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公开(公告)号：CN101510543B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910007167.X
申请日：2009-02-13
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/498 , B81B7/02
摘要： 本发明涉及一种集成半导体器件，其包括：多个半导体元件，具有不同的集成元件电路或不同的尺寸；绝缘材料，设置在所述半导体元件之间；有机绝缘膜，完全设置在所述半导体元件和所述绝缘材料上；细薄层布线，设置在所述有机绝缘膜上，且连接所述半导体元件；第一输入/输出电极，设置在所述绝缘材料的区域上；以及第一凸起电极，形成在所述第一输入/输出电极上。
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公开(公告)号：CN100544049C
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200710091368.3
申请日：2007-03-30
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/032 , H01G5/18 , H01H57/00 , H01H2057/006 , H01L41/094
摘要： 一种MEMS器件包括：具有第一固定端的第一致动器，其包括第一下电极、第一压电膜、以及第一上电极的层叠结构，并且可通过在第一下电极和第一上电极上施加电压而工作；具有第二固定端的第二致动器，其与第一致动器平行设置，并且包括第二下电极、第二压电膜、以及第二上电极的层叠结构，并且可通过在第二下电极和第二上电极上施加电压而工作；以及电路元件，其具有连接到第一致动器的第一作用部分和连接到第二致动器的第二作用部分。
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公开(公告)号：CN101510543A
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200910007167.X
申请日：2009-02-13
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L25/00 , H01L23/498 , B81B7/02
摘要： 本发明涉及一种集成半导体器件，其包括：多个半导体元件，具有不同的集成元件电路或不同的尺寸；绝缘材料，设置在所述半导体元件之间；有机绝缘膜，完全设置在所述半导体元件和所述绝缘材料上；细薄层布线，设置在所述有机绝缘膜上，且连接所述半导体元件；第一输入/输出电极，设置在所述绝缘材料的区域上；以及第一凸起电极，形成在所述第一输入/输出电极上。
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公开(公告)号：CN100530955C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200610065357.3
申请日：2006-03-23
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H03H3/02 , H03H9/02125 , H03H9/02157 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/023 , H03H2003/025
摘要： 本发明涉及一种薄膜压电共振器以及滤波器。一种薄膜压电共振器包括衬底以及第一和第二激发部分。所述衬底包括第一和第二腔。所述第一激发部分设置在所述第一腔上，并包括依次层压的第一电极、第一压电材料以及第二电极。在所述第一电极、所述第一压电材料以及所述第二电极间的交叠区域限定所述第一激发部分的周边的轮廓。第一距离定义为从所述第一激发部分的端部到所述第一腔的开口端部的平均距离。所述第二激发部分设置在所述第二腔上，并包括依次层压的第三电极、第二压电材料以及第四电极。第二距离定义为从所述第二激发部分的端部到所述第二腔的开口端部的平均距离，并与所述第一距离不同。
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公开(公告)号：CN100547920C
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200710079154.4
申请日：2007-02-14
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H03H9/564 , H03H3/02 , H03H9/174 , H03H9/568 , H03H2003/023
摘要： 一种薄膜压电共振器包括：具有空腔的衬底；第一介电层，设置在所述衬底上以覆盖所述空腔；第二介电层，设置在所述衬底上且设置在所述空腔的周围区域中，且其厚度大于所述第一介电层的厚度；第一电极，设置在所述第一介电层上和所述空腔上方；压电层，设置在所述第一电极上且设置为延伸至所述第二介电层上的区域；以及第二电极，设置在所述压电层上和所述第一电极上方。
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公开(公告)号：CN100527615C
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200510067261.6
申请日：2005-04-20
申请人： 株式会社东芝
摘要： 提供一种薄膜压电谐振器及其制造方法，电气机械耦合系数kt2和Q值同时增大，并且下部电极的膜厚控制容易。薄膜压电谐振器包括：基板(11)；下部电极(14)，面对该基板(11)一部分为空心状态并被机械地保持；压电体(15)，配置在下部电极(14)上，以使其在平面图形上，在自身占有的区域的内部包含所有下部电极(14)；上部电极(16)，在该压电体(15)上；中继电极(13)，在基板(11)和压电体(15)之间，在平面图形上，位于压电体(15)的占有区域的边界，并且在占有区域的内部与下部电极(14)连接；以及下部电极布线(17)，从占有区域的边界延长到外部，连接到中继电极(13)。
