公开(公告)号：CN119769195A

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202380060148.1

申请日：2023-08-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 神长正美 ,  井口贵弘 ,  三泽千惠子 ,  佐藤亚美 ,  肥冢纯一

IPC: H10D30/67 ,  H10D30/63 ,  H10D86/60 ,  H10D86/01 ,  H10D30/01 ,  H05B33/02 ,  H10K59/121

Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置。半导体装置包括第一导电层、第一导电层上的第二导电层、第二导电层上的第一绝缘层、第一绝缘层上的半导体层及第三导电层、半导体层及第三导电层上的第二绝缘层以及第二绝缘层上的第四导电层，第二导电层的至少一部分与第一导电层的顶面接触，半导体层与第一导电层的顶面、第二导电层的侧面、第三导电层及第一绝缘层的侧面接触，并且第四导电层隔着第二绝缘层与半导体层重叠。

公开(公告)号：CN119013783A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202380033837.3

申请日：2023-04-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  井口贵弘 ,  三泽千惠子 ,  佐藤亚美 ,  土桥正佳 ,  神长正美

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/786 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10 ,  H10K50/10 ,  H10K59/00

Abstract: 提供一种集成度高的半导体装置(10)。半导体装置包括彼此电连接的第一及第二晶体管以及第一绝缘层(110)，其中，第一晶体管(M2)包括第一半导体层(108)、第二绝缘层(106)及第一至第三导电层，第二晶体管(M1)包括第二半导体层(109)、第三绝缘层(106)及第四至第六导电层，第一绝缘层具有位于第一导电层(112a)上且到达第一导电层的开口，第二导电层(112b)位于第一绝缘层上，第一半导体层与第一导电层的顶面、开口的内壁及第二导电层接触，第三导电层(104)位于第二绝缘层上的与开口的内壁重叠的位置，第三绝缘层位于第四导电层(112b)上，第二半导体层以与第四导电层重叠的方式位于第三绝缘层上，并且，在剖视时，第五导电层(116a)接触于第二半导体层的侧端部的一个顶面，第六导电层(116b)接触于与一个侧端部相对的侧端部的另一个顶面。

公开(公告)号：CN118922949A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380025998.8

申请日：2023-03-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  三泽千惠子 ,  佐藤亚美 ,  土桥正佳

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H05B33/10 ,  H05B45/60 ,  H10K50/00

Abstract: 提供一种集成度高的半导体装置。半导体装置包括：第一及第二晶体管；以及绝缘层，第一晶体管包括：源电极；在源电极上的绝缘层上的漏电极；接触于源电极的顶面、设置在绝缘层的开口的内壁及漏电极的顶面的第一半导体层；接触于第一半导体层的顶面及侧面的第一栅极绝缘层；第一栅极绝缘层上的具有重叠于开口的内壁的区域的第一栅电极，第二晶体管包括：绝缘层上的第二半导体层；接触于第二半导体层的顶面及侧面中的一方的源电极；接触于第二半导体层的顶面及侧面中的另一方的漏电极；接触于第二半导体层的顶面、源电极的顶面及侧面以及漏电极的顶面及侧面的第二栅极绝缘层；第二栅极绝缘层上的第二栅电极，并且，第一半导体层与第二栅电极接触。

公开(公告)号：CN116895660A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310324678.4

申请日：2023-03-29

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  神长正美 ,  井口贵弘 ,  三泽千惠子 ,  佐藤亚美 ,  土桥正佳

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H10K59/12 ,  H10K59/121 ,  H10K59/131

Abstract: 提供一种集成度高的半导体装置以及半导体装置的制造方法。该半导体装置包括第一及第二晶体管以及第一绝缘层，第一晶体管包括第一半导体层、第二绝缘层以及第一至第三导电层，第二晶体管包括第二半导体层、第三绝缘层以及第四至第六导电层，第一绝缘层具有接触于第一半导体层及第一导电层的区域以及到达第一导电层的开口，第一半导体层接触于第一导电层的顶面、开口的内壁以及第二导电层，第二导电层位于第一绝缘层上，第三导电层设在第一半导体层上且具有隔着第二绝缘层重叠于开口的内壁的区域，第二半导体层接触于第四及第五导电层的彼此相对的侧端部的侧面及顶面，第六导电层隔着第三绝缘层设在第二半导体层上，第一及第二晶体管彼此电连接。

公开(公告)号：CN118974805A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202380030737.5

申请日：2023-04-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 保坂泰靖 ,  井口贵弘 ,  三泽千惠子 ,  佐藤亚美 ,  土桥正佳 ,  神长正美

IPC: G09F9/30 ,  G09F9/00 ,  H05B44/00 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/088 ,  H01L29/786 ,  H05B33/10 ,  H10K50/00

Abstract: 提供一种能够实现集成度高的半导体装置。该半导体装置包括彼此电连接的第一及第二晶体管以及第一绝缘层，其中第一晶体管包括第一半导体层、第二绝缘层以及第一至第三导电层，第二晶体管包括第二半导体层、第三绝缘层以及第四至第六导电层，第一绝缘层位于第一导电层上且包括到达第一导电层的开口，第二导电层位于第一绝缘层上，第一半导体层接触于第一导电层的顶面、开口的内壁以及第二导电层，第三导电层以在第二绝缘层上重叠于开口的内壁的方式设置，第三绝缘层位于第四导电层上，第五及第六导电层隔着第三绝缘层在第四导电层上设置，第二半导体层接触于第五及第六导电层的顶面、彼此相对的侧面以及夹在第五导电层与第六导电层之间的第三绝缘层的顶面。

公开(公告)号：CN114207832A

公开(公告)日：2022-03-18

申请号：CN202080055599.2

申请日：2020-07-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 后藤尚人 ,  池泽直树 ,  中田昌孝 ,  佐藤亚美 ,  三泽千惠子

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34 ,  H01L21/77 ,  H01L27/12

Abstract: 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。本发明的一个方式是一种包括半导体层、半导体层上的第一绝缘层以及第一绝缘层上的导电层的半导体装置。半导体层具有第一区域、一对的第二区域、一对的第三区域以及一对的第四区域。第二区域夹着第一区域设置，第三区域夹着第一区域及第二区域设置，第四区域夹着第一区域、第二区域及第三区域设置。第一区域具有与第一绝缘层及导电层重叠的区域，第二区域及第三区域分别具有与第一绝缘层重叠的区域且不与导电层重叠，第四区域不与第一绝缘层和导电层重叠。与第二区域重叠的区域的第一绝缘层的厚度大致相等于与第一区域重叠的区域的第一绝缘层的厚度。与第三区域重叠的区域的第一绝缘层的厚度比与第二区域重叠的区域的第一绝缘层的厚度薄。