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公开(公告)号：CN116507180A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310083077.9
申请日：2023-01-18
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10K71/00 , H10K50/844
Abstract: 本发明涉及显示装置的制造方法。根据一个实施方式，在显示装置的制造方法中，准备在基板的上方形成有下电极、肋部和包含下部及上部的隔壁的处理基板，形成覆盖下电极的第1有机层、和与第1有机层分离并位于上部之上的第2有机层，形成位于第1有机层之上并与下部相接的第1上电极、和与第1上电极分离并位于第2有机层之上的第2上电极，形成位于第1上电极和第2上电极的上方并覆盖隔壁的封固层，形成覆盖封固层的一部分的抗蚀剂，以抗蚀剂为掩模进行各向异性干式蚀刻，减小从抗蚀剂露出的封固层的膜厚，以抗蚀剂为掩模，使用氟系气体与氧的混合气体进行各向同性干式蚀刻，将从抗蚀剂露出的封固层除去。
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公开(公告)号：CN116437703A
公开(公告)日：2023-07-14
申请号：CN202310067035.6
申请日：2023-01-12
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10K50/805 , H10K50/844 , H10K71/00 , H10K59/12
Abstract: 本发明涉及显示装置的制造方法。根据一个实施方式，在显示装置的制造方法中，准备在基板的上方形成有下电极、肋部和包含下部及上部的隔壁的处理基板，形成覆盖所述下电极的第1有机层、和与所述第1有机层分离并位于所述上部之上的第2有机层，形成覆盖所述第1有机层并与所述下部相接的第1上电极、和与所述第1上电极分离并位于所述第2有机层之上的第2上电极，形成所述第1上电极、和位于所述第2上电极之上的封固层，形成覆盖所述封固层的一部分的抗蚀剂，以所述抗蚀剂为掩模进行各向异性干式蚀刻，减小从所述抗蚀剂露出的所述封固层的膜厚，以所述抗蚀剂为掩模进行各向同性干式蚀刻，将从所述抗蚀剂露出的所述封固层除去。
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公开(公告)号：CN117241613A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202310702072.X
申请日：2023-06-14
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10K59/122 , H10K59/80 , H10K59/12
Abstract: 本发明涉及显示装置。一个实施方式涉及的显示装置具备：肋部，其具有第1至第3像素开口；隔壁，其包含配置在肋部上的下部和从下部的侧面突出的上部；第1显示元件，其与第1像素开口重叠；第2显示元件，其与第2像素开口重叠；第3显示元件，其与第3像素开口重叠；第1密封层，其覆盖第1显示元件，并且具有位于上部之上的第1部分；第2密封层，其覆盖第2显示元件，并且具有位于上部之上的第2部分；和第3密封层，其覆盖第3显示元件，并且具有位于上部之上的第3部分。此外，第1部分与上部重叠的区域的第1宽度、第2部分与上部重叠的区域的第2宽度、及第3部分与上部重叠的区域的第3宽度中的至少两个彼此不同。
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公开(公告)号：CN117135981A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310600130.8
申请日：2023-05-25
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及显示装置的制造方法及CVD装置。根据一实施方式，显示装置的制造方法中：准备处理基板，在下电极上形成有机层，形成位于有机层上并与隔壁相接的上电极，在上电极上形成盖层，形成位于盖层上并与隔壁相接的密封层，其中，形成密封层的工序包括：沉积工序，其在将形成有盖层的处理基板搬入腔室的内部后，将原料气体导入腔室内而在处理基板之上沉积硅氮化物，然后停止原料气体的导入，对腔室内的残留气体进行排气；和蚀刻工序，其接着沉积工序，将清洁气体通过与原料气体相同的路径导入腔室内，在进行了将沉积在处理基板上的硅氮化物的一部分除去的各向异性干式蚀刻后，对腔室内的残留气体进行排气，至少进行两次沉积工序和蚀刻工序的组合。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116896960A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310312257.X
申请日：2023-03-28
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及显示装置的制造方法。根据一个实施方式，显示装置的制造方法包括：在基板上形成包含第1下电极、第1上电极、和位于所述第1下电极与所述第1上电极之间的第1有机层的第1显示元件；形成覆盖所述第1显示元件的第1密封层；在所述第1密封层之上形成第1抗蚀剂；和通过包括使用含水的清洗液的所述基板的清洗的第1图案化工序，将所述第1密封层及所述第1显示元件中的从所述第1抗蚀剂露出的部分除去。
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公开(公告)号：CN119053203A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202410662485.4
申请日：2024-05-27
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。根据一实施方式，显示装置的制造方法中，准备处理基板，该处理基板中，在基板的上方形成下电极，形成具有与前述下电极重叠的开口的无机绝缘层，并形成包括位于前述无机绝缘层之上的下部及位于前述下部之上且从前述下部的侧面突出的上部的隔壁，在前述开口中于前述下电极之上形成包含发光层的有机层，在前述有机层之上形成上电极，在前述上电极之上形成盖层，形成覆盖前述盖层及前述隔壁的第1密封层，形成覆盖前述第1密封层的树脂层，其中，形成前述有机层、前述上电极及前述盖层的工序是在真空环境下将前述隔壁作为掩膜的蒸镀工序，形成前述树脂层的工序包括在大气气氛下涂布树脂材料的工序。
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公开(公告)号：CN117320514A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310763820.5
申请日：2023-06-27
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10K59/80 , H10K71/00 , H10K59/121
Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。根据一实施方式，显示装置的制造方法中，准备处理基板，该处理基板在基板的上方形成有下电极并形成有具有与下电极重叠的开口的肋部且形成有包含位于肋部之上的下部及位于下部之上并从下部的侧面突出的上部的隔壁，在所述开口中，在所述下电极之上形成有机层，在所述有机层之上形成上电极，在所述上电极之上形成盖层，在所述盖层之上形成密封层，在所述密封层之上形成经图案化的抗蚀剂，通过干式蚀刻将从所述抗蚀剂露出的所述密封层除去，所述密封层包含由无机绝缘材料形成的第1高密度层和由无机绝缘材料形成的低密度层，在所述密封层的干式蚀刻时，所述低密度层的蚀刻速率大于所述第1高密度层的蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN116648086A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310152982.5
申请日：2023-02-21
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10K50/844 , H10K59/12 , H10K59/35
Abstract: 本发明涉及显示装置。具备：第1、第2下电极；肋部，具有第1开口及第2开口；隔壁，具有在第1、第2开口之间配置在肋部之上的下部和配置在下部之上并从下部的侧面突出的上部；第1有机层，在第1开口中配置在第1下电极之上，包含第1发光层；第2有机层，在第2开口中配置在第2下电极之上，包含第2发光层；第1上电极，配置在第1有机层之上并与隔壁的下部相接；第2上电极，配置在第2有机层之上并与隔壁的下部相接；第1密封层，配置在第1上电极的上方，与隔壁的下部相接并向隔壁的上部之上延伸出；与第1密封层分离的第2密封层，配置在第2上电极的上方，与隔壁的下部相接并向隔壁的上部之上延伸出。
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公开(公告)号：CN110547045A
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201880024831.9
申请日：2018-01-23
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明提供一种有机EL显示装置，其能够更可靠地抑制电磁噪声的不良影响。有机EL显示装置具有：基板；配置于所述基板上的多个像素；覆盖所述多个像素的第一无机绝缘层；导电层，其位于所述第一无机绝缘层的与所述多个像素相反的一侧，且覆盖所述多个像素；和第二无机绝缘层，其位于所述导电层的与所述第一无机绝缘层相反的一侧，且覆盖所述多个像素。
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