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公开(公告)号：CN116724380A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202180089164.4
申请日：2021-02-26
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: H01L21/31
Abstract: 具有如下工序：(a)向收纳有基板的处理容器内供给成膜气体，在所述基板上形成膜；(b)向未收纳所述基板的所述处理容器内供给含氟气体，去除附着于所述处理容器内的包含所述膜的堆积物；(c)向未收纳所述基板的所述堆积物去除后的所述处理容器内供给预涂气体，在所述处理容器内形成预涂膜；以及(d)向收纳有基板的所述预涂膜形成后的所述处理容器内供给成膜气体，在所述基板上形成膜，在(c)中，与所述处理容器内的残留氟浓度的分布对应地调整所述预涂膜的膜厚分布。
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公开(公告)号：CN109256345B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN201810751851.8
申请日：2018-07-10
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及基板处理装置、基板保持件以及半导体装置的制造方法，提供能够实现兼顾基板的面内温度偏差的减小和面内温度恢复时间的缩短的技术。一种基板处理装置，其具有保持多张基板及隔热板的基板保持件、收纳上述基板保持件的反应管、以及对保持于上述基板保持件的基板进行加热的加热部，其中，上述基板保持件构成为被划分成保持上述基板的基板处理区域和保持上述隔热板的隔热板区域，在上述隔热板区域的上层部保持反射率比保持于该上层部以外的隔热板区域的隔热板高的隔热板。
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公开(公告)号：CN110942977A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910860140.9
申请日：2019-09-11
Applicant: 株式会社国际电气
Abstract: 本发明是清洁方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置和记录介质。本发明的处理容器内的清洁方法具有以下工序：(a)向对基板进行处理后的处于第一温度的处理容器内以第一流量供给含有氟系气体的第一气体并排气，将附着在处理容器内的物质除去的工序；(b)向进行了(a)后的处于比第一温度高的第二温度的处理容器内，以比第一流量和第三流量都高的第二流量供给在第二温度下不与氟发生化学反应的第二气体并排气，将处理容器内的残留氟物理脱离并除去的工序；和(c)向进行了(a)后的处于比第一温度高的第三温度的处理容器内，以第三流量供给在第三温度下会与氟发生化学反应的第三气体并排气，将处理容器内的残留氟化学脱离并除去的工序。
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公开(公告)号：CN118668182A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311772816.1
申请日：2023-12-21
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: C23C16/455 , H01L21/02 , C23C16/34 , C23C16/40
Abstract: 本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质、及衬底处理装置，课题在于提供能够提高衬底上形成的膜的阶梯覆盖性的技术。解决手段在于将包括下述(a)、(b)、(c)和(d)的循环执行规定次数：(a)向在表面形成有凹部的衬底供给含有第1卤素的第1改性剂的工序；(b)向前述衬底供给分子结构与前述第1改性剂不同的含有第2卤素的第2改性剂的工序；(c)在开始(a)及(b)之后，向前述衬底供给分子结构与前述第1改性剂及前述第2改性剂不同的含有规定元素的原料，由此在前述凹部的内面上形成含有前述规定元素的沉积层的工序；和(d)在(c)之后，向前述衬底供给与前述沉积层反应的反应体的工序。
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公开(公告)号：CN115841937B
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202210870323.0
申请日：2022-07-18
Applicant: 株式会社国际电气
Abstract: 本发明提供一种炉口部结构、基板处理装置以及半导体装置的制造方法，能够抑制以构成炉口部的部件为发生源的基板的金属污染。根据本公开的一方式，具备：上侧入口部，其经由第一密封部件与设置于反应管的下部的第一突部连接，并对所述反应管进行支撑；下侧入口部，其经由第二密封部件与该上侧入口部连接；以及固定环，其与该上侧入口部连结，并固定所述第一突部，并且构成为：所述上侧入口部配置在设置于所述反应管的下部的排气管的下方，使冷却介质在设置于所述上侧入口部和所述固定环各自的内部的流路中流通，从而能够对所述第一突部进行冷却。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116741620A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202211603674.1
申请日：2022-12-13
Applicant: 株式会社国际电气
Abstract: 本发明涉及衬底处理方法、半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。能实现良好的电荷保持特性及良好的阶梯覆盖特性。其具有：形成含有第一元素及第二元素的第一膜的工序；和与第一膜邻接地形成含有第一元素及第二元素、且具有与第一膜的特性不同的特性的第二膜的工序，其中，第一膜及第二膜中的一者通过将进行下述工序的循环执行规定次数而形成：(a1)供给含有第一元素的第一原料气体的工序；和(b1)供给含有第二元素的反应气体的工序，第一膜及前述第二膜中的另一者通过将进行下述工序的循环执行规定次数而形成：(a2)供给包含第一元素且热分解温度高于第一原料气体的第二原料气体的工序；和(b2)供给含有第二元素的反应气体的工序。
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公开(公告)号：CN118414692A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202280083416.7
申请日：2022-09-26
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: H01L21/318 , C23C16/455 , H01L21/31
Abstract: 具有如下工序：a)对基板供给吸附阻碍气体的工序，b)对基板供给原料气体的工序，c)对基板供给反应气体的工序，以及d)工序；在d)工序中，在使b)所供给的原料气体对基板的曝露量较a)所供给的吸附阻碍气体对基板的曝露量更多的状态下，将a)、b)、c)进行规定次数，从而在基板上形成原料气体中所含元素的膜。
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公开(公告)号：CN116670803A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180089382.8
申请日：2021-03-17
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: H01L21/318
Abstract: 清洁方法是清洁对衬底进行成膜处理的处理室的方法，其具有：加热工序，其以下述方式对前述处理室内进行加热：将被供给清洁气体的处理室内在气流方向上划分为3个以上的区域，使得在前述处理室内位于前述气流方向上游侧的区域和与该区域相邻的区域之间的温度差变得比位于前述气流方向下游侧的区域和与该区域相邻的区域之间的温度差大；和供给工序，在前述加热工序之后向前述处理室内供给前述清洁气体。
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公开(公告)号：CN115841937A
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202210870323.0
申请日：2022-07-18
Applicant: 株式会社国际电气
Abstract: 本发明提供一种炉口部结构、基板处理装置以及半导体装置的制造方法，能够抑制以构成炉口部的部件为发生源的基板的金属汚染。根据本公开的一方式，具备：上侧入口部，其经由第一密封部件与设置于反应管的下部的第一突部连接，并对所述反应管进行支撑；下侧入口部，其经由第二密封部件与该上侧入口部连接；以及固定环，其与该上侧入口部连结，并固定所述第一突部，并且构成为：所述上侧入口部配置在设置于所述反应管的下部的排气管的下方，使冷却介质在设置于所述上侧入口部和所述固定环各自的内部的流路中流通，从而能够对所述第一突部进行冷却。
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公开(公告)号：CN109256345A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810751851.8
申请日：2018-07-10
Applicant: 株式会社国际电气
IPC: H01L21/67
Abstract: 本发明涉及基板处理装置、基板保持件以及半导体装置的制造方法，提供能够实现兼顾基板的面内温度偏差的减小和面内温度恢复时间的缩短的技术。一种基板处理装置，其具有保持多张基板及隔热板的基板保持件、收纳上述基板保持件的反应管、以及对保持于上述基板保持件的基板进行加热的加热部，其中，上述基板保持件构成为被划分成保持上述基板的基板处理区域和保持上述隔热板的隔热板区域，在上述隔热板区域的上层部保持反射率比保持于该上层部以外的隔热板区域的隔热板高的隔热板。
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