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    半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 无效

    公开(公告)号：CN105448941A

    公开(公告)日：2016-03-30

    申请号：CN201510530580.X

    申请日：2015-08-26

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 宫崎崇 ,  藤原郁夫 ,  饭田义典 ,  木村俊介 ,  舟木英之

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 本发明实施方式的半导体装置具有多个像素。所述多个像素分别包括光电转换部、第一杂质扩散区、电压供给线、第二杂质扩散区、电位障壁部和检测部。第一杂质扩散区对由所述光电转换部光电转换出的电荷进行保持。第二杂质扩散区与所述电压供给线相连接。电位障壁部在所述第一杂质扩散区与所述第二杂质扩散区之间形成恒定的电位障壁，限制电荷在所述第一杂质扩散区与所述第二杂质扩散区之间移动。检测部检测所述第一杂质扩散区所保持的电荷。

    带干涉型滤光片层的基板及使用该基板的显示装置
    2.
    发明授权
    带干涉型滤光片层的基板及使用该基板的显示装置 失效

    公开(公告)号：CN102656492B

    公开(公告)日：2015-03-04

    申请号：CN201080055911.4

    申请日：2010-01-21

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 中井豊 ,  小野富男 ,  本宫佳典 ,  额田秀记 ,  平山雄三 ,  永户一志 ,  宫崎崇

    IPC分类号： G02B5/28 ,  G02B5/20 ,  G02F1/1335

    CPC分类号： G02B5/28 ,  G02B5/201 ,  G02F1/133514 ,  G02F2001/133519 ,  G02F2001/133521

    摘要： 本发明的目的在于获得能用较少的工序数来形成、且光利用效率较高的带干涉型滤光片层的基板、以及使用该基板的显示装置。该带干涉型滤光片层的基板包括：平板状的基板；以及滤光片层，该滤光片层包括第一反射层、透射层、以及第二反射层，其中，所述第一反射层设置于基板上，并具有光半透射性，所述透射层由设置于所述第一反射层上的具有光透射性的第一间隔层、及设置于第一反射层上的一部分上的具有光透射性的第二间隔层和第三间隔层所形成，并具有第一区域、第二区域、及第三区域，所述第一区域、第二区域、及第三区域共同具有第一间隔层，且它们的光学膜厚因第二间隔层和第三间隔层而各不相同，所述第二反射层设置于所述透射层上，并具有光半透射性，并且，所述滤光片层使得在第一区域至第三区域中透过不同波长的光。

    图像感测设备和固态图像感测装置
    3.
    发明公开
    图像感测设备和固态图像感测装置 无效

    公开(公告)号：CN106206627A

    公开(公告)日：2016-12-07

    申请号：CN201510507361.X

    申请日：2015-08-18

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 宫崎崇 ,  舟木英之 ,  饭田义典 ,  高须勲

    IPC分类号： H01L27/146

    摘要： 本申请公开了一种图像感测设备和固态图像感测装置。根据某些实施例，图像感测设备具有存储电极、第二绝缘层、集电极、半导体层、光电转换层和上电极。存储电极被设置在第一绝缘层之上。第二绝缘层被设置在存储电极之上。集电极被设置在第一绝缘层之上并且通过半导体层与存储电极分开。半导体层被设置在存储电极、第二绝缘层和集电极之上并覆盖它们。光电转换层被设置在半导体层之上。上电极被设置在光电转换层之上。

    干涉滤波器和显示设备
    4.
    发明公开
    干涉滤波器和显示设备 无效

    公开(公告)号：CN103033866A

    公开(公告)日：2013-04-10

    申请号：CN201210216133.3

    申请日：2012-06-27

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 永户一志 ,  宫崎崇 ,  中井丰 ,  山口一

    IPC分类号： G02B5/28 ,  G02F1/1335

    CPC分类号： G02B5/201 ,  G02B5/286 ,  G02B5/288 ,  G02F2001/133521

    摘要： 本发明公开了干涉滤波器和显示设备。根据一个实施例，干涉滤波器包括基体、下部半透明层、以及上部半透明层。基体包括主表面。下侧半透射层设置在主表面上。上侧半透射层设置在下侧半透射层上。基体、下侧和上侧半透射层形成第一区域以选择性透射蓝光、形成第二区域以选择性透射绿光、并且形成第三区域以选择性透射红光，这些区域被配置在与主表面平行的平面中。第二区域中的下侧半透射层和上侧半透射层之间的距离短于第一区域中的下侧半透射层和上侧半透射层之间的距离，也短于第三区域中下侧半透射层和上侧半透射层之间的距离。

