膜厚的范围内进行蚀刻(图4的f)；第五工序，与在第四工序后保留的覆盖层的表面接触，对成为产品的一部分的上部层(51)进行成膜(图4的g)。
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公开(公告)号：CN108431620A
公开(公告)日：2018-08-21
申请号：CN201680076140.4
申请日：2016-12-28
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社 , 国立大学法人东北大学
Abstract: 包括：包含多个隧道磁阻元件(20)的元件阵列(10a)，所述多个隧道磁阻元件(20)分别具有固定磁性层(21)、自由磁性层(22)、以及被设置于固定磁性层及自由磁性层(22)之间的绝缘层(23)，且在外界磁场的影响下分别使绝缘层(23)的隧道电阻改变；以及对构成元件阵列(10a)的多个隧道磁阻元件(20)施加电压的电路(30)，施加于各隧道磁阻元件(20)的电压在0.1mV以上且50mV以下。
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公开(公告)号：CN116893202A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310344999.0
申请日：2023-03-31
Applicant: 柯尼卡美能达株式会社
Abstract: 本发明公开了电特性参数检查装置、电特性参数检查方法及记录介质，其能够不进行电极的机械扫描而短时间且高精度地检查广范围的对象。该电特性参数检查装置(1)具备：多个传感器，被配置于对象物；选择部(111)，选择多个由多个传感器中的两个以上的传感器的传感器对构成的规定的选择图案；测量部(113)，按照每个选择图案计测从所述选择图案所包括的传感器输出的电特性参数；以及解析部(114)，对按照每个所述选择图案而计测出的所述电特性参数进行解析。
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