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公开(公告)号：CN104916653A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510088877.5
申请日：2015-02-26
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L21/26506 , H01L21/26513 , H01L21/3221 , H01L27/14621 , H01L27/14645 , H01L27/14656 , H01L27/14689 , H01L31/02162 , H01L31/02327 , H01L31/1037 , H01L31/186 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明提供能够使用共通的半导体基板来制造规格不同的固体摄像装置的固体摄像装置用基板。实施方式的半导体装置用基板具备P型的半导体基板、P型或N型的半导体层、以及P型或N型的外延层。P型或N型的半导体层设于半导体基板的表层，电阻值比半导体基板的电阻值低。P型或N型的外延层设于半导体层的表面上，电阻值比半导体层的电阻值高。
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公开(公告)号：CN101902585A
公开(公告)日：2010-12-01
申请号：CN200910258407.3
申请日：2009-11-20
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/14609 , H04N5/37452 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，CMOS图象传感器包含多个单位像素，各单位像素具备：光电二极管，对入射光进行光电转换并累积；读出晶体管，从光电二极管读出信号电荷；浮动扩散，暂时累积由读出晶体管读出的信号电荷；电容附加用晶体管，与上述浮动扩散连接，对浮动扩散有选择地附加电容；以及复位晶体管，与电容增加用晶体管连接，将上述浮动扩散的电位进行复位。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105280656A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510309038.1
申请日：2015-06-08
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H04N5/3742 , H01L27/14618 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14685 , H01L2224/48091 , H04N5/2254 , H04N5/23212 , H04N5/369 , H01L2924/00014
Abstract: 根据实施方式，提供一种固体摄像装置。固体摄像装置具备传感器基板、微透镜和平坦化层。传感器基板以2维阵列状配置有多个光电变换元件。微透镜设在与多个光电变换元件的各受光面分别对置的位置，将入射的光向上述光电变换元件聚光。平坦化层设在微透镜的光入射的一侧，折射率比空气的折射率高，并且是微透镜的折射率的1/1.3倍以下。
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公开(公告)号：CN101902585B
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：CN200910258407.3
申请日：2009-11-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H04N5/3745 , H04N5/378
CPC classification number: H04N5/3745 , H01L27/14609 , H04N5/37452 , H04N5/378
Abstract: 本发明提供一种固体摄像装置，CMOS图像传感器包含多个单位像素，各单位像素具备：光电二极管，对入射光进行光电转换并累积；读出晶体管，从光电二极管读出信号电荷；浮动扩散，暂时累积由读出晶体管读出的信号电荷；电容附加用晶体管，与上述浮动扩散连接，对浮动扩散有选择地附加电容；以及复位晶体管，与电容增加用晶体管连接，将上述浮动扩散的电位进行复位。
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公开(公告)号：CN103367372B
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201310066905.4
申请日：2013-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/02 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供固体拍摄装置及固体拍摄装置的制造方法，可增加固定电荷层中的电荷量。实施方式的固体拍摄装置具备受光部、第1电荷保持膜、第2电荷保持膜。受光部对入射光进行光电变换。第1电荷保持膜在受光部的入射光入射的面侧形成，保持电荷。第2电荷保持膜的氧含量比第1电荷保持膜高，在第1电荷保持膜的入射光入射的面侧形成，保持电荷。
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公开(公告)号：CN103779363A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310202507.0
申请日：2013-05-28
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/18 , H01L27/14632 , H01L27/1464
Abstract: 本发明提供一种能够降低暗电流的固体拍摄装置以及固体拍摄装置的制造方法。根据本发明的一个实施方式，提供了固体拍摄装置。固体拍摄装置具备光电变换元件、固体电荷层、氮化硅膜和氧化硅膜。光电变换元件将入射光光电变换成与受光量相应的量的电荷并积累。固定电荷层被设置在光电变换元件的受光面侧，并保持负的固定电荷。氮化硅膜被设置在固定电荷层的受光面侧。氧化硅膜被设置在固定电荷层和氮化硅膜之间。
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公开(公告)号：CN103367372A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310066905.4
申请日：2013-03-04
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L31/02 , H01L27/14627 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供固体拍摄装置及固体拍摄装置的制造方法，可增加固定电荷层中的电荷量。实施方式的固体拍摄装置具备受光部、第1电荷保持膜、第2电荷保持膜。受光部对入射光进行光电变换。第1电荷保持膜在受光部的入射光入射的面侧形成，保持电荷。第2电荷保持膜的氧含量比第1电荷保持膜高，在第1电荷保持膜的入射光入射的面侧形成，保持电荷。
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