    图像感测设备和固态图像感测装置
    6.
    发明公开
    图像感测设备和固态图像感测装置 无效

    公开(公告)号：CN105448940A

    公开(公告)日：2016-03-30

    申请号：CN201510507277.8

    申请日：2015-08-18

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 宫崎崇 ,  舟木英之 ,  饭田义典 ,  高须勲

    IPC分类号： H01L27/146 ,  H01L27/148

    摘要： 本申请公开了一种图像感测设备和固态图像感测装置。根据某些实施例，图像感测设备具有集电极、第二绝缘层、存储电极、第三绝缘层、半导体层、光电转换层和上电极。第二绝缘层被设置在集电极之上。第二绝缘层具有第一开口。存储电极被设置在第二绝缘层之上。存储电极具有与第一开口重叠的第二开口。第三绝缘层覆盖存储电极。第三绝缘层具有与第二开口重叠的第三开口。半导体层覆盖第二绝缘层和第三绝缘层。半导体层被埋入第一开口、第二开口和第三开口中。光电转换层被设置在半导体层之上。上电极被设置在光电转换层之上。

    摄像装置与信号处理方法
    7.
    发明公开
    摄像装置与信号处理方法 无效

    公开(公告)号：CN105407302A

    公开(公告)日：2016-03-16

    申请号：CN201510449864.6

    申请日：2015-07-28

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 舟木英之 ,  藤原郁夫 ,  饭田义典 ,  宫崎崇 ,  木村俊介

    IPC分类号： H04N5/374 ,  H01L27/146

    摘要： 摄像装置包括半导体衬底、光电转换膜、第一晶体管、第一电容器、第二电容器、初始化电路部和控制部。光电转换膜层叠在半导体衬底上。第一晶体管的栅极与光电转换膜电连接。第一电容器与第一晶体管的漏极电连接。第二电容器与第一晶体管的源极电连接。初始化电路部将第一电容器的第一电荷量和第二电容器的第二电荷量分别初始化，使第一电容器的第一电荷量和第二电容器的第二电荷量的总量恒定，使第二电容器的第二电荷量达到规定量。控制部在由初始化电路部进行初始化后，按照第二电荷的量使第一电荷通过第一晶体管从第二电容器向第一电容器移动。信号处理部根据第一电容器的电压生成基于由光电转换膜产生的第二电荷的量的信号分量。

    固体摄像装置
    8.
    发明公开
    固体摄像装置 无效

    公开(公告)号：CN104934453A

    公开(公告)日：2015-09-23

    申请号：CN201410698275.7

    申请日：2014-11-27

    申请人： 株式会社东芝

    发明人： 宫崎崇 ,  藤原郁夫 ,  舟木英之

    IPC分类号： H01L27/146

    CPC分类号： H01L27/307 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14647 ,  H01L31/03762

    摘要： 本发明涉及固体摄像装置。本发明提供一种能够抑制像素内层叠的光电转换部之间发生混色，且能够进一步提高各光电转换部中的受光灵敏度的固体摄像装置。实施方式的固体摄像装置具有第1部分，该第1部分包括第1无机光电转换部、半导体基板部、以及微细结构体。半导体基板部中存在与所述第1无机光电转换部相对的、光入射的受光面，以及形成有包含读取电路的电路的电路形成面，在内部具有第2无机光电转换部。微细结构体配置在所述第1无机光电转换部与所述第2无机光电转换部之间。