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公开(公告)号：CN107614740B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201680003575.6
申请日：2016-12-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/285
Abstract: 根据一个实施例，处理装置包括物体配置部、发生源配置部和准直器。物体设置在物体配置部上。发生源配置部设置在远离物体配置部分开的位置，能够向着物体发射粒子的粒子发生源设置在发生源配置部上。准直器被构造成设置在物体配置部和发生源配置部之间。准直器包括：框架；和第一整流部，第一整流包括多个第一壁和多个由第一壁形成并沿第一方向从发生源配置部向物体配置部延伸的第一通孔，准直器被构造成可移除地附接到框架。
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公开(公告)号：CN107923035B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201680050126.7
申请日：2016-12-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/285
Abstract: 根据实施方式的一种处理装置包括容器、工件放置单元、准直器、和磁场产生单元。工件放置单元设置在容器内部，所述工件放置单元上能够放置供粒子堆叠的工件。所述准直器被设置在所述容器内部，并包括第一表面、与所述第一表面相反侧的第二表面、以及穿透所述第一表面和所述第二表面的通孔。所述磁场产生单元被设置在所述容器内部，并且在所述通孔内部，在所述第一表面和所述第二表面之间产生磁场。
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公开(公告)号：CN107949654B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201680050892.3
申请日：2016-12-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/54 , H01L21/285
Abstract: 根据一个实施例的处理装置包括物体放置单元、源放置单元、准直器和温度调节单元。物体放置单元被配置以供物体放置。源放置单元被布置在与物体放置单元分离的位置上，并且被配置以供粒子源放置，粒子源能够朝向物体喷射粒子。准直器被配置为布置在物体放置单元与源放置单元之间，包括多个壁，并且设置有由所述多个壁形成并且从物体放置单元向源放置单元的方向延伸的通孔。温度调节单元被配置为调节准直器的温度。
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公开(公告)号：CN108026633B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201680052053.5
申请日：2016-12-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/34 , C23C14/35 , H01L21/285
Abstract: 根据实施例的处理装置包括物体放置单元、源放置单元、整流构件以及电源。所述物体放置单元被配置为具有放置在其上的物体。所述源放置单元布置成与所述物体放置单元分开并且被配置为具有放置在其上的粒子源，所述粒子源能够朝着所述物体发射粒子。在从所述源放置单元至所述物体放置单元的第一方向上，所述整流构件布置在所述物体放置单元和所述源放置单元之间。所述电源被配置为向所述整流单元施加与所述粒子中的电荷的极性具有相同极性的电压。
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公开(公告)号：CN108026633A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680052053.5
申请日：2016-12-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/34 , C23C14/35 , H01L21/285
Abstract: 根据实施例的处理装置包括物体放置单元、源放置单元、整流构件以及电源。所述物体放置单元被配置为具有放置在其上的物体。所述源放置单元布置成与所述物体放置单元分开并且被配置为具有放置在其上的粒子源，所述粒子源能够朝着所述物体发射粒子。在从所述源放置单元至所述物体放置单元的第一方向上，所述整流构件布置在所述物体放置单元和所述源放置单元之间。所述电源被配置为向所述整流单元施加与所述粒子中的电荷的极性具有相同极性的电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107949654A
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201680050892.3
申请日：2016-12-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/54 , H01L21/285
CPC classification number: C23C14/54 , C23C14/34 , C23C14/35 , H01J37/3447 , H01L21/285
Abstract: 根据一个实施例的处理装置包括物体放置单元、源放置单元、准直器和温度调节单元。物体放置单元被配置以供物体放置。源放置单元被布置在与物体放置单元分离的位置上，并且被配置以供粒子源放置，粒子源能够朝向物体喷射粒子。准直器被配置为布置在物体放置单元与源放置单元之间，包括多个壁，并且设置有由所述多个壁形成并且从物体放置单元向源放置单元的方向延伸的通孔。温度调节单元被配置为调节准直器的温度。
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公开(公告)号：CN107923036B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201680050880.0
申请日：2016-12-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/34
Abstract: 根据一个实施方式的处理装置包括物体配置部、发生源配置部和准直器。所述物体配置部配置有物体。所述发生源配置部配置在从所述物体配置部离开的位置，并配置有能够朝向所述物体释放粒子的粒子发生源。所述准直器配置在所述物体配置部与所述发生源配置部之间，具有多个壁，并设置有由所述多个壁形成的多个通孔。所述多个壁具有面向所述通孔的第一内表面。所述第一内表面具有：第一部分，由能够释放所述粒子的第一材料制成；和第二部分，在第一方向上与所述第一部分并列，比所述第一部分更接近所述物体配置部，并且，由与所述第一材料不同的第二材料制成。
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公开(公告)号：CN107923036A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680050880.0
申请日：2016-12-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/34
Abstract: 根据一个实施方式的处理装置包括物体配置部、发生源配置部和准直器。所述物体配置部配置有物体。所述发生源配置部配置在从所述物体配置部离开的位置，并配置有能够朝向所述物体释放粒子的粒子发生源。所述准直器配置在所述物体配置部与所述发生源配置部之间，具有多个壁，并设置有由所述多个壁形成的多个通孔。所述多个壁具有面向所述通孔的第一内表面。所述第一内表面具有：第一部分，由能够释放所述粒子的第一材料制成；和第二部分，在第一方向上与所述第一部分并列，比所述第一部分更接近所述物体配置部，并且，由与所述第一材料不同的第二材料制成。
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公开(公告)号：CN107923035A
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201680050126.7
申请日：2016-12-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/285
Abstract: 根据实施方式的一种处理装置包括容器、工件放置单元、准直器、和磁场产生单元。工件放置单元设置在容器内部，所述工件放置单元上能够放置供粒子堆叠的工件。所述准直器被设置在所述容器内部，并包括第一表面、与所述第一表面相反侧的第二表面、以及穿透所述第一表面和所述第二表面的通孔。所述磁场产生单元被设置在所述容器内部，并且在所述通孔内部，在所述第一表面和所述第二表面之间产生磁场。
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公开(公告)号：CN107614740A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680003575.6
申请日：2016-12-19
Applicant: 株式会社东芝
IPC: C23C14/34 , H01L21/203 , H01L21/285
Abstract: 根据实施例的处理装置包括物体配置部、发生源配置部和准直器。物体配置部被构造成在其上设置物体。发生源配置部设置在远离物体配置部分开的位置，并且被构造成能够向着物体发射粒子的粒子发生源设置在发生源配置部上。准直器被构造成设置在物体配置部和发生源配置部之间，其包括框架和第一整流部，第一整流包括多个第一壁，包括多个由第一壁形成并沿第一方向从发生源配置部向物体配置部延伸的第一通孔，并且被构造成可移除地附接到框架。
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