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公开(公告)号：CN101091311A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200680001608.X
申请日：2006-03-08
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H03H9/17
CPC分类号： H03H9/174 , H03H9/02125 , H03H9/132 , H03H9/588 , H03H9/605
摘要： 一种薄膜压电谐振器，包括：在基板(10)的主面上设置的下电极(11)，用以覆盖空腔(14)；在下电极(11)上设置的压电膜(12)，位于空腔(14)上方；以及上电极(13)。上电极(13)具有：与空腔(14)的一部分重叠的主体部分(13a)，连接到主体部分(13a)的一侧的突起部分(13b)，在主体部分(13a)的相对侧设置的连接部分(13c)以及连接到连接部分(13c)的扩展部分(13d)。突起部分(13b)的长度与连接部分(13c)的长度基本上相同，从而使得相对于空腔(14)位置的移动，空腔区域外部的上电极(13)和下电极(11)的重叠面积不变。结果，在空腔(14)外部相互面对的上(13)下(11)电极中的寄生电容的总和不随空腔(14)位置的移动而变化。
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公开(公告)号：CN101047226A
公开(公告)日：2007-10-03
申请号：CN200710091368.3
申请日：2007-03-30
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： B81B3/0072 , B81B2201/032 , H01G5/18 , H01H57/00 , H01H2057/006 , H01L41/094
摘要： 一种MEMS器件包括：具有第一固定端的第一致动器，其包括第一下电极、第一压电膜、以及第一上电极的层叠结构，并且可通过在第一下电极和第一上电极上施加电压而工作；具有第二固定端的第二致动器，其与第一致动器平行设置，并且包括第二下电极、第二压电膜、以及第二上电极的层叠结构，并且可通过在第二下电极和第二上电极上施加电压而工作；以及电路元件，其具有连接到第一致动器的第一作用部分和连接到第二致动器的第二作用部分。
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公开(公告)号：CN1874147A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610065357.3
申请日：2006-03-23
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H03H3/02 , H03H9/02125 , H03H9/02157 , H03H9/564 , H03H9/568 , H03H2003/023 , H03H2003/025
摘要： 一种薄膜压电共振器包括衬底以及第一和第二激发部分。所述衬底包括第一和第二腔。所述第一激发部分设置在所述第一腔上，并包括依次层压的第一电极、第一压电材料以及第二电极。在所述第一电极、所述第一压电材料以及所述第二电极间的交叠区域限定所述第一激发部分的周边的轮廓。第一距离定义为从所述第一激发部分的端部到所述第一腔的开口端部的距离。所述第二激发部分设置在所述第二腔上，并包括依次层压的第三电极、第二压电材料以及第四电极。第二距离定义为从所述第二激发部分的端部到所述第二腔的开口端部的距离，并与所述第一距离不同。
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公开(公告)号：CN100593853C
公开(公告)日：2010-03-10
申请号：CN200710091312.8
申请日：2007-03-29
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： B81C1/0023 , B81C1/00246 , B81C2201/019 , B81C2203/0771 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/96 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24137 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01041 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01057 , H01L2924/01072 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/1461 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/351 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
摘要： 即使装置包含MEMS器件和半导体器件，也可以获得高度集成的薄装置。一种半导体装置包括：被接合芯片，其包括：第一芯片，包括形成于其中的MEMS器件；第二芯片，包括形成于其中的半导体器件；以及粘合层，将所述第一芯片的侧面接合到所述第二芯片的侧面，并具有低于所述第一和第二芯片的材料的杨式模量。
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