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公开(公告)号:CN1331210C
公开(公告)日:2007-08-08
申请号:CN200410031633.5
申请日:2004-03-31
CPC分类号: H01L21/6835 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381 , H01L2221/6839 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
摘要: 一种半导体器件的制造方法,包括:在已在第1面上形成了半导体元件的半导体晶片的上述第1面上,设置最终加工厚度以上的沟;向已设置有上述沟的上述晶片的上述第1面之上粘贴粘接性带;采用从与已粘贴上上述粘接性带的上述半导体晶片的上述第1面相反的第2面使上述半导体晶片薄厚度化的办法,把上述半导体晶片分离成已形成了上述半导体元件的多个半导体芯片,向分离后的上述半导体晶片的整个背面上粘贴粘接剂层;使得分离成每一个上述半导体芯片那样地切断上述粘接剂层;在切断上述粘接剂层后,用至少已分离成2个吸附区的多孔质构件边借助于吸附固定上述半导体晶片,边从上述半导体晶片上剥离上述粘接性带。
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公开(公告)号:CN1536646A
公开(公告)日:2004-10-13
申请号:CN200410031633.5
申请日:2004-03-31
CPC分类号: H01L21/6835 , H01L21/304 , H01L21/3043 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68363 , H01L2221/68381 , H01L2221/6839 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
摘要: 一种半导体器件的制造方法,包括:在已在第1面上形成了半导体元件的半导体晶片的上述第1面上,设置最终加工厚度以上的沟;向已设置有上述沟的上述晶片的上述第1面之上粘贴粘接性带;采用从与已粘贴上上述粘接性带的上述半导体晶片的上述第1面相反的第2面使上述半导体晶片薄厚度化的办法,把上述半导体晶片分离成已形成了上述半导体元件的多个半导体芯片,向分离后的上述半导体晶片的整个背面上粘贴粘接剂层;使得分离成每一个上述半导体芯片那样地切断上述粘接剂层;在切断上述粘接剂层后,用至少已分离成2个吸附区的多孔质构件边借助于吸附固定上述半导体晶片,边从上述半导体晶片上剥离上述粘接性带。
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公开(公告)号:CN1323431C
公开(公告)日:2007-06-27
申请号:CN200410029644.X
申请日:2004-03-26
CPC分类号: H01L21/6838 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , Y10S156/941 , Y10S438/976 , Y10T156/1052 , Y10T156/1179 , Y10T156/12 , Y10T156/19
摘要: 本发明提供一种减少半导体芯片断裂、崩屑等不良,制造高品质半导体器件,并且抑制制造成品率低下的具有粘着性带剥离机构的半导体制造设备和半导体器件的制造方法。具备剥离机构,该剥离机构被保持台3支撑,用在粘着性带24的剥离方向至少分为至少2个吸附区的多孔质材料吸附固定粘着性带的所述半导体晶片一侧,剥离粘贴在分成小片后的半导体晶片上的粘着性带24。对半导体晶片的每个半导体芯片1的背面粘贴粘合剂层。通过所述多孔质材料吸附固定半导体晶片,控制2系统以上的真空配管系统,在剥离前后一边转换二等分以上的吸附组和真空系统一边剥离粘着性带,从台上剥离一个个半导体芯片。能够制成叠层半导体芯片的叠式MCP制品。
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公开(公告)号:CN1532900A
公开(公告)日:2004-09-29
申请号:CN200410029644.X
申请日:2004-03-26
CPC分类号: H01L21/6838 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/6839 , Y10S156/941 , Y10S438/976 , Y10T156/1052 , Y10T156/1179 , Y10T156/12 , Y10T156/19
摘要: 本发明提供一种减少半导体芯片断裂、崩屑等不良,制造高品质半导体器件,并且抑制制造成品率低下的具有粘着性带剥离机构的半导体制造设备和半导体器件的制造方法。具备剥离机构,该剥离机构被保持台3支撑,用在粘着性带24的剥离方向至少分为至少2个吸附区的多孔质材料吸附固定粘着性带的所述半导体晶片一侧,剥离粘贴在分成小片后的半导体晶片上的粘着性带24。对半导体晶片的每个半导体芯片1的背面粘贴粘合剂层。通过所述多孔质材料吸附固定半导体晶片,控制2系统以上的真空配管系统,在剥离前后一边转换二等分以上的吸附组和真空系统一边剥离粘着性带,从台上剥离一个个半导体芯片。能够制成叠层半导体芯片的叠式MCP制品。
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