公开(公告)号：CN105659369B

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201480057867.9

申请日：2014-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安藤善范 ,  宫人秀和 ,  山出直人 ,  比嘉麻子 ,  铃木视喜 ,  家田義纪 ,  铃木康太 ,  根井孝征 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。

公开(公告)号：CN105849875B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201480070814.0

申请日：2014-12-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫人秀和

IPC: H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/34

Abstract: 提供一种采用使用氧化物半导体膜的晶体管的新颖的半导体装置，其中将包含Cu的导电膜用作布线或电极等。该半导体装置包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体；隔着栅极绝缘膜与氧化物半导体重叠的栅电极：与栅电极的侧表面接触的第二绝缘膜；以及与栅电极的顶表面接触的第三绝缘膜。栅电极包括Cu‑X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta、Ti、Zr、Mg、Ca或这些元素中两个以上的混合物)。

公开(公告)号：CN110571278A

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201910878492.7

申请日：2014-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安藤善范 ,  宫人秀和 ,  山出直人 ,  比嘉麻子 ,  铃木视喜 ,  家田義纪 ,  铃木康太 ,  根井孝征 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/12 ,  H01L21/34 ,  H01L21/84 ,  H01L21/02 ,  H01L21/469 ,  H01L21/4757 ,  H01L21/477 ,  H01L21/822 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置。在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。

公开(公告)号：CN105849875A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201480070814.0

申请日：2014-12-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫人秀和

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

Abstract: 提供一种采用使用氧化物半导体膜的晶体管的新颖的半导体装置，其中将包含Cu的导电膜用作布线或电极等。该半导体装置包括：第一绝缘膜；第一绝缘膜上的氧化物半导体；隔着栅极绝缘膜与氧化物半导体重叠的栅电极：与栅电极的侧表面接触的第二绝缘膜；以及与栅电极的顶表面接触的第三绝缘膜。栅电极包括Cu?X合金膜(X为Mn、Ni、Cr、Fe、Co、Mo、Ta、Ti、Zr、Mg、Ca或这些元素中两个以上的混合物)。

公开(公告)号：CN105659369A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201480057867.9

申请日：2014-10-15

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 安藤善范 ,  宫人秀和 ,  山出直人 ,  比嘉麻子 ,  铃木视喜 ,  家田義纪 ,  铃木康太 ,  根井孝征 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 在使用氧化物半导体的半导体装置中提高电特性，并且提供一种电特性变动少且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：进行热脱附谱分析时的400℃以上的任意温度下的氢分子的脱离量为300℃下的氢分子的脱离量的130％以下的第一绝缘膜；第一绝缘膜上的第一阻挡膜；第一阻挡膜上的具有包含超过化学计量组成的氧的区域的第二绝缘膜；以及第二绝缘膜上的包括第一氧化物半导体膜的第一晶体管。