公开(公告)号：CN105278196A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510408263.0

申请日：2015-07-13

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 三宅秀和 ,  石田有亲 ,  植村典弘 ,  三宅博都 ,  铃村功 ,  山口阳平

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 一个实施方式的显示装置具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备第一半导体层(12)、第一绝缘膜(14)、栅电极(WG)、第二绝缘膜(16)、第二半导体层(18)、第一电极及第二电极。间隔(T14)比间隔(T16)大。

公开(公告)号：CN105261653A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510411819.1

申请日：2015-07-14

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功 ,  石田有亲 ,  植村典弘 ,  三宅秀和 ,  三宅博都 ,  山口阳平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/0847

Abstract: 根据实施方式，显示装置具备在绝缘基板(15)之上设置的薄膜晶体管(TR)。薄膜晶体管具有栅电极(GE)、在栅电极上设置的绝缘层(12)、在绝缘层上设置的至少一部分与栅电极重叠的半导体层(SC)、以及与半导体层的至少一部分接触而设置的源电极(SE)及漏电极(DE)。源电极、漏电极分别具有位于半导体层侧的下层、以Al为主成分的中间层、以及上层的层叠构造。源电极、漏电极的侧壁具有上层侧的第1锥部(22a)、下层侧的第2锥部(22b)、以及与第2锥部接触的侧壁保护膜(24)，第1锥部的锥角小于第2锥部的锥角。

公开(公告)号：CN105261653B

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201510411819.1

申请日：2015-07-14

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 铃村功 ,  石田有亲 ,  植村典弘 ,  三宅秀和 ,  三宅博都 ,  山口阳平

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/08 ,  H01L27/12

CPC classification number: G02F1/1368 ,  G02F1/133345 ,  G02F1/136227 ,  H01L27/1288

Abstract: 根据实施方式，显示装置具备在绝缘基板(15)之上设置的薄膜晶体管(TR)。薄膜晶体管具有栅电极(GE)、在栅电极上设置的绝缘层(12)、在绝缘层上设置的至少一部分与栅电极重叠的半导体层(SC)、以及与半导体层的至少一部分接触而设置的源电极(SE)及漏电极(DE)。源电极、漏电极分别具有位于半导体层侧的下层、以Al为主成分的中间层、以及上层的层叠构造。源电极、漏电极的侧壁具有上层侧的第1锥部(22a)、下层侧的第2锥部(22b)、以及与第2锥部接触的侧壁保护膜(24)，第1锥部的锥角小于第2锥部的锥角。

公开(公告)号：CN105278196B

公开(公告)日：2018-05-08

申请号：CN201510408263.0

申请日：2015-07-13

Applicant: 株式会社日本显示器

Inventor： 三宅秀和 ,  石田有亲 ,  植村典弘 ,  三宅博都 ,  铃村功 ,  山口阳平

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/7869 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/13685 ,  G02F2202/104 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78696

Abstract: 一个实施方式的显示装置具备薄膜晶体管，该薄膜晶体管具备第一半导体层(12)、第一绝缘膜(14)、栅电极(WG)、第二绝缘膜(16)、第二半导体层(18)、第一电极及第二电极。间隔(T14)比间隔(T16)大。