膜状物品及其制作方法

    公开(公告)号:CN101916764A

    公开(公告)日:2010-12-15

    申请号:CN201010235687.9

    申请日:2005-01-20

    IPC分类号: H01L27/13 H01L21/77

    摘要: 本发明涉及膜状物品及其制作方法。由于由硅晶片形成的芯片厚,因此该芯片从表面突出,或者该芯片如此大以至于通过眼睛能看到它,这影响了商务卡等的设计。因此,本发明的目的是提供一种新的集成电路,其具有一种结构,利用该结构不会影响所述设计。鉴于上述问题,本发明的特征是使膜状物品配备有薄膜集成电路。本发明的另一特征是IDF芯片具有0.2mm或更小的半导体膜作为有源区。因此,与由硅晶片形成的芯片相比,IDF芯片可以被制作得更薄。除此之外,与由硅晶片形成的芯片不同,这种集成电路可以具有透光特性。

    膜状物品及其制作方法

    公开(公告)号:CN1910598A

    公开(公告)日:2007-02-07

    申请号:CN200580002953.0

    申请日:2005-01-20

    IPC分类号: G06K19/07 B42D15/02 H01L27/12

    摘要: 由于由硅晶片形成的芯片厚,因此该芯片从表面突出,或者该芯片如此大以至于通过眼睛能看到它,这影响了商务卡等的设计。因此,本发明的目的是提供一种新的集成电路,其具有一种结构,利用该结构不会影响所述设计。鉴于上述问题,本发明的特征是使膜状物品配备有薄膜集成电路。本发明的另一特征是IDF芯片具有0.2mm或更小的半导体膜作为有源区。因此,与由硅晶片形成的芯片相比,IDF芯片可以被制作得更薄。除此之外,与由硅晶片形成的芯片不同,这种集成电路可以具有透光特性。