曝光装置及器件制造方法

    公开(公告)号:CN100533662C

    公开(公告)日:2009-08-26

    申请号:CN200580037186.7

    申请日:2005-10-31

    CPC classification number: G03F7/70341 G03F7/70733

    Abstract: 本发明提供一种可以抑制液体的残留的曝光装置。曝光装置(EX)具备:可保持衬底(P)并移动的衬底载台(ST1);可与衬底载台(ST1)独立地移动的计测载台(ST2);在衬底载台(ST1)及计测载台(ST2)的至少一个的载台的上面形成液体(LQ)的浸液区域(LR)的浸液机构(12等)。在计测载台(ST2)的上面,设有可回收液体(LR)的回收口(51)。

    图像处理方法、计算机可读的存储介质及图像处理装置

    公开(公告)号:CN118044778A

    公开(公告)日:2024-05-17

    申请号:CN202410168447.3

    申请日:2019-04-18

    Abstract: 提供一种图像处理方法、程序计算机可读的存储介质及图像处理装置,将脉络膜血管的粗细可视化。从脉络膜血管被可视化的脉络膜血管图像检测涡静脉位置。通过对脉络膜血管图像进行图像处理,从脉络膜血管图像提取第1粗细的第1粗细脉络膜血管和不同于上述第1粗细的第2粗细的第2粗细脉络膜血管。生成粗细解析眼底图像,该粗细解析眼底图像在脉络膜血管图像上重叠显示表示涡静脉位置的矩形框,并且,以红色表示第1粗细脉络膜血管,以蓝色表示第2粗细脉络膜血管。

    曝光装置、曝光方法、器件制造方法及标记

    公开(公告)号:CN108196434B

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:CN201711449501.8

    申请日:2013-07-09

    Abstract: 本发明提供曝光装置、曝光方法、器件制造方法及标记。标记形成方法包含:基于在晶片上曝光而成的标记像形成包含凹部的抗蚀剂标记的步骤;在形成有该抗蚀剂标记的区域的凹部中涂布包含嵌段共聚物的聚合物层的步骤;通过退火使聚合物层形成自组装区域的步骤;通过蚀刻选择性地除去自组装区域的一部分的步骤;以及使用除去了该一部分的自组装区域在晶片上形成晶片标记的步骤。在使用嵌段共聚物的自组装形成电路图案时能够并列地形成标记。

    曝光方法和曝光装置、以及器件制造方法

    公开(公告)号:CN101099224A

    公开(公告)日:2008-01-02

    申请号:CN200680001682.1

    申请日:2006-04-21

    Abstract: 本发明提供曝光方法和曝光装置、以及器件制造方法。其中,浸液装置(132)具有混入机构,该混入机构在向配置于投影光学系统(PL)的光射出侧的物体(部件)表面的疏液膜上供应的液体中,混入并溶解对该液体的电阻率进行调整的规定物质;并且,将溶解有该规定物质的液体(Lq)供应到疏液膜上来形成浸液区域。

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