炉口部结构、基板处理装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN115841937B

    公开(公告)日:2025-05-06

    申请号:CN202210870323.0

    申请日:2022-07-18

    Abstract: 本发明提供一种炉口部结构、基板处理装置以及半导体装置的制造方法,能够抑制以构成炉口部的部件为发生源的基板的金属污染。根据本公开的一方式,具备:上侧入口部,其经由第一密封部件与设置于反应管的下部的第一突部连接,并对所述反应管进行支撑;下侧入口部,其经由第二密封部件与该上侧入口部连接;以及固定环,其与该上侧入口部连结,并固定所述第一突部,并且构成为:所述上侧入口部配置在设置于所述反应管的下部的排气管的下方,使冷却介质在设置于所述上侧入口部和所述固定环各自的内部的流路中流通,从而能够对所述第一突部进行冷却。

    基板处理装置、气体供给组件、喷嘴、基板处理方法以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN115777136A

    公开(公告)日:2023-03-10

    申请号:CN202180048139.1

    申请日:2021-09-13

    Abstract: 本发明公开了一种能够防止喷嘴外周与喷嘴转接器直接接触、防止因直接接触而产生微粒的技术。具备:喷嘴,具有形成于一端的安装部,将供给到所述安装部的气体向处理室内喷出;喷嘴转接器,配置于所述处理室内,与所述安装部的外周面以规定的间隔间隙配合;以及多个环状缓冲部件,分别配置于所述安装部,与所述喷嘴转接器抵接,在所述喷嘴的所述安装部安装于所述喷嘴转接器的状态下,所述环状缓冲部件中的至少一个在对应的环状缓冲部件的半径方向上压缩变形。

    基板处理装置、基板处理方法及程序

    公开(公告)号:CN115997274A

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202080104516.4

    申请日:2020-09-23

    Abstract: 基板处理装置具有:筒状的外管,其上端被封堵且下端开口;内管,其设在外管的内部,形成为上端被封堵且下端开口的筒状,能够在内部对基板进行处理;形成为筒状的歧管,其与外管的下端和内管的下端连接,且与内管的处理室连通,具备相对于内管与外管之间的环状空间隔离的排气空间;处理气体喷管,其向内管的内部供给进行基板处理的处理气体;吹扫气体喷管,其向环状空间供给吹扫气体;以及流导可变部,其设在环状空间与排气空间之间,使气体能够从环状空间与排气空间之间通过。

    炉口部结构、基板处理装置以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN115841937A

    公开(公告)日:2023-03-24

    申请号:CN202210870323.0

    申请日:2022-07-18

    Abstract: 本发明提供一种炉口部结构、基板处理装置以及半导体装置的制造方法,能够抑制以构成炉口部的部件为发生源的基板的金属汚染。根据本公开的一方式,具备:上侧入口部,其经由第一密封部件与设置于反应管的下部的第一突部连接,并对所述反应管进行支撑;下侧入口部,其经由第二密封部件与该上侧入口部连接;以及固定环,其与该上侧入口部连结,并固定所述第一突部,并且构成为:所述上侧入口部配置在设置于所述反应管的下部的排气管的下方,使冷却介质在设置于所述上侧入口部和所述固定环各自的内部的流路中流通,从而能够对所述第一突部进行冷却。

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