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公开(公告)号：CN119678670A
公开(公告)日：2025-03-21
申请号：CN202380058213.7
申请日：2023-07-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种同时实现低功耗和高性能的半导体装置。半导体装置包括第一晶体管、第二晶体管及第一绝缘层。第一晶体管包括第一至第三导电层、第一半导体层及第二绝缘层。第一绝缘层夹在第一导电层和第二导电层之间。第一绝缘层及第二导电层具有到达第一导电层的开口。第一半导体层在开口中与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面及第二导电层的侧面接触。第一半导体层具有隔着第二绝缘层与第三导电层重叠的区域。第二晶体管包括第二半导体层、第二及第三绝缘层以及第四导电层。第二半导体层的端部与第三绝缘层的端部一致或大致一致。第二半导体层具有隔着第二绝缘层及第三绝缘层与第四导电层重叠的区域。
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公开(公告)号：CN119153515A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202410711387.5
申请日：2024-06-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L21/28 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。提供一种同时实现微型化及高可靠性的晶体管。本发明的一个方式是一种半导体装置及半导体装置的制造方法。该半导体装置包括晶体管及第一绝缘层。晶体管包括第一至第三导电层、半导体层、第二绝缘层。第一绝缘层包括第一层及该第一层上的第二层。第一绝缘层位于第一导电层上，并包括到达第一导电层的第一开口。第二导电层位于第二层上。半导体层与第一导电层及第二导电层接触，并与第一开口内侧的第一层的侧面接触。第二绝缘层在第一开口内覆盖半导体层，第三导电层在第一开口内覆盖第二绝缘层。第一绝缘层在与第一开口不同的位置上包括第二开口。第二绝缘层在第二开口内侧与第一层接触。第一层包括氧化物绝缘膜，第二层包括具有氧阻挡性的绝缘膜。
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公开(公告)号：CN109643735B
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN201780052947.9
申请日：2017-09-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/14
Abstract: 提供一种新颖的显示装置。该显示装置包括像素部以及驱动该像素部的驱动电路。驱动电路包括双栅结构的第一晶体管。像素部包括单栅结构的第二晶体管及与第二晶体管电连接的像素电极。第一晶体管及第二晶体管的每一个包括被用作沟道的第一金属氧化物膜。各金属氧化物膜包括第一区域及第二区域。第一区域包含In或者Zn、以及氧。第二区域包含In或者元素M、以及氧。第一区域及第二区域以马赛克状分散或者分布。
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公开(公告)号：CN115241045B
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202210902715.0
申请日：2017-03-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。
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公开(公告)号：CN119698938A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202380059006.3
申请日：2023-08-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种占有面积小的半导体装置。该半导体装置包括第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层、第一导电层、第二导电层以及第一绝缘层。第一绝缘层设置在第一导电层上。第二导电层设置在第一绝缘层上。第一绝缘层及第二导电层包括到达第一导电层的开口。第一半导体层与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面以及第二导电层的顶面及侧面接触。第二半导体层设置在第一半导体层上。第三半导体层设置在第二半导体层上。第一半导体层包括第一材料。第二半导体层包括第二材料。第三半导体层包括第三材料。第一材料的带隙大于第二材料的带隙。第三材料的带隙大于第二材料的带隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119522638A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202380051838.0
申请日：2023-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种微细尺寸的晶体管。该晶体管包括第一导电层、第二导电层、第三导电层、第一绝缘层、第二绝缘层及半导体层。第一绝缘层设置在第一导电层上，并包括到达第一导电层的开口及在从平面看时围绕开口的凹部。第二导电层以覆盖凹部的内壁的方式设置，并具有隔着第一绝缘层与半导体层相对的区域。半导体层以具有与开口重叠的区域的方式设置，并与第一导电层的顶面、第一绝缘层的侧面、第二导电层的侧面及第二导电层的顶面接触。第二绝缘层以与半导体层的顶面接触的方式设置。第三导电层以覆盖开口的内壁的方式设置在第二绝缘层上，并具有隔着第二绝缘层与半导体层相对的区域。
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公开(公告)号：CN115172467A
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210637773.5
申请日：2017-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/49 , H01L27/12
Abstract: 包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及其可靠性得到提高。本发明提供一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的栅电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜。当通过氧等离子体处理对第二绝缘膜添加过剩氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。
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公开(公告)号：CN109643735A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201780052947.9
申请日：2017-09-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/14
CPC classification number: H01L27/1225 , G09G3/3233 , G09G3/3648 , G09G3/3677 , G09G3/3688 , G09G5/39 , G09G2320/103 , G09G2330/021 , G09G2330/04 , G09G2340/0407 , G09G2360/144 , G09G2360/18 , H01L27/0251 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/1255 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
Abstract: 提供一种新颖的显示装置。该显示装置包括像素部以及驱动该像素部的驱动电路。驱动电路包括双栅结构的第一晶体管。像素部包括单栅结构的第二晶体管及与第二晶体管电连接的像素电极。第一晶体管及第二晶体管的每一个包括被用作沟道的第一金属氧化物膜。各金属氧化物膜包括第一区域及第二区域。第一区域包含In或者Zn、以及氧。第二区域包含In或者元素M、以及氧。第一区域及第二区域以马赛克状分散或者分布。
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公开(公告)号：CN108738364A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201780012189.8
申请日：2017-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/14
CPC classification number: H01L21/385 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/022 , H01L21/02274 , H01L21/02323 , H01L21/02326 , H01L21/0234 , H01L21/44 , H01L21/443 , H01L21/4757 , H01L29/045 , H01L29/4908 , H01L29/518 , H01L29/66969 , H01L29/78648 , H01L29/7869
Abstract: 包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及其可靠性得到提高。本发明提供一种包括氧化物半导体膜的半导体装置。该半导体装置包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；氧化物半导体膜上的第二绝缘膜及第三绝缘膜；以及第二绝缘膜上的栅电极。第二绝缘膜包括氧氮化硅膜。当通过氧等离子体处理对第二绝缘膜添加过剩氧时，可以对氧化物半导体膜高效地供应氧。
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公开(公告)号：CN119653835A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411232760.5
申请日：2024-09-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10D30/67 , H10D30/01 , H10K59/12 , H10K59/121
Abstract: 提供一种包括微型晶体管的半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括第一至第三绝缘层、包括半导体层、第一至第四导电层、第四至第六绝缘层的晶体管。第一导电层、第一绝缘层、第三导电层、第五绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层及第二导电层依次重叠。第一至第三绝缘层、第二及第三导电层具有到达第一导电层的开口。第一绝缘层在开口内具有突出的部分，第四绝缘层与第一绝缘层的顶面、第五绝缘层的侧面及第二绝缘层的侧面接触。第三导电层的氧化物的第五绝缘层与第三导电层的顶面及侧面接触。该半导体层与第一及第二导电层的顶面、第四绝缘层的侧面接触。第六绝缘层与半导体层的顶面接触。第四导电层以与开口重叠的方式接触于第六绝缘层上。
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