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公开(公告)号：CN102683386B
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201210058573.0
申请日：2012-02-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/10873 , H01L27/1156 , H01L29/4908 , H01L29/78603 , H01L29/78606
Abstract: 本发明对将难以控制阈值电压的半导体膜用于活性层的晶体管赋予稳定的电特性从而提供一种可靠性高的半导体装置。可以通过将具有负的固定电荷的氧化硅膜用于与晶体管的活性层接触的膜或活性层附近的膜，从而利用负的固定电荷使负电场一直重叠于活性层，使阈值电压向正方向漂移。因此，可以对晶体管赋予稳定的电特性从而制造一种可靠性高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN119032641A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202380034356.4
申请日：2023-04-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H10K59/122 , G09F9/30 , G09F9/302 , H10K50/852 , H10K59/35 , H10K59/95
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性优异的新颖显示装置。显示装置包括第一至第四发光器件，第一发光器件包含发光材料并包括夹在第一电极与第二电极之间的第一层及夹在第一层与第一电极之间的第二层。第二发光器件包含发光材料并包括夹在第三电极与第四电极之间的第三层及夹在第三层与第三电极之间的第四层，在第三电极与第一电极之间具有第一间隙，第四层与第二层在第一间隙上连续。第三发光器件包含发光材料并包括夹在第五电极与第六电极之间的第五层及夹在第五层与第五电极之间的第六层，在第五电极与第三电极之间具有第二间隙，在第六层与第四层之间具有与第二间隙重叠的第三间隙。
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公开(公告)号：CN118119214A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311567947.6
申请日：2023-11-23
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 提供一种方便性、实用性或可靠性良好的新颖显示装置、显示模块、电子设备。显示装置包括第一发光器件、第二发光器件及第一层。第一发光器件包括第一电极、第二电极、第一电极与第二电极之间的第一单元及第一电极与第一单元之间的第二层。第一单元包含第一发光性材料。第二发光器件包括第三电极、第四电极、第三电极与第四电极之间的第二单元及第三电极与第二单元之间的第三层。第二单元包含第二发光性材料。第一层在第一电极与第二层之间且在第三电极与第三层之间，并且与第一电极与第三电极之间的第一间隙重叠。
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公开(公告)号：CN102683386A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210058573.0
申请日：2012-02-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/10873 , H01L27/1156 , H01L29/4908 , H01L29/78603 , H01L29/78606
Abstract: 本发明对将难以控制阈值电压的半导体膜用于活性层的晶体管赋予稳定的电特性从而提供一种可靠性高的半导体装置。可以通过将具有负的固定电荷的氧化硅膜用于与晶体管的活性层接触的膜或活性层附近的膜，从而利用负的固定电荷使负电场一直重叠于活性层，使阈值电压向正方向漂移。因此，可以对晶体管赋予稳定的电特性从而制造一种可靠性高的半导体装置。
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公开(公告)号：CN107419225A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201611206269.0
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103124805B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201280000715.6
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/08 , B28B11/243 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/76 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/345 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN103290371A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310150088.0
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/08 , B28B11/243 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/76 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/345 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN107419225B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201611206269.0
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN103290371B
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201310150088.0
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/08 , B28B11/243 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/76 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/345 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
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公开(公告)号：CN103124805A
公开(公告)日：2013-05-29
申请号：CN201280000715.6
申请日：2012-05-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: C23C14/34 , H01L21/363
CPC classification number: C23C14/08 , B28B11/243 , C04B35/453 , C04B35/64 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/76 , C23C14/086 , C23C14/3414 , C23C14/345 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。
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