-
公开(公告)号：CN100581216C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200610095790.1
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H04N5/225
CPC classification number: H04N5/2253 , H01L27/14618 , H01L27/14632 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/051 , H01L2224/05548 , H01L2224/13 , H01L2924/00014 , H04N5/2254 , H04N5/2257 , H01L2224/05599
Abstract: 一种摄像装置，构成该摄像装置的半导体芯片设置在基片上，包含连接端子和摄像元件部分。具有透镜部分的透镜薄板设置在半导体芯片上。沟至少设置在基片上，其中露出连接端子。导体图案形成在沟内，一端与连接端子电连接。
-
公开(公告)号：CN102651379B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201210043827.1
申请日：2012-02-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/1469
Abstract: 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。实施例的半导体制造方法具备：在第1基板的主表面上形成作为包含光电二极管的有源区域的光电二极管层的步骤；在所述光电二极管层上，形成包含布线以及覆盖该布线的绝缘层的布线层的步骤；在所述布线层上形成绝缘膜的步骤。实施例的半导体制造方法还具备：以使所述光电二极管层的晶体取向和第2基板的晶体取向一致的方式将所述第2基板接合到所述第1基板的所述绝缘膜的步骤。
-
公开(公告)号：CN102651379A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210043827.1
申请日：2012-02-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/1464 , H01L21/84 , H01L27/1203 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/14634 , H01L27/1469
Abstract: 本发明提供半导体装置及半导体装置的制造方法。实施例的半导体制造方法具备：在第1基板的主表面上形成作为包含光电二极管的有源区域的光电二极管层的步骤；在所述光电二极管层上，形成包含布线以及覆盖该布线的绝缘层的布线层的步骤；在所述布线层上形成绝缘膜的步骤。实施例的半导体制造方法还具备：以使所述光电二极管层的晶体取向和第2基板的晶体取向一致的方式将所述第2基板接合到所述第1基板的所述绝缘膜的步骤。
-
公开(公告)号：CN1897645A
公开(公告)日：2007-01-17
申请号：CN200610095790.1
申请日：2006-06-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H04N5/225
CPC classification number: H04N5/2253 , H01L27/14618 , H01L27/14632 , H01L2224/05001 , H01L2224/05009 , H01L2224/051 , H01L2224/05548 , H01L2224/13 , H01L2924/00014 , H04N5/2254 , H04N5/2257 , H01L2224/05599
Abstract: 一种摄像装置，构成该摄像装置的半导体芯片设置在基片上，包含连接端子和摄像元件部分。具有透镜部分的透镜薄板设置在半导体芯片上。沟至少设置在基片上，其中露出连接端子。导体图案形成在沟内，一端与连接端子电连接。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.016 seconds)
