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公开(公告)号：CN108074845B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201711146022.9
申请日：2017-11-17
Applicant: 株式会社国际电气
Abstract: 本发明涉及基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法，尤其提供增大晶圆面内的气体流速的结构。提供具备反应管的结构，该反应管构成对基板进行处理的处理室，且具有：气体导入部，其设置在反应管下部，并导入处理气体；缓冲部，其构成反应管侧面的一端，使处理气体暂时滞留并且设置有向处理室供给处理气体的开口部；连结部，其设置在气体导入部与缓冲部之间，并从气体导入部连通至缓冲部；以及气体排放部，其构成反应管侧面的另一端的下端部，并从处理室排出处理气体，反应管构成为从开口部向处理室导入并经由处理室而从气体排放部排出处理气体，其中开口部设置在从缓冲部的上端部到与气体排放部对置的位置。
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公开(公告)号：CN110172681B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201910028131.3
申请日：2019-01-11
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质。本发明的目的在于，提供能够在处理室中抑制大气气氛的侵入的技术。本发明的技术具有：支承衬底的衬底支承部；处理室，其具有处理所述衬底的第一空间；排气部，其对所述第一空间的气氛进行排气；向所述第一空间供给气体的气体导入管；与所述气体导入管连通的处理气体搬送管；接头部，其构成为在所述第一空间的外侧的第二空间中对所述气体导入管与所述处理气体搬送管相邻接的邻接部进行覆盖，并将所述气体导入管和所述处理气体搬送管固定；和压力调节部，其设置于所述邻接部与所述第二空间之间。
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公开(公告)号：CN111755359B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202010204660.7
申请日：2020-03-19
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法，缩小配置于基板处理区域的基板间的处理结果的差异。该反应管在内部构成对基板进行处理的处理室，被设于周围的加热部加热，而且具备：气体导入部，其设于上述反应管的下端侧且导入处理气体；第一供给部，其至少在与处理上述基板的基板处理区域对置的位置以沿上述反应管的侧面的方式配置；以及预加热部，其设于比上述基板处理区域低的位置，具有沿从上述气体导入部朝向上述反应管的顶棚部的方向延伸的第一预加热部和沿相对于朝向上述反应管的顶棚部的方向垂直的方向延伸的第二预加热部，且构成为，通过组合上述第一预加热部和上述第二预加热部，使上述气体导入部和上述第一供给部连通。
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公开(公告)号：CN116635568A
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202080107985.1
申请日：2020-12-21
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明一边维持或提高面内均匀性，一边提高处理气体的供给效率。本发明具备：基板保持件，其保持多个基板；反应管，其收纳基板保持件；气体供给机构，其具有与多个基板分别对应的多个供给孔，且对多个基板分别供给气体；以及多个板材，其至少一部分配置于气体供给机构与基板保持件之间，且与多个基板分别大致平行地设置。
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公开(公告)号：CN115110062A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210183980.8
申请日：2022-02-28
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理装置、喷嘴安装件、基板处理方法以及半导体装置的制造方法，能够降低喷嘴的倾度。该基板处理装置具备：处理容器，其由反应管和从下方支撑反应管的歧管构成，且在内部处理基板；喷嘴，其向基板供给处理气体；金属安装件，其使喷嘴竖立设置于处理容器内；支撑基座，其配置于金属安装件的下方，且固定于歧管；以及固定螺栓，其与支撑基座卡合，并且与金属安装件螺纹结合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111755359A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010204660.7
申请日：2020-03-19
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明提供基板处理装置、反应管以及半导体装置的制造方法，缩小配置于基板处理区域的基板间的处理结果的差异。该反应管在内部构成对基板进行处理的处理室，被设于周围的加热部加热，而且具备：气体导入部，其设于上述反应管的下端侧且导入处理气体；第一供给部，其至少在与处理上述基板的基板处理区域对置的位置以沿上述反应管的侧面的方式配置；以及预加热部，其设于比上述基板处理区域低的位置，具有沿从上述气体导入部朝向上述反应管的顶棚部的方向延伸的第一预加热部和沿相对于朝向上述反应管的顶棚部的方向垂直的方向延伸的第二预加热部，且构成为，通过组合上述第一预加热部和上述第二预加热部，使上述气体导入部和上述第一供给部连通。
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公开(公告)号：CN107210218B
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201680006272.X
申请日：2016-01-26
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: H01L21/31 , C23C16/42 , C23C16/44 , H01L21/02 , H01L21/318
Abstract: 课题在于抑制炉口部周围的副产物的附着。具有：反应管，其在内部具有处理衬底的衬底处理区域；以及炉口部，其配置于反应管的下部，反应管具有：突出部，其向反应管的下方的外周侧突出；以及延伸部，其从反应管的下端向下方延伸，比与衬底处理区域对应的位置处的反应管的厚度形成得更厚，覆盖炉口部的内周面。
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公开(公告)号：CN110172681A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910028131.3
申请日：2019-01-11
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/52 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法、记录介质。本发明的目的在于，提供能够在处理室中抑制大气气氛的侵入的技术。本发明的技术具有：支承衬底的衬底支承部；处理室，其具有处理所述衬底的第一空间；排气部，其对所述第一空间的气氛进行排气；向所述第一空间供给气体的气体导入管；与所述气体导入管连通的处理气体搬送管；接头部，其构成为在所述第一空间的外侧的第二空间中对所述气体导入管与所述处理气体搬送管相邻接的邻接部进行覆盖，并将所述气体导入管和所述处理气体搬送管固定；和压力调节部，其设置于所述邻接部与所述第二空间之间。
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公开(公告)号：CN215869283U
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202122181133.1
申请日：2021-09-09
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: H01J37/32 , C23C16/54 , C23C16/50 , C23C16/458 , H01L21/67
Abstract: 本实用新型提供一种基板处理装置用遮蔽件，设置于基板处理装置的反应管的底部，防止从缓冲室供给的等离子体沿着相反侧的反应管的内表面向下流动而被排气，由此，能够改善晶舟的上下的基板处理的均匀性，并且，遮蔽加热器的辐射热，抑制与炉口部空间之间的气体的出入，能够提高炉口部的隔热性。该基板处理装置用遮蔽件具备：圆弧状的底板；从上述底板直立的多个支柱；以及由上述多个支柱沿垂直方向以多层支承的圆弧状的多个隔断板。
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公开(公告)号：CN218299750U
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202090000433.6
申请日：2020-02-21
Applicant: 株式会社国际电气(JP)
IPC: H01L21/31 , C23C16/455
Abstract: 即使在使反应管内的部件由石英等非金属制部件构成的情况下，也能够抑制非金属制部件的破损。具备：气体供给喷管，其经由反应管的开口部向构成于反应管内部的处理室供给处理气体；第1密封材料，其设为至少将开口部与气体供给喷管的间隙覆盖；保持部件，其与反应管连接；转接头，其从反应管的外侧经由保持部件而连接；第1固定件，其以开口部、保持部件与转接头配置在同心圆上的方式进行固定；和第2密封材料，其设为将气体供给喷管、保持部件与转接头之间的空间维持为气密状态。
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