-
公开(公告)号：CN1606174A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410090504.3
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/861 , H01L31/00 , H01L27/12 , H01L23/00 , H01L21/00
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L27/1446 , H01L27/14618 , H01L31/048 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种形成在绝缘衬底上的半导体器件，通常半导体器件具有如下结构：其中在光学传感器、太阳能电池或使用TFT的电路中可提高与布线板的安装强度，并且可以使其以高密度安装在布线板上，并且本发明还提供一种制造该半导体器件的方法。根据本发明，在半导体器件中，半导体元件形成在绝缘衬底上，凹部形成在半导体器件的侧面上，并且在凹部中形成电连接到半导体元件的导电膜。
-
公开(公告)号：CN1832207B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200610009063.9
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L31/1133 , H01L27/14603 , H01L27/14643 , H01L27/14687
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有可以抑制静电放电损害的结构的光传感器。通常，在光接收区的整个表面上形成透明电极，然而，在本发明中，不形成透明电极，而是将光电转换层中的p型半导体层和n型半导体层用作电极。因此，在根据本发明的光传感器中，电阻增加且可以抑制静电放电损害。此外，将用作电极的p型半导体层和n型半导体层的位置分离开，且由此，增加电阻并且可以提高耐压。
-
公开(公告)号：CN102176488A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110080669.2
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/113 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/1133 , H01L27/14603 , H01L27/14643 , H01L27/14687
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有可以抑制静电放电损害的结构的光传感器。通常，在光接收区的整个表面上形成透明电极，然而，在本发明中，不形成透明电极，而是将光电转换层中的p型半导体层和n型半导体层用作电极。因此，在根据本发明的光传感器中，电阻增加且可以抑制静电放电损害。此外，将用作电极的p型半导体层和n型半导体层的位置分离开，且由此，增加电阻并且可以提高耐压。
-
公开(公告)号：CN101034723B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200710086231.9
申请日：2007-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/101 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/14692
Abstract: 本发明的目的在于获得一种可防止污染物质混入到光电转换层、分光感度特性良好、并输出电流的偏差小的光电转换装置。在包括光电转换装置的半导体装置中，获得一种可靠性高的半导体装置。本发明的提供一种半导体装置，其在绝缘表面上包括：第一电极；第二电极；在所述第一电极和第二电极之间的彩色滤光片；覆盖所述彩色滤光片的覆盖层；以及在所述覆盖层上的、包括p型半导体层、i型半导体层及n型半导体层的光电转换层，其中所述光电转换层的一个端部与所述第一电极接触，并且所述彩色滤光片的端部位于所述光电转换层的另一个端部的内侧。
-
公开(公告)号：CN101034723A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710086231.9
申请日：2007-03-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/101 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14643 , H01L27/14687 , H01L27/14689 , H01L27/14692
Abstract: 本发明的目的在于获得一种可防止污染物质混入到光电转换层、分光感度特性良好、并输出电流的偏差小的光电转换装置。在包括光电转换装置的半导体装置中，获得一种可靠性高的半导体装置。本发明提供一种半导体装置，其在绝缘表面上包括：第一电极；第二电极；在所述第一电极和第二电极之间的彩色滤光片；覆盖所述彩色滤光片的覆盖层；以及在所述覆盖层上的、包括p型半导体层、i型半导体层及n型半导体层的光电转换层，其中所述光电转换层的一个端部与所述第一电极接触，并且所述彩色滤光片的端部位于所述光电转换层的另一个端部的内侧。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1832207A
公开(公告)日：2006-09-13
申请号：CN200610009063.9
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L31/1133 , H01L27/14603 , H01L27/14643 , H01L27/14687
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有可以抑制静电放电损害的结构的光传感器。通常，在光接收区的整个表面上形成透明电极，然而，在本发明中，不形成透明电极，而是将光电转换层中的p型半导体层和n型半导体层用作电极。因此，在根据本发明的光传感器中，电阻增加且可以抑制静电放电损害。此外，将用作电极的p型半导体层和n型半导体层的位置分离开，且由此，增加电阻并且可以提高耐压。
-
公开(公告)号：CN102176488B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110080669.2
申请日：2006-02-17
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/113 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/1133 , H01L27/14603 , H01L27/14643 , H01L27/14687
Abstract: 本发明的目的是提供一种具有可以抑制静电放电损害的结构的光传感器。通常，在光接收区的整个表面上形成透明电极，然而，在本发明中，不形成透明电极，而是将光电转换层中的p型半导体层和n型半导体层用作电极。因此，在根据本发明的光传感器中，电阻增加且可以抑制静电放电损害。此外，将用作电极的p型半导体层和n型半导体层的位置分离开，且由此，增加电阻并且可以提高耐压。
-
公开(公告)号：CN101313413B
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN200680043181.X
申请日：2006-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/10 , H01L29/41 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H01L31/03762
Abstract: 形成一种光电转换装置，所述光电转换装置在第一电极和第二电极之间被提供有光电转换层。第一电极部分地与光电转换层接触，并且在接触部分中第一电极的截面形状是锥形形状。在这种情形下，具有一个电导率类型的第一半导体层的一部分与第一电极接触。在第一电极的边缘部分中的平面(planer)形状优选是无角度的，即，其中边缘是平面或曲面形状的形状。通过这种结构，可以抑制电场的集中和应力的集中，由此可以减小光电转换装置的特性退化。
-
公开(公告)号：CN100594618C
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200410090504.3
申请日：2004-09-30
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/861 , H01L31/00 , H01L27/12 , H01L23/00 , H01L21/00
CPC classification number: H01L31/0203 , H01L27/1446 , H01L27/14618 , H01L31/048 , H01L2924/0002 , Y02E10/50 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种形成在绝缘衬底上的半导体器件，通常半导体器件具有如下结构：其中在光学传感器、太阳能电池或使用TFT的电路中可提高与布线板的安装强度，并且可以使其以高密度安装在布线板上，并且本发明还提供一种制造该半导体器件的方法。根据本发明，在半导体器件中，半导体元件形成在绝缘衬底上，凹部形成在半导体器件的侧面上，并且在凹部中形成电连接到半导体元件的导电膜。
-
公开(公告)号：CN101313413A
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200680043181.X
申请日：2006-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/10 , H01L29/41 , H01L27/146
CPC classification number: H01L31/022408 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14692 , H01L31/03762
Abstract: 形成一种光电转换装置，所述光电转换装置在第一电极和第二电极之间被提供有光电转换层。第一电极部分地与光电转换层接触，并且在接触部分中第一电极的截面形状是锥形形状。在这种情形下，具有一个电导率类型的第一半导体层的一部分与第一电极接触。在第一电极的边缘部分中的平面(planer)形状优选是无角度的，即，其中边缘是平面或曲面形状的形状。通过这种结构，可以抑制电场的集中和应力的集中，由此可以减小光电转换装置的特性退化。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
10
records
(took 0.23 seconds)
